一种具有高PSRR的分段温度补偿带隙基准

基于华虹0.18μm BCD工艺,设计了一种具有高PSRR的分段温度补偿带隙基准。电路采用5 V电源进行供电,基准输出电压为1.256 V。仿真结果表明,在-45～125℃的温度范围内,TT工艺角下,传统结构的温漂系数只能达到2.048×10^-5/℃。采用新型分段温度补偿的带隙基准的温漂系数为3.631×10^-6/℃,相比传统结构,温度系数降低了82.3%。静态功耗为220μW。PSRR在低频可达到-102 dB,在350 kHz处有最差PSRR,但仍有-30 dB。该带隙基准适用于高精度、大电流开关电源的模拟集成电路。     

一种新型的nA量级CMOS基准电流源

设计了一种新型的、不随电源电压变化的、温度系数很小的nA量级CMOS基准电流源,并分析了该电路的工作原理。该基准电流源不需要使用电阻,大大节省了芯片的面积。基于TSMC 0.18μmCMOS厚栅工艺,使用Spectre对电路进行了仿真。仿真结果表明,在输出基准电流为46 nA的情况下,该电路的温度系数为24.33 ppm/℃,输出电流变化率仅为0.028 9%/V,电源抑制比(PSRR)最高可达-85 dB,电路消耗的电流小于200 nA。     

一种二阶补偿带隙基准设计

基于分段补偿原理和MOS管的漏极电流是过驱动电压的平方关系函数,提出了一种新颖的二阶补偿结构,仅引入一股与温度成平方关系的电流,既补偿了低温阶段的基准电压,又补偿了高温阶段的基准电压,大大提高了基准电压源随温度变化的稳定性。采用0.5μm BCD工艺对电路进行仿真,结果表明,输出电压为1.24 V,温度范围在-35℃～135℃时,温度系数为2.82 ppm/℃;在低频时,电源抑制比达到了75.6 dB。     

一种带曲率补偿的CMOS带隙基准源

设计了一种基于UMC 0.25μm BCD工艺的带隙基准电路。采用放大器钳位的传统实现方式,运用自偏置启动电路,鉴于对温漂的要求选用了二阶补偿电路。HSPICE仿真结果显示:在5.0 V供电电压下,温度在–40~+125℃变化时,基准输出1.196 2 V,波动范围为1.195 9~1.196 3 V,温度系数为3.76×10–6/℃;电源电压从2.5 V到5.0 V变化时,基准输出电压VREF的线性调整率为0.38%,低频时电路的电源抑制比(PSRR)为–83 d B。     

一种无电阻高电源抑制比的CMOS带隙基准源

提出一种输出低于1V的、无电阻高电源抑制比的CMOS带隙基准源(BGR).该电路适用于片上电源转换器.用HJTC0.18μm CMOS工艺设计并流片实现了该带隙基准源,芯片面积(不包括pad和静电保护电路)为0.031mm2.测试结果表明,采用前调制器结构,带隙基准源电路的输出在100Hz与lkHz处分别获得了-70与-62dB的高电源抑制比.电路输出一个0.5582V的稳定参考电压,当温度在0～85℃范围内变化时,输出电压的变化仅为1.5mV.电源电压VDD在2.4～4V范围内变化时,带隙基准输出电压的变化不超过2mV.     

一种带输出缓冲的低温度系数带隙基准电路

基于TSMC 0.18μm标准CMOS标准工艺,提出了一种低温度系数,宽温度范围的带隙基准电压电路,该电路具有高电源抑制比,启动快及宽电源电压工作区域的优点,由于具备输出缓冲,可提供较低的输出阻抗及较高的电流负载能力.电路在-40℃到 110℃的温度变化范围内,基准电压为2.302 0 V±0.001 5 V,温度系数仅为7.25×10-6/℃(-40℃到 110℃时),PSRR为64 dB(11 kHz处),电源电压变化范围为1.6～4.3 V,输出噪声为5.018μV/平方根Hz(1 kHz处).     

曲率补偿基准源设计及其电源噪声抑制分析

基于传统基准源的研究和分析,利用低压差调整器的原理和结构,通过插入失调电压对基准进行曲率补偿,得到一种新型曲率补偿CMOS带隙基准电压源.对基准源的低频电源噪声抑制和系统稳定性进行了推导和分析.测试结果表明,在20～100 ℃的温度范围内,基准电压在1.31235～1.31241 V,温度系数约为1 ppm/℃,低频下PSRR提高到90 dB;电路功耗为2.18 mW,版图面积为0.09 mm2.     

一种CMOS带隙基准电压源设计

为了满足IC设计中对基准电源低功耗、低温度系数、高电源抑制比的要求,设计一种带隙基准电压源电路.在对传统带隙基准结构分析的基础上,该电路重点改善基准源中运算放大器的性能,采用台积电0.35μm CMOS工艺库设计并绘制版图.仿真结果表明,温度在0～100℃之间变化时,该电路输出电压的温度系数小于10 ppm/℃,并且具有低功耗、高电源抑制比的特性.     

电子镇流器控制器中带隙基准源的设计与实现

根据电子镇流器控制器对基准电源的设计要求,利用不同电流密度下两晶体管基极-发射极电压差的正温度特性,通过镜像电流源方式产生PTAT(proportional to absolute temperature)电流,再结合基极-发射极电压本身的负温度特性产生的电流,形成带隙基准电流源.仿真结果表明,该基准源的性能指标能满足系统设计的要求.     

改善放大器电路电源抑制比的方法

在实际应用电路时,噪声及波动经常不知不觉会引入到供电电压中,从而影响输出端电压。为使电路稳定,需消除或抑制所产生的噪声。文中讨论了3种改善放大器电路电源抑制比（PSRR）的方法：共源共栅方法、反馈技术、设计附加的能够减小电源对输出端电压增益影响的电路。通过3种技术的仿真数据输对比,其能维持较高的增益值,对有级联放大器的...