一种低工艺敏感度,高PSRR带隙基准源

实现了一种高精度带隙基准源,该基准源在预调节电路中应用了电源行波减法技术,显著改善了输出电压的电源抑制比。提出了采用电流负反馈技术稳定预调节电路电流的方法,降低了带隙基准的温度特性和电源抑制比对阈值电压的敏感度。考虑晶体管阈值电压发生±20%变化的情况下,仿真得到的基准源的温度系数和电源抑制比变化分别只有0.11ppm和7dB。测试结果表明,该基准源在-20～100℃的范围内的有效温度系数为25.7ppm/℃,低频电源抑制比为-68dB。其功耗为0.5mW,采用中芯国际0.35μm5-V混合信号CMOS工艺实现,有效芯片面积为300μm×200μm。     

一种新颖的高压带隙电压基准源

设计了一种新颖的高压带隙电压基准源。相对于传统高压基准产生电路,通过采用电阻二次分压技术,并将带隙基准核心电路置于内部校准电压下工作,实现了高精度,高PSRR的基准输出,可以作为高压芯片内部基准源。整个电路采用TSMC 0.6μm 15V BCD工艺实现,利用Cadence Spectre进行仿真,仿真结果显示,该电路所产生的高压基准具有低温度系数和高电源抑制比。     

一种用于音频Σ-ΔA/D转换器的CMOS带隙电压基准源

在传统带隙基准电压源电路结构的基础上,通过在运放中引入增益提高级,实现了一种用于音频Σ-ΔA/D转换器的CMOS带隙电压基准源。在一阶温度补偿下实现了较高的电源抑制比(PSRR)和较低的温度系数。该电路采用SIMC 0.18-μm CMOS工艺实现。利用Cadence/Spectre仿真器进行仿真,结果表明,在1.8 V电源电压下,-40～125℃范围内,温度系数为9.699 ppm/℃;在27℃下,10 Hz时电源抑制比为90.2 dB,20 kHz时为74.97 dB。     

一种高电源抑制比、高阶温度补偿CMOS带隙基准源

本文提出一种高电源抑制比、高阶温度补偿CMOS带隙基准电压源。该基准源的核心电路结构由传统的Brokaw带隙基准源和一个减法器构成。文中采用第二个运放产生一个负温度系数的电流来增强曲率补偿,同时把该负温度系数电流与核心基准源电路产生的正温度系数电流求和得到一个与温度无关的电流给运放提供偏置电流。该电路采用0.35umCMOS工艺实现,仿真结果表明PSRR在1kHz时达到88dB,-40-125℃的范围内温度系数为1.03ppm/℃。     

A sub‐1V supply CMOS voltage reference generator

An integrated sub‐1V voltage reference generator, designed in standard 90‐nm CMOS technology, is presented in this paper. The proposed voltage reference circuit consists of a conventional bandgap core based on the use of p‐n‐p substrate vertical bipolar devices and a voltage‐to‐current converter. The former produces a current with a positive temperature coefficient (TC), whereas the latter translates the emitter‐base voltage of the core p‐n‐p bipolar device to a current with a negative TC. The circuit includes two operational amplifiers with a rail‐to‐rail output stage for enabling stable and robust operation overall process and supply voltage variations while it employs a total resistance of less than 600 K Ω. Detailed analysis is presented to demonstrate that the proposed circuit technique enables die area reduction. The presented voltage reference generator exhibits a PSRR of 52.78 dB and a TC of 23.66ppm/^°C in the range of ? 40 and 125^°C at the typical corner case at 1 V. The output reference voltage of 510 mV achieves a total absolute variation of ± 3.3% overall process and supply voltage variations and a total standard deviation, σ, of 4.5 mV, respectively, in the temperature range of ? 36 and 125^°C. Copyright © 2011 John Wiley & Sons, Ltd.     

低温漂高PSRR新型带隙基准电压源的研制

利用带隙电压基准的基本原理,结合自偏置共源共栅电流镜以及适当的启动电路,设计了一种新型基准电压源。获得了一个低温度系数、高电源抑制比的电压基准。通过对输出端添加运算放大器,把带隙基准电路产生的1.2 V电压提高到3.5 V,提高了芯片性能。用Cadence软件和CSMC的0.5μm CMOS工艺进行了仿真,结果表明,当温度在-20～+120℃,温度系数为9.3×10-6/℃,直流时的电源抑制比为-82 dB。该基准电压源能够满足开关电源管理芯片的使用要求,并取得了较好的效果。     

一种高电源抑制比带隙基准源的设计

带隙基准源是LDO中的重要模块,其性能的好坏直接影响到LDO整个系统的性能,为此本文针对以上问题进行相关研究,设计一种具有较高的PSRR和较低的稳定输出电压的带隙基准电压源。文中结合工程实际的要求设计了一款具有高的电源抑制比（PSRR）、低的输出基准电压的带隙基准电压源。本设计采用SMIC公司的0.18μm工艺进行仿真,Hspice的仿真结果表明该基准源在电源抑制比（PSRR）、温度特性等方面有良好的性能。     

一种新型CMOS带隙基准电压源

传统带隙基准源电路采用PNP型三极管来产生ΔVbe,此结构使运放输入失调电压直接影响输出电压的精度。文章在对传统CMOS带隙电压基准源电路原理的分析基础上,提出了一种综合了一阶温度补偿和双极型带隙基准电路结构优点的高性能带隙基准电压源。采用NPN型三极管产生ΔVbe,消除了运放失调电压影响。该电路结构简洁,电源抑制比高。整个电路采用SMIC 0.18μmCMOS工艺实现。通过Cadence模拟软件进行仿真,带隙基准的输出电压为1.24V,在-40℃~120℃温度范围内其温度系数为30×10-6/℃,电源抑制比(PSRR)为-88 dB,电压拉偏特性为31.2×10-6/V。     

一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源

基于SMIC0.35μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路中的关键电阻设置为可调电阻,从而可以改变正温度电压的系数,以适应不同工艺下负温度系数的变化,最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明:在27℃下,10 Hz时电源抑制比(PSRR)-109 dB,10 kHz时(PSRR)达到-64 dB;在4 V电源电压下,在-40～80℃范围内的不同工艺角下,温度系数均可达到5.6×10-6V/℃以下。     

一种二阶曲率补偿带隙基准电压源

利用CMOS工艺中Poly电阻和N-well电阻温度系数的不同,设计了一种输出可调的二阶曲率补偿带隙基准电压源.采用Chartered 0.35μm CMOS工艺模型,使用Cadence工具对电路进行了仿真,结果表明电路在电源电压为1.8V时可正常工作,当其在1.8～3V范围内变化时,基准电压变化仅有3.8mV;工作电压为2V时,输出基准电压在-40°C到80°C的温度范围内温度系数为1.6ppm/°C,工作电流为24μA,低频下的电源抑制比为-47dB.该带隙基准电压源的设计可以满足低温漂、高稳定性、低电源电压以及低功耗的要求.