基于单元故障模型的树型加法器的测试

首先分析了树型加法器的原理，总结了其运算特性．其次在介绍单元故障模型的基础上分析了树型加法器的测试向量生成．分析结果表明，5n-1个测试向量可以实现树型加法器中所有单元故障的检测．这些测试向量具有很好的规则性，能够利用片上测试向量生成器实现，适合于应用内建自测试技术测试．基于此，作者提出了一种内建自测试的测试结构，测试时只需存储7个籽测试向量，其它测试向量可以在这7个籽测试向量的基础上通过循环移位实现．最后给出了实验分析结果．     

采用CoSi_2SALICIDE结构CMOS/SOI器件辐照特性的实验研究

讨论了CoSi2SALICIDE结构对CMOS/SOI器件和电路抗γ射线总剂量辐照特性的影响.通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明,CoSi2SALICIDE结构不仅可以降低CMOS/SOI电路的源漏寄生串联电阻和局域互连电阻,而且对SOI器件的抗辐照特性也有明显的改进作用.与多晶硅栅器件相比,采用CoSi2SALICIDE结构的器件经过辐照以后,器件的阈值电压特性、亚阈值斜率、泄漏电流、环振的门延迟时间等均有明显改善.由此可见,CoSi2SALICIDE技术是抗辐照加固集成电路工艺的理想技术之一.     

深亚微米SOI栅控混合管(GCHT)的准二维电流解析模型

提出了深亚微米SOI GCHT电流模型.不同于普通MOSFET短沟模型的处理,计及受栅电压及基极电压同时控制的可动电荷的影响,采用准二维分析及抛物线近似,求出沟道长度及漏端电压对源端表面势的影响,较好地反映了电荷共享效应及DIBL效应,并定量计算出与漏电压和栅电压同时相关的动态阈值电压漂移量.模型中同时考虑了速度饱和效应、迁移率下降效应和沟道长度调制效应等.该模型具有清晰的物理意义,从理论上解释了GCHT具有较小的短沟效应及较高的阈值电压稳定性等物理现象.模型计算结果与数值模拟及实验结果吻合良好,较好地描述了短沟GCHT的物理特性.     

Novel multipath routing protocol integrated with forward error correction in MANET

In order to improve the data transmission reliability of mobile ad hoc network, a routing scheme called integrated forward error correction multipath routing protocol was proposed, which integrates the techniques of packet fragmenting and forward error correction encoding into multipath routing. The scheme works as follows： adding a certain redundancy into the original packets; fragmenting the resulting packets into exclusive blocks of the same size; encoding with the forward error correction technique, and then sending them to the destination node. When the receiving end receives a certain amount of information blocks, the original information will be recovered even with partial loss. The performance of the scheme was evaluated using OPNET modeler. The experimental results show that with the method the average transmission delay is decreased by 20% and the transmission reliability is increased by 30%.     

一种直接提取噪声温度参数的方法

本文基于二端口网络噪声理论和噪声关联矩阵给出了一种可以用于MOSFET′s的噪声温度参数(Td,Tg)的直接提取方法.该方法给出了噪声温度参数的显式表达式因而简洁易用,并从噪声温度参数的显式表达式分析了影响噪声温度提取精度的主要因素.同时由于此方法在参数提取时不依赖于源端阻抗的选择,理论上有助于提高参数提取的精度.本文方法得到的噪声温度参数和其他方法得到的结果有很好的一致性.     

新的二维解析方法预言场限环结构的电压分布和边界峰值电场及环间距的优化

提出了一个新的二维解析方法预言场限环结构的电压分布和边界峰值电场及环间距优化 .采用与平面结物理机理最接近的圆柱坐标对称解进行分析 ,给出了场限环结构极为简单的各电压和边界峰值电场表达式 .讨论了不同环间距和反偏电压对场限环电压的影响 ,并用流行的 2 - D半导体器件模拟工具 MEDICI对解析计算进行了验证 .根据临界电场击穿近似 ,讨论了环间距的优化设计并给出了优化环间距表达式 .在一定结深和掺杂浓度时 ,理论计算给出了与数值分析一致的优化环间距和最高击穿电压值 .     

一个适用于模拟电路的深亚微米SOIMOSFET器件模型

从数值解源端和饱和点的表面电势出发 ,考虑模拟电路对 SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间连续并且高阶可导以及全耗尽和部分耗尽两种工作模式的转变 ,构建了一个能够满足这些要求的精确的器件模型 .同时包含了深亚微米 SOI MOSFET的一些二级效应如漏极诱生势垒降低效应 (DIBL )、速度饱和效应、自热效应等 .这个模型的参数相对较少并且精确连续 ,能够满足在模拟电路设计分析中的应用要求     

高剂量辐照条件下的MOSFET总剂量辐照效应模型

报道了一种用于在高剂量辐照条件下 MOS器件抗辐照电路模拟的半经验模型 .利用该模型对 MOS器件实验结果进行了模拟 ,模型计算结果与实验吻合较好 .初步分析了高剂量条件下不同散射机制对模拟结果的影响 ,结果表明界面电荷的库仑散射是引起电子迁移率退化的主要机制     

3-6nm超薄SiO2栅介质的特性

采用栅氧化前硅表面在H2SO4/H2O2中形成化学氧化层方法和氮气稀释氧化制备出3.2、4和6nm的SiO2超薄栅介质,并研究了其特性.实验结果表明,恒流应力下3.2和4nm栅介质发生软击穿现象.随着栅介质减薄,永久击穿电场强度增加,但恒流应力下软击穿电荷下降.软击穿后栅介质低场漏电流无规则增大.研究还表明,用软击穿电荷分布计算超薄栅介质有效缺陷密度比用永久击穿场强分布计算的要大.在探讨软击穿和永久击穿机理的基础上解释了实验结果.     

从消费大国到产业强国 在“2006年中国集成电路产业发展研讨会暨第九届中国半导体行业协会集成电路分会年会”上的主题演讲（摘要）

在“2006中国集成电路产业发展研讨会暨第九届中国半导体行业协会集成电路分会年会”上．中国科学院院士、北京大学微电子学院院长、中芯国际半导体制造有限公司董事长王阳元先生，在年会高峰论坛会上作了题为“从消费大国到产业强国”的主题演讲。王院士主要从我国集成电路产业经济背景，集成电路市场需求、集成电路技术发展、集成电路产业现状、集成电路战略目标和集成电路战略实施等六个方面，予以高屋建瓴、深入浅出的剖析，