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基于SiC衬底成功研制X波段0.25um栅长带有г栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,对比T型栅结构器件,研究了г栅场板引入对器件直流、小信号及微波功率特性的影响.结果表明,г栅场板结构减小器件截止频率及振荡频率,但明显改善器件膝点电压和输出功率密度.针对场板长度分别为0.4、0.7、0.9、1.1 um,得出一定范围内增加场板长度,器件输出功率大幅度提高,并结合器件小信号模型提参结果分析原因.在频率8 GHz下,总栅宽1 mm,场板长度0.9um的器件,连续波输出功率密度7.11 W/mm,功率附加效率(PAE)35.31%,相应线性增益10.25 dB. 相似文献
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介绍一种基于国产氮化镓(GaN)外延材料的X波段300 W GaN高效率内匹配器件技术。该技术采用大栅宽芯片的大信号有源模型和封装管壳、键合引线、电容等无源模型,开展X波段300 W内匹配功率器件的设计。采用四胞匹配合成电路,使用L-C网络提升器件阻抗,通过λ/4阻抗变换网络进行阻抗变换和功率合成,实现阻抗50 Ω匹配,功率分配器和匹配电容使用高Q值陶瓷基片实现。仿真实验证明,该器件在9.5~10.5 GHz频率内输出功率大于300 W,功率增益大于9 dB,功率附加效率大于38.9%。同时研究了器件输出功率和功率附加效率随工作电压、脉冲宽度、占空比变化情况。 相似文献
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研究了一种基于国产SiC衬底的L波段GaN高效率内匹配器件。利用在片微波测试和直流测试相结合方法获得器件的小信号模型,外推得到大信号模型,并进行负载牵引方法验证。在此基础上设计两胞匹配电路,采用电感-电容匹配网络,器件阻抗提升到12Ω,利用改进型威尔金森功率分配器和功率合成器将阻抗由12Ω提升到50Ω,功率分配器和匹配电容使用高Q值陶瓷基片加工。研制的内匹配GaN HEMT器件在测试频率为1.20~1.32 GHz时,输出功率大于80 W,功率增益大于16.2 dB,最大功率附加效率达到72.1%。 相似文献
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报道了毫米波应用的采用SiN介质辅助工艺的0.15μm场板结构GaN HEMTs。器件研制中采用了MOCVD技术外延在3英寸SiC衬底上的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料采用了掺Fe缓冲层技术。器件栅脚和集成了场板的栅帽均由电子束刻写实现,并采用了栅挖槽技术用来控制器件的阈值电压。器件fT和fmax分别为39GHz和63GHz,24V电压、35GHz下的负载牵引测试结果显示0.15mm栅宽器件输出功率密度达到了4W/mm,对应的功率增益和功率附加效率分别为5dB和35%。该0.15μm GaN HEMTs技术满足Ka波段应用要求,可用于毫米波功率MMICs的研制。 相似文献
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报道了基于国产衬底以及国产外延的AlGaN/GaN HEMT X波段功率器件的研究进展.利用国产衬底以及外延材料,优化了器件栅场板的结构,研制成功栅长0.35μm,栅宽为lmm的微波功率器件.该器件输出电流密度达到0.83A/mm,击穿电压大于100V,跨导为236mS/mm,截止频率(fT)达到30GHz,最大振荡频率(fmax)为32GHz,8GHz下在片进行连续波测试,漏端电压为40V时测试得到功率增益4.9dB,输出功率达8W,功率附加效率(PAE)为45%. 相似文献
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8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制 总被引:2,自引:2,他引:0
报道了基于国产衬底以及国产外延的AlGaN/GaN HEMT X波段功率器件的研究进展.利用国产衬底以及外延材料,优化了器件栅场板的结构,研制成功栅长0.35μm,栅宽为lmm的微波功率器件.该器件输出电流密度达到0.83A/mm,击穿电压大于100V,跨导为236mS/mm,截止频率(fT)达到30GHz,最大振荡频率(fmax)为32GHz,8GHz下在片进行连续波测试,漏端电压为40V时测试得到功率增益4.9dB,输出功率达8W,功率附加效率(PAE)为45%. 相似文献
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基于自主研发的碳化硅(SiC)材料外延技术,优化了材料各层结构及参数,减小了Al记忆效应,最终得到了高质量SiC外延片。采用自主研发成熟的SiC MESFET工艺平台,制作了多凹栅器件结构,优化了凹槽尺寸,采用细栅制作技术完成了栅电极制作,最终得到了不同栅宽的SiC MESFET芯片。突破了大栅宽芯片流片、封装及大功率脉冲测试技术,研制成功了微波功率特性良好的MESFET器件。微波测试结果表明,在2 GHz脉冲条件下,0.25 mm栅宽器件,输出功率密度达到8.96 W/mm,功率附加效率达到30%。单胞20 mm大栅宽器件,3.4 GHz脉冲条件下,功率输出达到94 W,功率附加效率达到22.4%。 相似文献
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作为测试小管芯,所研制的小栅宽(0.5 mm)L波段SiC SIT器件,台面和栅凹槽线宽分别为1.0 μm和1.5 μm,源间距2.5 μm,采用凹栅结构、Al注入形成PN结等优化手段,提高了器件的击穿特性和微波特性.0.5 mm栅宽SiC SIT器件,输出功率通过负载牵引系统进行测试,在1.2 GHz CW、50 V... 相似文献