| IC制造中真实缺陷轮廓模型的比较 |
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| 引用本文： | 姜晓鸿,郝跃,许冬岗,徐国华.IC制造中真实缺陷轮廓模型的比较[J].电子与信息学报,1998,20(2):206-212. |
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| 作者姓名： | 姜晓鸿 郝跃 许冬岗 徐国华 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所，西安电子科技大学微电子研究所，西安电子科技大学微电子研究所，西安电子科技大学微电子研究所 西安 710071，西安 710071，西安 710071，西安 710071 |
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| 摘 要： | 本文对现有的IC制造中真实缺陷轮廓的建模方法进行了比较,得到了一些有意义的结果。该结果为进行有效的集成电路(IC)成品率预报及故障分析提供了有益的借鉴。
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| 关 键 词： | IC缺陷 IC缺陷模型 IC故障 局部等效圆形缺陷 |
| 收稿时间： | 1996-12-30 |
| 修稿时间： | 1997-8-11 |
COMPARISON OF MODELS OF REAL DEFECT OUTLINES IN THE IC MANUFACTURING PROCESS |
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| Jiang Xiaohong,Hao Yue,Xu Donggang,Xu Guohua.COMPARISON OF MODELS OF REAL DEFECT OUTLINES IN THE IC MANUFACTURING PROCESS[J].Journal of Electronics & Information Technology,1998,20(2):206-212. |
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| Authors: | Jiang Xiaohong Hao Yue Xu Donggang Xu Guohua |
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| Affiliation: | Xidian University Xi'an 710071 |
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| Abstract: | The approaches to model the real defect outlines in the IC manufacturing process are compared and some useful conclusions are obtained. The results obtained in this paper will be helpful for yield prediction and fault analysis of IC. |
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| Keywords: | IC defect Defect model Fault-probability Local equivalent circular defect |
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