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2012年 | 1篇 |
2011年 | 1篇 |
2010年 | 1篇 |
2009年 | 1篇 |
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全耗尽SOI nMOSFET的浮体效应物理模型 总被引:1,自引:0,他引:1
本文提出了一个短沟道、包含寄生双极晶体管效应的物理解析模型来分析薄膜SOInMOSFET强反型电流下的浮体效应,该模型通过研究各种寄生电流成分对源漏电流和浮体电位的贡献,以及浮体电位的变化对器件其他参数如阈值电压和寄生寄生双极电流各成分的影响,成功地解释了器件处于背界面积累状态时的“Kink”现象和器件的异常击穿机理.本模型模拟结果从不同偏置电压、不同器件尺寸几方面较好地拟合了实验曲线,同时还得到结论,器件处于背面积累状态时由于碰撞离化作用产生的空穴的源端堆积使浮体电位升高导致器件的阈值电压突然降低,因而 相似文献
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技术进步和市场需求促使VLSI从集成电路技术不断向微系统技术发展。本文将从微系统的一个分支--硅微电子机械系统方面介绍和讨论有关这种发展的一些问题。 相似文献
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ULSI相移光刻技术* 总被引:2,自引:0,他引:2
相移掩模光刻技术,是近几年来为了开发超大规模集成电路(ULSI)而发展起来的一种新颖光刻技术。它应用了光学相移掩模方法,大大提高了现有光学光刻设备的分辨率水平。本文综述了相移光刻技术的发展及其在ULSI中的应用。 相似文献
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本文提出适用于短沟道薄膜全耗尽SOI器件的大信号电容模型。该模型除考虑了SOI短沟道器件中出现的速度饱和效应、DIBL效应及源漏耗尽层电荷分享效应外,还包括了SOI器件中特有的膜厚效应、正背栅耦合效应等对电容特性的影响。通过与体硅器件的二维模拟和实测电容特性以及已报道的薄膜SOI器件电容模型相比较可知,本文模型可较好地描述短沟道SOI器件的电容特性。另外,所建电容模型形式简洁,参数提取方便,因而可做为薄膜全耗尽SOI器件大信号电容模型移植到电路模拟程序(如SPICE)之中。 相似文献