fT=140GHz,fmax=200GHz的超高速InP DHBT

InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点。通过优化外延材料结构设计和采用四元InGaAsP缓变层消除集电结电流阻塞效应;改进发射极-基极自对准工艺和集电区台面侧向腐蚀工艺,降低Rb和Cbc乘积;优化PI钝化工艺和空气桥互联等工艺,实现了发射极面积为2μm×10μm的自对准InP/InGaAs/InP DHBT器件,其直流增益β约为25,击穿电压BVCEO≥7 V@10μA,在VCE=4 V,Ic=10 mA下,截止频率fT=140 GHz,最高振荡频率fmax=200 GHz,优于同一外延片上的非自对准InP DHB器件,该器件将可应用于高速光通信和微波毫米波通信。     

基于启发式链搜索的频繁子电路提取算法

针对数字集成电路规律性提取时由根节点选择产生的组合爆炸问题,提出了一种通过提取链状频繁子电路来降低根节点的算法。建立了顺序相关边权值模型,实现了小规模链状频繁子电路的快速提取。利用门级电路中链状模板与其他形状模板的结构依赖性,逐级删除非频繁根节点,避免了对小规模频繁子电路的重复提取,提高了规则性提取的效率。实验结果表明,该算法能够有效解决根节点组合爆炸问题,使支持度高的候选子电路得到优先提取,并显著减少了规律性提取的时间。     

出乎意料的城市 以现代手法诠释传统的生活方式

社会日新月异的变化早已让忙碌的陌生的人们忘却了还有一份在庭院中共同品茶交谈的闲憩与交流,我们利用传统院落的特点和现代的手法再现昔日的生活方式。     

AlGaN PIN紫外探测器的结构及性能分析

AlGaN基光电探测器在军事高科技和民品市场通讯和成像方面具有很高的价值。分析了AlGaN p-i-n光电探测器的结构对性能的影响,深入阐述了．AlGaNp-i-n光电探测器制造与设计中所面临的深层次问题,并对其工艺和结构性能分析的基础上特别介绍了p-GaN／i-AlGaN／n-GaN结构,并对其结构进行了改进,得到了改进的SLS／AlGaN／GaN结构。     

Breakdown voltage and current collapse of F-plasma treated AIGaN/GaN HEMTs

The breakdown and the current collapse characteristics of high electron mobility transistors （HEMTs） with a low power F-plasma treatment process are investigated. With the increase of F-plasma treatment time, the saturation current decreases, and the threshold voltage shifts to the positive slightly. Through analysis of the Schottky characteristics of the devices with different F-plasma treatment times, it was found that an optimal F-plasma treatment time of 120 s obviously reduced the gate reverse leakage current and improved the breakdown voltage of the devices, but longer F-plasma treatment time than 120 s did not reduce gate reverse leakage current due to plasma damage. The current collapse characteristics of the HEMTs with F-plasma treatment were evaluated by dual pulse measurement at different bias voltages and no obvious deterioration of current collapse were found after low power F-plasma treatment.     

基于制造成品率模型的集成电路早期可靠性估计

缺陷是影响集成电路成品率与可靠性的主要因素.本文在区分缺陷与故障两个概念的基础上,将缺陷区分为成品率缺陷(硬故障)、可靠性缺陷(软故障)和良性缺陷.利用关键区域的面积,给出了一个缺陷成为"硬故障"或"软故障"的概率,给出了精度较高的IC成品率预测模型.利用成品率缺陷与可靠性缺陷之间的关系,给出了工艺线生产的产品的失效率与该工艺线制造成品率之间的定量关系.在工艺线稳定的条件下,通过该工艺线的制造成品率可以利用该关系式可以有效的估计出产品的失效率,可以有效地缩短了新产品的研发周期.     

槽栅MOSFET's的阈值电压解析模型

给出了槽栅MOSFET的阈值电压解析模型,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律.分析和对比结果显示,该模型较好地表征了小尺寸槽栅器件的阈值电压特性,是一个较为理想的解析模型     

集成电路局部缺陷模型及其相关的功能成品率分析

大规模集成电路（VLSI）使亚微米特征尺寸的大面积集成电路制造以及集成数百万个器件在一芯片上成为可能。然而,缺陷的存在致使电路版图的拓扑结构发生变化,产生IC电路连接错误,导致电路丧失功能,从而影响IC的成品率,特别是功能成品率。文章主要对缺陷的轮廓模型、空间分布模型和粒径分布模型作了介绍;对集成电路成品率的损失机理作了详细论述。最后,详细介绍了功能成品率的分析模型。     

凹槽深度与槽栅PMOSFET特性

基于能量输运模型对由凹槽深度改变引起的负结深的变化对深亚微米槽栅 PMOSFET性能的影响进行了分析 ,对所得结果从器件内部物理机制上进行了讨论 ,最后与由漏源结深变化导致的负结深的改变对器件特性的影响进行了对比 .研究结果表明随着负结深 (凹槽深度 )的增大 ,槽栅器件的阈值电压升高 ,亚阈斜率退化 ,漏极驱动能力减弱 ,器件短沟道效应的抑制更为有效 ,抗热载流子性能的提高较大 ,且器件的漏极驱动能力的退化要比改变结深小 .因此 ,改变槽深加大负结深更有利于器件性能的提高 .     

一个新的pMOSFET栅电流退化模型

研究了最大栅电流应力 (即 p MOSFET最坏退化情况 )下 p MOSFET栅电流的退化特性 .实验发现 ,在最大栅电流应力下 ,p MOSFET栅电流随应力时间会发生很大下降 ,而且在应力初期和应力末期栅电流的下降规律均会偏离公认的指数规律 .给出了所有这些现象的详细物理解释 ,并在此基础上提出了一种新的用于 p MOSFET寿命评估的栅电流退化模型