一种三端可调电压基准设计

文章提出了一种基于传统带隙基准电压源,具有良好热稳定性的三端可调分流电压片外基准源,利用内部2.5V的基准电压,使用分压电阻对输出形成深度负反馈,使输出电压可以稳定在2.5V～30V宽范围内调节。用4μm 45V Bipolar工艺,利用Cadence Spectre工具来仿真,在宽范围负载电流条件下,输出电压连续可调,并且具有很好的温度特性。     

多管组合曲率补偿低压带隙基准源

A new bandgap reference(BGR) curvature compensation technology is proposed,which is a kind of multiple transistor combination.On the basis of the existing first-order bandgap reference technology,a compensation current circuit consisting of a sink current branch and a source current branch is added.The BGR was designed and simulated by using Semiconductor Manufacturing International Corporation(SMIC) 0.18μm CMOS process.The simulation results showed that when the power supply voltage was 1 V,the temperature coefficient of the BGR was 2.08 ppm/℃with the temperature range from—40 to 125℃,the power supply rejection ratio (PSRR) was—64.77 dB and the linear regulation was 0.44 mV/V with the supply power changing from 0.85 to 1.8 V.     

关于ADC测试平台的探讨

介绍了ADC动态指标测试的常用方法和测试平台的基本组成,着重分析了对ADC性能测试时,输入采样时钟抖动对ADC动态性能的影响。同时还对测试信号频率和幅度的选择以及供电电源的指标与ADC动态的关系进行了详细分析。ADC测试平台的研究,对于ADC板卡设计及动态性能测试有一定的指导意义。     

一种低温度系数带隙基准电压源

描述了一个具有高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路。基于1阶零温度系数点可调节的结构,通过对不同零温度系数点带隙电压的转换实现低温度系数,并采用了电源波动抑制电路。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,经过Cadence Spectre仿真验证,在-20℃～100℃温度范围内,电压变化范围小于0.5mV,温度系数不超过7×10-6/℃。低频下的电源抑制比为-107dB,在10kHz下,电源抑制比可达到-90dB。整个电路在供电电压大于2.3V时可以实现正常启动,在3.3V电源供电下,电路的功耗约为1.05mW。     

基于温度补偿的无运放低压带隙基准源设计

设计了一种带温度补偿的无运放低压带隙基准电路。提出了同时产生带隙基准电压源和基准电流源的技术,通过改进带隙基准电路中的带隙负载结构以及基准核心电路,基准电压和基准电流可以分别进行温度补偿。在0.5μmCMOS N阱工艺条件下,采用spectre进行模拟验证。仿真结果表明,在3.3V条件下,在-20～100℃范围内,带隙基准电压源和基准电流源的温度系数分别为35.6ppm/℃和37.8ppm/℃,直流时的电源抑制比为-68dB,基准源电路的供电电压范围为2.2～4.5V。     

一种多输出的快速高电源抑制比带隙基准

设计并实现了一种简单的、多输出的带隙基准电路,利用pnp型双极型晶体管作为射极跟随器驱动带隙基准,工作电流由与绝对温度成正比的电流源提供,并且设计了启动电路.基于CSMC 0.5μm工艺对电路进行了优化,仿真表明在全温度范围内基准电压变化2.72 mV,低频电源抑制比高于-100 dB,输出建立时间10μs;对降压型DC-DC电源芯片的直流和交流测试表明,基准工作稳定可靠.     

一种输出可调CMOS带隙基准电压源的设计

传统设计中平衡温度时的带隙基准电压值是与工艺相关联的定值.主要基于通用的带隙技术讨论在CMOS工艺中基准产生的设计,在对基准产生原理与传统电路结构分析的基础上,设计出一种高PSRR输出可调带隙基准电压源.电路综合温度补偿、电流反馈和电阻分压技术,采用CSMC 0.5 tim CMOS混合信号工艺实现,并用Cadence的Spectre进行了仿真优化.仿真结果表明,带隙基准电压源在-15～80℃范围内输出为603.5 mV时的温度系数为6.84 × 10-6/℃,在1.8～5 V电路均可正常工作.流片后的测试结果验证了该方法的可行性,基准电压中心值可宽范围调整,各项性能参数满足设计要求.     

双极型高精度大负载电流集成电压基准源设计

设计并实现了一种基于双极型工艺的2.5V高精度大负载电流集成基准电压源电路,通过对传统带隙基准电路的改进,设计中增加了电源电压分配电路、电流反馈电路和大电流驱动电路,实现高精度大负载电流的目标.通过Cadence软件平台下的Spectre仿真器对电路的温度系数、负载调整率、噪声、交流电源纹波抑制比、负载电流、启动时间等电参数进行仿真验证,得到了初始精度±0.5%,在-40～85℃范围内温度系数小于6×10-6/℃,负载电流0～50 mA,电源电压4.5～36 V,输出为2.5 V的集成电压基准源电路.该电路采用6 μm/36 VK极型工艺生产制造,芯片面积为1.7 mm×2.1 mm,具有过热保护、过流保护和反接保护功能.     

一种新型高精度曲率补偿CMOS带隙基准源

本文提出了一种兼容标准CMOS工艺的高阶曲率补偿带隙基准源。通过利用电压电流转换器和基区-发射区间PN结的电压电流特性,获得正比于VTln(T)的补偿量,从而实现基准源高阶温度补偿。基于CSMC 0.5-μm CMOS工艺进行流片验证,实验结果表明该基准在3.6V电源电压下可以达到3.9 ppm/℃的温度系数,高达72 dB的电源抑制比,并且优于0.304mV/V的线性调整率。电路最大仅消耗42 μA供电电流。     

一种采用全温度曲率补偿的2.2-V 2.9-ppm/℃ BiCMOS带隙基准源

本文提出了一种兼容标准BiCMOS工艺的高阶曲率补偿带隙基准源。通过简单的架构产生了一种新型的指数曲率补偿和分段曲率补偿,从而实现了全温度范围内的温度补偿。基于0.6-μm BCD工艺进行验证,实验结果表明该基准在3.6V电源电压下可以达到2.9 ppm/℃的温度系数,高达85 dB的电源抑制比,并且优于0.318mV/V的线性调整率。电路最大仅消耗45 μA供电电流。带隙基准源的有效面积为260×240 μm2。