SIMOX材料顶层硅膜中残余氧的行为

利用光致发光谱 (PL)和二次离子质谱 (SIMS)检测了不同退火条件下处理的 SIMOX材料的顶层硅膜 .实验结果显示 ,SIMOX顶层硅膜的 PL 谱有三个峰 :它们是能量为 1.10 e V的 a峰、能量为 0 .77e V的 b峰和能量为0 .75 e V的 c峰 .与 RBS谱相比 ,发现 a峰峰高及 b/ a峰值比是衡量顶层硅膜单晶完整性的标度 .谱峰 b起源于SIMOX材料顶层硅膜中残余氧 ,起施主作用 .SIMS测试结果显示 ,谱峰 c来源于 SIMOX材料顶层硅膜中的碳和氮 .     

TFSOI RESURF功率器件表面电场分布和优化设计的新解析模型

提出了TFSOI RESURF功率器件的表面电场分布和优化设计的新解析模型．根据二维泊松方程的求解,得到了表面电场和电势分布的相关解析表达式．在此基础上,推出了为获得最大击穿电压的优化条件。讨论了击穿电压和漂移区长度及临界掺杂浓度和场氧化层、埋氧化层的关系．解析结果与半导体器件数值分析工具DESSISE-ISE得到的数值分析基本一致,证明了新解析模型的适用性．     

等价掺杂转换理论预示扩散-外延穿通P-N结的击穿电压和击穿峰值电场强度

基于等价掺杂转换理论的应用,得到了解析计算扩散-外延穿通P-N结击穿电压和击穿峰值电场强度的一系列结果．介绍了等价掺杂转换方法的基本理论,然后运用该理论得到了用于低压功率器件优化设计的系列击穿电压和击穿峰值电场强度计算公式,并正确地预示了最大击穿电压和击穿峰值电场强度的位置．理论结果显示出与以前的数值分析结果很好的一致性．     

新的二维解析方法预言场限环结构的电压分布和边界峰值电场及环间距的优化

提出了一个新的二维解析方法预言场限环结构的电压分布和边界峰值电场及环间距优化.采用与平面结物理机理最接近的圆柱坐标对称解进行分析,给出了场限环结构极为简单的各电压和边界峰值电场表达式. 讨论了不同环间距和反偏电压对场限环电压的影响,并用流行的2-D半导体器件模拟工具MEDICI对解析计算进行了验证. 根据临界电场击穿近似,讨论了环间距的优化设计并给出了优化环间距表达式. 在一定结深和掺杂浓度时,理论计算给出了与数值分析一致的优化环间距和最高击穿电压值.     

知识产权是高科技核心

知识产权始终是工业发展的核心要素，所以，自主知识产权始终是高科技的核心。后发国家进入“国际俱乐部”的主要障碍是技术，如果不拥有一批自己的知识产权就永远难以掌握主动权。     

微米尺度下键合强度的评价方法和测试结构

在MEMS器件的设计与加工过程中，键合技术是体硅工艺的一项关键技术。由于MEMS器件的特点，其键合的面积通常是在微米到毫米量级内．传统测试键合强度的方法不再适用，该尺度下键合强度的测试与评价成为MEMS工艺测试的难点之一。文章提出了一种新型的测试结构．对面积为微米量级下键合的最大抗扭强度进行了测试。实验设计一系列的单晶硅悬臂梁结构测试键合面积在微米量级时的最大剪切力．键合面为常用的正方形．其边长从6μm到120μm，计算得出的剪力与采用实体单元有限元分析结果计算出的作用力相对误差为4．9％，这一误差在工程中是可以接受的。实验得出最大剪切扭矩和相应的键合面积的曲线。MEMS器件的设计人员可以根据结论曲线．针对所需的抗扭强度设计相应的键合面积。     

用深反应离子刻蚀和介质填充技术制造具有高深宽比的超深电隔离槽

提出了一种利用深反应离子刻蚀(DRIE)和电介质填充方法来制造具有高深宽比的深电学隔离槽的新型技术.还详细讨论了DRIE刻蚀参数与深槽侧壁形状之间的关系,并作了理论上的阐述.采用经过参数优化的DRIE刻蚀深硅槽,并用反应离子刻蚀(RIE)对深槽开口形状进行修正,制造了具有理想侧壁形状的深槽,利于介质的完全填充,避免产生空洞.电隔离槽宽5μm,深92μm,侧壁上有0.5μm厚的氧化层作为电隔离材料.I-V测试结果表明该隔离结构具有很好的电绝缘特性:0～100V偏压范围内,电阻大于1011Ω,击穿电压大于100V.电隔离深槽被首次应用于体硅集成微机械陀螺仪上的微机械结构与电路之间的电气隔离与机械连接,该陀螺的性能得到了显著提高.     

十年磨一剑——集成电路产业历史回顾和发展规律探讨

1958年9月12日,世界第一块集成电路在美国德克萨斯仪器公司诞生。49年过去,弹指一挥间。明年,集成电路将迎来自己的“知天命”华诞。“以镜为鉴,可以正衣冠,以人为鉴,可以知得失,以史为鉴,可以知兴替”,回顾历史是为了面向未来,寻求规律是为了谋求发展。     

金属有机化学汽相淀积生长的本征氮化镓中持续光电导和复合机制的研究

通过对室温下的本征氮化镓材料进行不同波长(360nm～377nm)的光照,分析了本征氮化镓中的持续光电导及其复合机制.实验的结果证明了两种持续光电导的特性一种是快速的复合,而且分析表明关灯后这种复合机制导致的持续光电流下降幅度随着波长的增加而增加;另一种是速度较慢的复合,它的电流衰减幅度几乎不受波长的影响.基于这些现象,提出了一个可能的物理模型,认为第一种机制是由于导带电子被电子陷阱俘获而引起的,第二种是由于导带电子与空穴陷阱俘获的空穴之间的复合而造成的.     

新生界面陷阱对Fowler-Nordheim电压漂移的影响

用陷阱俘获模型和恒流方法研究了新生界面陷阱对薄氧化层MOS电容器的F-M(Fow-ler-Nordheim)电压(V_(FN))的影响,得到了电压漂移量△V_(FN)随时间变化的解析表述式.分析结果表明:(d△V_(FN))/(dt)vs △V_(FN)曲线可以用几段直线描述.采用线性化技术,可以方便地识别多陷阱现象.并分别提取原生陷阱及新生陷阱参数.实验结果表明:在恒流隧道电子注入的初始阶段,F-N电压漂移量主要由新生界面陷阱的电子俘获过程所决定,紧接着是原生氧化层体陷阱的电子俘获,然后是新生氧化层体陷阱的电子俘获.