通用薄膜双栅SOI MOSFET电流模型

本文利用薄膜双栅ＳＯＩ器件在阈值电压附近硅膜中的常电位近似，得到一个通用的薄膜双栅ＳＯＩ器件电流模型．数值模拟结果与实验值吻合较好．文中特别对其它模型所不适用的正背栅具有不同参数的双栅ＳＯＩ器件进行了源漏电流的模拟，并对结果进行了分析．     

氮离子注入对GaAs肖特基势垒性能影响的研究

本文利用离子注入方法,用不同剂量的氮离子对GaAs衬底进行注入实验。结果表明,氮注入明显地改善了Ti/n-GaAs肖特基势垒特性。     

可用于GaAlAs／GaAs异质结发光器件应力设计的应力分布计算方法

基于作者提出的改进应力分布力学模型得到了计算半导体异质结多层结构应力分布的公式．针对带缓冲层ＧａＡｌＡｓ可见光激光器计算得到的有源层应力可以很好地解释Ｓｈｉｍｉｚｕ等有关器件寿命的实验结果．分析并指出了一些文献中处理半导体异质结多层结构应力问题的不合理之处．     

建设产前技术研发联盟,自主创新,增强核心竞争力

从经济学观点讲，一个国家的经济发展阶段大致可以分为人均GDP〈1000美元，≌3000美元和≥10000美元三个阶段。当人均GDP小于1000美元时是处于贫困的阶段，在这个阶段中，工业的形态是比较落后的，现代制造业也主要以装配业为主。我国已于2003年达到了1090美元，脱离了贫困阶段，步入了一个新的发展期。人均GDP达到或超过3000美元，经济将进入高速发展期，被认为是国家进入现代化的门槛。而达到10000美元，则可以认为进入中等发达国家行列。我们的奋斗目标就是在2020年人均GDP达到3000美元，进入小康设会，而在21世纪中叶则要达到中等发达国家水平。     

关于薄SiO_2的高场弛豫电导与击穿机制的研究

薄SiO_2的早期高场弛豫电导与原生电子陷阱的俘获及新生正电荷的产生密切相关;中、后期的电导弛豫与新生电子陷阱的产生-俘获过程相关,新生电子陷阱遵从单分子产生规律.一个“新生电子陷阱-新生SiO_2/Si_2O,界面陷阱相关击穿”模型,用以解释薄SiO_2的后期弛豫电导突变失控和不可逆转的失效——脉冲热击穿.     

扫描电子束在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜(SOI)的实验研究

在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜,即SOI技术,是近年发展起来研制三维集成电路的一项新技术。本文讨论了利用扫描电子束对淀积在SiO2上的多晶硅薄膜进行改性的实验。采用籽晶液相外延形成单晶硅薄膜。本实验的重点在于摸索电子束的功率密度、扫描速度、衬底的温度和样品结构等因素对形成单晶硅薄膜质量的影响。实验取得了较好的结果,获得了20025m2的单晶区。