| 燃烧合成法制备N掺杂SiC粉体及其微波介电性能 |
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| 引用本文： | 李智敏,黄云霞,卫晓黑,张茂林,周万城,郝跃.燃烧合成法制备N掺杂SiC粉体及其微波介电性能[J].稀有金属材料与工程,2013(Z1):154-156. |
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| 作者姓名： | 李智敏 黄云霞 卫晓黑 张茂林 周万城 郝跃 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学技术物理学院;西安电子科技大学 宽禁带半导体材料与器件重点实验室;西北工业大学 凝固技术国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(K5051205006,K5051205010) |
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| 摘 要： | 采用燃烧合成法,以硅粉和炭黑为原料、固态氮化剂α-Si3N4为掺杂剂及聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,PTFE)为化学活性剂,制备N掺杂的β-SiC粉体吸收剂。通过X射线衍射分析和扫描电子显微镜对燃烧产物进行了表征。结果表明:PTFE含量为10wt%时,燃烧产物中β-SiC的纯度较高,具有较好的颗粒形貌。利用矢量网络分析仪测试了样品在8.2～12.4GHz频率范围的微波介电常数,10wt%PTFE样品显示了最大的介电常数实部ε′、虚部ε″和损耗角正切tanδ。
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| 关 键 词： | β-SiC N掺杂 燃烧合成 介电性能 |
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