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1.
在传统带隙基准电压源电路结构的基础上,通过在运放中引入增益提高级,实现了一种用于音频Σ-ΔA/D转换器的CMOS带隙电压基准源。在一阶温度补偿下实现了较高的电源抑制比(PSRR)和较低的温度系数。该电路采用SIMC 0.18-μm CMOS工艺实现。利用Cadence/Spectre仿真器进行仿真,结果表明,在1.8 V电源电压下,-40~125℃范围内,温度系数为9.699 ppm/℃;在27℃下,10 Hz时电源抑制比为90.2 dB,20 kHz时为74.97 dB。  相似文献   
2.
该文介绍在单片机最小系统基础上,设计了光电检测系统。该检测系统外围电路主要有指示二极管、发光二极管、光敏三极管组成。该文利用软硬件相结合的方法进行设计。为了验证设计的可行性,在设计中利用Protues进行仿真分析,仿真结果显示电路结构正确,达到设计的目的。  相似文献   
3.
唐繁  张吉左 《数字社区&智能家居》2014,(19):4586-4588,4604
该文介绍在单片机最小系统基础上,设计了光电检测系统。该检测系统外围电路主要有指示二极管、发光二极管、光敏三极管组成。该文利用软硬件相结合的方法进行设计。为了验证设计的可行性,在设计中利用Protues进行仿真分析,仿真结果显示电路结构正确,达到设计的目的。  相似文献   
4.
片上系统射频功率放大器是射频前端的重要单元.通过分析和对比各类功率放大器的特点,电路采用SMIC0.35-μm CMOS工艺设计2.4 GHz WLAN全集成线性功率放大器.论文中设计的功率放大器采用不同结构的两级放大,驱动级采用共源共栅A类结构组成,输出级采用共源级大MOSFET管组成.电路采用SMIC 0.35-μ...  相似文献   
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