A novel precision curvature-compensated bandgap reference

A high precision high-order curvature-compensated bandgap reference compatible with the standard CMOS process, which uses a compensation proportional to V_TlnT realized by utilizing voltage to current converters and the voltage current characteristics of a base-emitter junction, is presented. Experiment results of the proposed bandgap reference implemented with the CSMC 0.5-μm CMOS process demonstrate that a temperature coefficient of 3.9 ppm/℃ is realized at 3.6 V power supply, a power supply rejection ratio of 72 dB is achieved, and the line regulation is better than 0.304 mV/V dissipating a maximum supply current of 42μA.     

一种高电源抑制比的LDO电路的设计

电源抑制比（PSRR）反映的是电路对电源噪声的敏感程度,在电源管理电路中是极为重要的性能指标。总是希望有高的电源抑制比来抑制电源噪声对电路的影响。低压差线性稳压（LDO）电路中这个指标尤为重要,本文将设计一款具有高电源抑制比的低压差线性稳压器。     

一种可修调的高精度低温漂带隙基准电压源

设计了一种可修调的高精度、低温漂、高电源电压抑制比的高阶温度补偿带隙基准电压源。在Brokaw型带隙基准电路结构的基础上,采用多晶硅电阻负温度系数补偿技术,可实现2阶曲率温度补偿,减小了基准电压的温漂;设计了电阻修调网络,保证了基准电压的高精度。电路基于标准双极工艺进行设计和制造,测试结果表明:在－55 ℃~125 ℃温度范围内,15 V电源电压下,基准源输出电压为2.5(1±0.24%) V,温度系数为1.2×10－5/℃,低频时的电源电压抑制比为－102 dB,静态电流为1 mA,重载时输出电流能力为10 mA。     

一种新型的低功耗指数补偿带隙基准

基于0.18 μm BCD工艺,设计了一种新型的低功耗指数补偿带隙基准。对高温段进行指数补偿,降低温漂;利用预稳压技术,引入负反馈环路以提高基准的电源电压抑制比。经过HSPICE仿真验证,基准输出电压为1.233 V,-15 ℃~145 ℃温度范围内的温度系数为3×10-6/℃;低频时电源电压抑制比为-94 dB,供电电压在2.8~5 V变化时,基准输出电压的线性调整率仅为0.000 5%,当供电电源为2.8 V时,整体静态电流仅为3.8 μA。     

低功耗高抗噪性差分基准电压源的设计

提出了一种新颖的差分放大器拓扑结构,适用于单片集成模数转换器中的差分电压基准源.该结构经过电压、电流两级放大,实现了高开环增益和大电流驱动能力.本设计在德国XFAB公司的0.35 μm CMOS工艺上实现,芯片实测结果为:在3.3 V电源电压下,该基准源的抗噪性为120 dB@80 MHz,增益误差小于2 mV,功耗仅为1.1 mW,具有低功耗、高精度和高抗噪性能.     

一种高精度高电源抑制的CMOS带隙基准

本文介绍了一种高精度高电源抑制的CMOS带隙电压基准,电源电压3V.该电路的实现是基于0.6um 5V的CMOS工艺.为了达到较高的精度和电源抑制比,电路中采用了一个PMOS电流源做调整管,以保证基准核的电流恒定.仿真结果表明,该基准电路在低频下的电源抑制比可达到-88dB,温度变化范围从-40℃至120℃.时,温度系数只有3.5ppm,输出电压误差为0.65mV.     

一种高性能CMOS带隙电压基准源设计

本文在对传统CMOS带隙电压基准电路的分析上,综合一阶温度补偿,电流反馈和电阻二次分压的技术整个电路采用CHARTER 0.35um CMOS工艺实现,采用MentorGraphics的Eldo工具进行仿真,结果表明该电路具有低温度系数和高电源抑制比.     

一种低压低温漂的CMOS带隙基准源

基于标准0.35umCMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,与传统采用PTAT电压作为温度曲率校正电压相比,获得了一个电路结构简单,性能更好的带隙基准源。使用Hspice进行仿真,仿真结果表明电路可以在-20-100℃范围内,平均温度系数约2ppm/℃,工作电压为1V左右,获得了一个高性能的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。     

一种改进型BiCMOS带隙基准源的仿真设计

依据带隙基准原理,设计了一种基于90 nm BiCMOS工艺的改进型带隙基准源电路.该电路设置运算跨导放大器以实现低压工作,用共源-共栅MOS管提高电路的电源抑制比,并加设了新颖的启动电路.HSPICE仿真结果表明,在低于1.1 V的电源电压下,所设计的电路能稳定地工作,输出稳定的基准电压约为610 mV;在电源电压V_(DD)为1.2 v、温度27℃、频率为10 kHz以下时,电源噪声抑制比约为-45 dB;当温度为-40～120℃时,电路的温度系数约为11 × 10~(-6)℃,因此该基准源具有低工作电压、高电源抑制比、低温度系数等性能优势.     

THD改善的D类音频功放

提出了一种双环反馈拓扑结构的D类音频功放.通过对基于脉冲宽度调制的D类功放反馈系统的分析,指出环路参数对总谐波失真THD和电源抑制比PSRR等性能有着重要的影响,讨论了如何通过参数优化来改善一阶单环反馈D类功放的THD指标.在此基础上提出了一种双环反馈拓扑结构,通过数学分析显示该二阶闭环系统的THD指标能得到更进一步地改善.测试结果显示,双环结构D类功放的THD较单环得到了7倍的改善.