燃烧合成法制备N掺杂SiC粉体及其微波介电性能

采用燃烧合成法,以硅粉和炭黑为原料、固态氮化剂α-Si3N4为掺杂剂及聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,PTFE)为化学活性剂,制备N掺杂的β-SiC粉体吸收剂。通过X射线衍射分析和扫描电子显微镜对燃烧产物进行了表征。结果表明:PTFE含量为10wt%时,燃烧产物中β-SiC的纯度较高,具有较好的颗粒形貌。利用矢量网络分析仪测试了样品在8.2～12.4GHz频率范围的微波介电常数,10wt%PTFE样品显示了最大的介电常数实部ε′、虚部ε″和损耗角正切tanδ。     

X波段四路合成氮化镓功率放大器

本文利用自主研制的SiC 衬底的,栅宽为2.5mm的AlGaN/GaN HEMT器件,设计完成了X波段氮化镓合成固态放大器模块。模块由AlGaN/GaN HEMT器件,Wilkinson功率合成/分配器,偏置电路和微带匹配电路构成。为了使放大器稳定,在每一路放大器的输入端和输出端加入了RC 稳定网络,在栅极和直流输入之间加上稳定电阻,并且利用3/4 λ 枝接的威尔金森功率合成/分配器,从而有效消除其自激和低频串扰问题。在连续波条件下(直流偏置电压为Vds=27V,Vgs=-4.0V),放大器在8GHz频率下线性增益为5dB,最大效率为17.9%,输出功率最大可为42.93dBm,此时放大器增益压缩为3dB。四路合成放大器的合成效率是67.5%。通过分析,发现了放大器合成效率的下降是由每路放大器特性的不一致、功率合成网络的损耗以及电路制造误差所造成。     

氮化镓器件非线性特性表征

对100um和1mm碳化硅衬底的氮化镓器件进行直流特性,小信号特性和大信号特性的表征。100um和1mm器件小信号特性测试结果发现,随栅长增大,由于电容寄生效应的减小,电流截止频率fT增大。从数据看出,器件可用在C波段和X波段。大信号测试包括C波段和X波段负载牵引测试和功率扫描测试。器件偏置在AB类工作点,并且选定源端阻抗,做负载牵引测试。在负载牵引园图上,最大功率阻抗点和最佳效率阻抗点可以确定。根据5.5GHz的不同栅长的器件的功率扫描结果分析器件尺寸变换效应与和大尺寸器件的自热效应密切相关。8GHz 不同漏极偏置的器件的功率扫描结果说明碳化硅衬底的氮化镓器件有好的热导率,高击穿电压和10.16W/mm 功率密度。从分析可证明碳化硅衬底的氮化镓器件是放大器设计的理想材料。     

VLSI冗余单元最优分配的遗传算法求解

随着VLSI芯片面积的增加和电路复杂性的增强,芯片的成品率受制造缺陷影响的概率逐渐增加。为了解决这一问题,人们将容错技术结合入集成电路设计中。要使一个系统具有较强的容错能力,必须给系统提供一定量冗余单元。本文利用遗传算法有效地解决了使系统成品率达到最大的冗余单元最优分配问题。     

IC缺陷轮廓的分形插值模型

现用于集成电路(IC)成品率预报及故障分析的缺陷模型均是用圆或正方形来代替真实缺陷的复杂轮廓进行近似建模的,从而在模型中引入了很大的误差。本文利用分形插值的思想直接对真实缺陷的轮廓进行模拟,从而提出了一种新的缺陷轮廓表征模型。实验结果表明:与传统的最大圆模型、最小圆模型及椭圆模型相比,新模型的建模精度有了很大的提高。     

IC制造中真实缺陷轮廓模型的比较

本文对现有的IC制造中真实缺陷轮廓的建模方法进行了比较,得到了一些有意义的结果。该结果为进行有效的集成电路(IC)成品率预报及故障分析提供了有益的借鉴。     

基于MBE的fmax为157GHz的SiGeHBT器件

在模拟集成电路的应用中,不仅注重器件fT,而且注重晶体管最高振荡频率(fmax).文中以MBE生长的SiGe材料为基础,进行了提高SiGe HBT器件fmax的研究,研制出了fmax＝157GHz的SiGe HBT器件.     

一种基于编码的低硬件开销的测试数据压缩方法

提出了一种新的测试数据压缩/解压缩的算法,称为混合游程编码,它充分考虑了测试数据的压缩率、相应硬件解码电路的开销以及总的测试时间.该算法是基于变长-变长的编码方式,即把不同游程长度的字串映射成不同长度的代码字,可以得到一个很好的压缩率.同时为了进一步提高压缩率,还提出了一种不确定位填充方法和测试向量的排序算法,在编码压缩前对测试数据进行相应的预处理.另外,混合游程编码的研究过程中充分考虑到了硬件解码电路的设计,可以使硬件开销尽可能小,并减少总的测试时间.最后,ISCAS 89 benchmark电路的实验结果证明了所提算法的有效性.     

低电场应力下闪速存储器的退化特性

基于负栅源边擦除的闪速存储器存储单元,研究了形成应力诱生漏电流的三种导电机制,同时采用新的实验方法对引起瞬态和稳态电流的电压漂移量进行了测量.并利用电容耦合效应模型对闪速存储器存储单元的可靠性进行了研究,结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要由载流子在氧化层里充放电引起.     

VirMIC—一个基于Internet的IC虚拟制造环境

该文展示了一个Internet环境下的集成电路虚拟制造环境VirMIC,着重于系统的三个核心模块,即电路性能仿真与成品率优化模块、工艺线仿真与调度模块和产品决策模块,电路性能仿真与成品率优化模块,建立了一个基于OO-DCE的技术CAD环境,以这个环境为依托,通过协调效益和成品率进行了工艺流程的可制造性优化设计;工艺线仿真与调度模块,以一定的工艺流程和制造系统配置为基础,建立制造系统Petri网模型,从而进行系统性能仿真和生产调度,对制造系统的整体性能进行优化;产品决策模块以前两个模块为基础,对如何选择合作伙伴,如何在合作伙伴之间分配用户提交的制造负荷,为构成“虚拟企业”提供指导性信息,以上三个模块构成了Vir-MIC系统的功能核心。