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11.
本文系统描述了全耗尽短沟道LDD/LDSSOIMOSFET器件模型的电压电压特性。该模型扩展了我们原有的薄膜全耗尽SOIMOSFET模型,文中着重分析了器件进入饱和区后出现的沟道长度调制效应,及由于LDD/LDS区的存在对本征MOS器件电流特性的影响。 相似文献
12.
就热载流于效应、软失效、体效应及寄生电容等问题将薄膜全耗尽CMOS/SOI器件与体硅CMOS器件的进行比较。并阐述薄膜全耗尽CMOS/SOI技术是低压低功耗集成电路的理想技术。 相似文献
13.
报道了用新的正向栅控二极管技术分离热载流子应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱和界面电荷的理论和实验研究.理论分析表明:由于正向栅控二极管界面态R-G电流峰的特征,该峰的幅度正比于热载流子应力诱生的界面陷阱的大小,而该峰的位置的移动正比于热载流子应力诱生的界面电荷密度. 实验结果表明:前沟道的热载流子应力在前栅界面不仅诱生相当数量的界面陷阱,同样产生出很大的界面电荷.对于逐渐上升的累积应力时间,抽取出来的诱生界面陷阱和界面电荷密度呈相近似的幂指数方式增加,指数分别为为0.7 和0.85. 相似文献
14.
15.
适于低压低功耗工作的SOI栅控混合管(GCHT)的实验研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文讨论了SOI栅控混合管(GCHT)的设计及制备.对这种器件的物理机制进行了实验验证,得到结论:GCHT漏端电流在栅压较高时趋向于双极电流,而不如文献[4]中报道是MOS电流.实验结果表明,这种混合管具有比纯MOSFET约高6.5倍,比纳BJT约高1.7倍的驱动能力,最高电流增益可达10000,最小亚阈摆幅可达66mV/dec,导通电压比纯BJT约低0.3V,比纯MOSFET约低0.7V由GCHT组成的反相器在Vdd=0.8V仍具有良好的直流传输特性.因此GCHT在低压低功耗应用领域中极具潜力,同时也将适于模拟电路方面的应用. 相似文献
16.
本文在分析薄膜全耗尽SOI器件特殊物理效应的基础上,建立了可细致处理饱和区工作特性的准二维电流模型。该模型包括了场效应载流子迁移率,速度饱和以及短沟道效应等物理效应,可以描述薄膜全耗尽SOI器件所特有的膜厚效应,正背栅耦合(背栅效应)等对器件件特性的影响。并且保证了电流,电导及其导数在饱和点的连续性。将模型模拟计算结果与二维器件数值模拟结果进行了对比,在整个工作区域(不考虑载流子碰撞离化的情况下) 相似文献
17.
19.
20.
以设计低电压LNA电路为目的,提出了一种采用关态MOSFET中和共源放大器输入级栅漏寄生电容Cgd的CMOS差分低噪声放大器结构.基于该技术,采用0.35μmCMOS工艺设计了一种工作在5.8GHz的低噪声放大器.结果表明,在考虑了各种寄生效应的情况下,该低噪声放大器可以在0.75V的电源电压下工作,其功耗仅为2.45mW.在5.8GHz工作频率下:该放大器的噪声系数为2.9dB,正向增益S21为5.8dB,反向隔离度S12为-30dB,S11为-13.5dB. 相似文献