物联网发展中的安全风险及对策研究

分析了国内外物联网安全政策、技术、标准、产业等形势,重点强调了当前我国物联网发展中存在的安全风险,包括大连接环境下的设备风险、物联网网络本身安全风险以及物联网上承载的各类应用安全风险,提出了打造以密码为核心的物联网安全体系,加速新技术在物联网安全的应用,以新基建为契机建立物联网领域安全设备泛在化部署新体系,以多层次立体式理念确保物联网安全,呼吁供给侧需求侧建立安全协同新机制,共同促进物联网产业安全可持续发展。     

SiCOI制造技术

Si COI是一种新型的微电子 SOI材料 ,有望在高温、高频、大功率、抗辐射等电子学领域得到应用发展。本文介绍了近年来几种 Si COI技术的发展并作简要评价     

空心微球表面化学镀Ni薄膜的工艺研究

比较空心微球表面化学镀Ni薄膜的工艺.分别以Sn-Pd胶体溶液和[Ag(NH3)2]+溶液作为活化剂,将空心微球表面进行活化,再采用化学镀的方法分别在其上淀积金属Ni薄膜.使用扫描电子显微镜(SEM)、能量色散光谱(EDS)和X-射线衍射光谱(XRD)对两种工艺所镀Ni薄膜的表面微观结构和组分进行表征.结果表明:用Sn-Pd胶体溶液活化后的空心微球表面淀积了均匀、致密的金属Ni薄膜,该薄膜是由大小约100 nm的颗粒组成;而以[Ag(NH3)2]+溶液活化后的空心微球表面淀积的金属Ni薄膜,是由大小约1 μm的颗粒组成.并分析了这两种镀层形成的机理.     

M型铁氧体BaFeCoTiMnO微波吸收性能研究

采用共沉淀–熔盐法制备了M型铁氧体BaFe11.85-2xCoxTixMn0.15O19。运用TGA-DTA、XRD、SEM和矢量网络分析仪,对样品的晶化过程、相组成、显微形貌及微波吸收性能进行了表征。结果表明:Co2+、Ti4+固溶到铁氧体的晶格并取代Fe3+位,有助于提高铁氧体的电、磁损耗。当取代量x为1.2时,微波吸收最强,制得的样品的吸波频率在8.2～12.4 GHz范围内,tanδe、tanδμ的最大值分别为:9.0,6.8。     

视频会议中的多画面码流合成的研究与实现*

H.323视频会议系统中的多点控制单元(MCU)能在多点会议中提供音频、视频和数据流的集中处理。针对视频信息的处理需求,提出了一种实用的多画面码流合成策略,它具有计算复杂度低、处理速度快、延时小、不改变原有画面质量等特点。     

Synthesis and Luminescence Properties of Y3Al5O（12）：Eu^（3＋） Phosphors under Vacuum Ultraviolet Excitation

采用凝胶–燃烧法合成了掺Eu3＋的Y3Al5O12（YAG：Eu3＋）荧光粉。分别采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、发光光谱等测试手段分析了不同温度下煅烧所得粉体的物相、形貌与发光性质。XRD和SEM结果表明：YAG：Eu3＋的最低合成温度为900℃,并且在该反应过程中没有中间相YAP（YAlO3）和YAM（YAl）的产生。1 100℃合成的晶粒尺寸比较均匀,平均粒径在90 nm左右。发光光谱的测试表明：在592 nm监控下的真空紫外激发光谱由峰值位于147、156、169nm和214nm的系列激发带组成,其分别归属于铝酸根的基质吸收以及Y3＋和Eu3＋的电荷迁移带吸收。在147nm激发下YAG：Eu3＋荧光粉最强发射峰位于592nm处,属于Eu3＋的5D0→7F1跃迁。Eu3＋在基质中的最佳掺杂摩尔分数为4%。     

燃烧合成法制备N掺杂SiC粉体及其微波介电性能

采用燃烧合成法,以硅粉和炭黑为原料、固态氮化剂α-Si3N4为掺杂剂及聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,PTFE)为化学活性剂,制备N掺杂的β-SiC粉体吸收剂。通过X射线衍射分析和扫描电子显微镜对燃烧产物进行了表征。结果表明:PTFE含量为10wt%时,燃烧产物中β-SiC的纯度较高,具有较好的颗粒形貌。利用矢量网络分析仪测试了样品在8.2～12.4GHz频率范围的微波介电常数,10wt%PTFE样品显示了最大的介电常数实部ε′、虚部ε″和损耗角正切tanδ。     

零维纳米Fe2O3粉体的制备与吸波性能的研究

使用不同的化学共沉淀法制备零维纳米γ-Fe2O3和α-Fe2O3粉体,通过比表面测试、透射电镜(TEM)和X-射线衍射(XRD)分析其结构,并在10GHz的频率下测试了它们的微波吸收性能。结果表明：实验制备得到了零维纳米γ-Fe2O3和α-Fe2O3粉体,在10GHz的频率下γ-Fe2O3的微波吸收性能比α-Fe2O3要好。     

富碳β-SiC的燃烧法合成及微波介电性能

以硅粉和炭黑为原料,利用燃烧合成法,在0.1MPa 的N_2气氛下合成了β-SiC粉体.对其进行拉曼光谱和SEM表征,结果表明:合成的SiC为含有C反位缺陷C_(si)和石墨态sp~2C的富C β-SiC固溶体.添加剂聚四氟乙烯(PTFE)含量为10%时合成的SiC粉体为等轴状团聚颗粒,粒径约为0.2μm,随着PTFE添加量的增加,SiC粉体颗粒的平均粒径增大.在8.2～12.4 GHz频率范围对所合成SiC的介电常数进行测试,发现15%PTFE时合成的SiC粉体具有较好的介电常数实部ε'、虚部ε"和介电损耗tanδ,对其微波损耗机理进行了讨论.     

《龙供春》壶的艺术造型简述

《龙供春》壶,将龙与供春完美地结合在一起,造型精美古朴。壶身雕塑一条龙,龙尾则从壶身另一侧摆出,仿若是龙身藏于云雾之中,壶嘴与壶把均由树枝雕琢而成,老味十足。