粘弹性准饱水岩层中地震波的传播

从工程实践出发，采用粘弹性两相介质模型，详细研究了地震波在准饱水岩层中的传播问题。由于此模型不但考虑了岩层骨架的粘性，而且考虑了饱和度对地震波传播的影响，从而可以全面地了解地震波在准饱水岩层中的传播特性。该模型比以往研究地震波的模型更具合理性。采用数值算例对饱和度、频率、含水量对地震波的波速和衰减系数的影响进行了细致的分析，并得出了一些重要的结论。     

准确的FPGA互连长度和通道宽度估计

提出了一种新的FPGA互连预测算法,包括互连长度估计算法和通道宽度估计算法.实验结果表明,与现有算法相比,该估计算法能获得更准确的估计结果.     

直埋供热管网泄漏原因分析及检测

本文从直埋供热管网的设计、施工、运行、材料设备及周边环境等方面,分析了造成直埋供热管网泄漏事故的原因,并提出了相应的应对措施。同时,简要介绍了目前常用的直埋供热管网泄漏检测方法及选择原则。     

热空穴应力下LDD nMOSFET中GIDL电流退化特性研究*

本文通过GIDL电流参数IDIFF对空穴应力下LDD nMOSFET中的GIDL电流退化进行了深入研究。IDIFF是在相同VDG下漏电压VD=1.4V和栅电压VG=-1.4V两种情形下的GIDL电流之差。空穴陷落在栅漏交叠区的氧化层中导致GIDL电流退化。这些陷落的空穴减小了上述两种对称的测试情形下的横向电场差ΔEX从而使得IDIFF表小。从GIDL电流中提取的IDIFF随着应力时间t的增加而减小。IDIFF的退化量ΔIDIFF,MAX与应力时间成幂指数关系：ΔIDIFF,MAX∝tm, m=0.3. 并用热电子应力实验验证了HHS实验中的相关物理机理。     

催化与PV双功能中空纤维复合膜制备及其应用过程

以聚丙烯腈(PAN)中空纤维膜为支撑底膜,聚乙烯醇(PVA)为渗透汽化(PV)层,全氟磺酸树脂(PFSA)-聚乙烯醇(PVA) -纳米材料(SiO2、Al2O3和TiO2)为催化层,制备了具有催化和PV双功能的PFSA- PVA- SiO2 (Al2O3和TiO2 )/PVA/ PAN中空纤维复合膜.以乙酸-乙醇酯化反...     

耐溶剂聚酰亚胺膜渗透汽化分离有机溶剂的研究

文章制备了聚酰亚胺渗透汽化膜,并将其用于乙酸和N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)脱水。实验结果表明:聚酰亚胺渗透汽化膜能有效地从乙酸和DMAc中脱除水,对于含水量为2.20 wt%的乙酸水溶液,其渗透通量为27.7 g/(m2h),分离因子为3427,溶胀度为17.7%;对于含水量为6.63 wt%的DMAc水溶液,其渗透通量为4.50 g/(m2h),透过液中无DMAc,溶胀度为36.3%。同时,随着乙酸和DMAc水溶液温度的升高,其渗透通量均增大,在乙酸体系中分离因子减小。     

P123对聚醚砜纳米纤维膜结构和性能的影响

通过静电纺丝法制备了聚醚砜(PES)/聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物(P123,PEO₂₀PPO₇₀PEO₂₀,M_a=5800)纳米纤维膜,考察了P123含量对纺丝液的黏度和表面张力的影响,以及对所制备的纳米纤维膜的结构和性能的影响。实验结果表明:P123含量从3%(质量)增至9%时,其纺丝液的黏度由300 mPa·s增至1000 mPa·s,表面张力在36.5～37.8 mN·m^-1范围内;P123改性的PES纳米纤维直径约为360 nm,分布均匀,其表面也比较光滑,取向趋于一致;此外,该纳米纤维膜具有良好的机械性能和耐溶胀性能,较大的比表面积(>39 m²·g^-1),孔隙率,可用作催化剂载体。     

2～6 GHz 100 W高效率平衡式功率放大器的研制

为解决传统宽带大功率放大器工作效率低的问题,采用新型电阻电抗连续B/J类功放模式拓展晶体管高效率的输出负载阻抗空间,从而提高宽带功放的漏级输出效率。提出了一款基于0.25μm栅长的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的平衡式功放。该功放将LC匹配网络和切比雪夫阻抗变换器相结合实现GaN HEMT器件宽带输入输出阻抗匹配,并利用3 dB Lange耦合器实现宽带平衡式功率合成。在连续波测试条件下,该平衡式功放在2～6 GHz频带内输出功率大于100 W,漏极效率大于45%,功率增益大于9.0 dB,抗负载失配比优于5:1。     

LiBOB/PC电解液形成SEI膜的过程

利用电化学交流阻抗谱(EIS),结合充放电测试,研究了双草酸硼酸锂(LiBOB)/PC电解液在NG7石墨电极表面形成SEI膜的过程和对应的电位区间.LiBOB/PC在NG7石墨电极表面形成SEI膜是一个连续的过程,在电池的首次放电过程中,1.75 V(vs.Li/Li )放电平台对SEI膜的形成有重要的影响;首次放电至0.55 V左右,SEI膜基本形成;在0.20 V以下放电区间,SEI膜得到了较大程度的完善.