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71.
本文分析了SOI(SilicononInsulator)栅控混合管(GCHT)中硅膜厚度对器件短沟道效应、阈值电压、亚阈斜率、零栅压电流的影响,讨论了结构参数、工艺参数对硅膜厚度作用的影响.研究表明,与常规SOIMOS器件相比,SOI栅控混合管具有较低的硅膜厚度灵敏度,改善了深亚微米常规SOIMOS器件由于硅膜厚度的影响而性能下降的问题,以独特的工作方式为深亚微米器件的发展提供了新思路 相似文献
72.
高质量栅氧化层的制备及其辐照特性研究 总被引:2,自引:1,他引:1
通过大量工艺实验开发了采用低温H2-O2合成氧化方法制备薄栅氧化层的工艺技术,得到了性能优良的薄栅氧化层,对于厚度为30nm的栅氧化层,其平均击穿电压为30V,Si/SiO2界面态密度小于3.5×1010cm-2.该工艺现已成功地应用于薄膜全耗尽CMOS/SOI工艺中.同时还开展了采用低温H2-O2薄栅氧化工艺制备的全耗尽CMOS/SOI器件的抗总剂量辐照特性研究,采用低温H2-O2合成氧化方法制备的SOI器件的抗辐照特性明显优于采用常规干氧氧化方法制备的器件,H2-O2低温氧化工艺是制备抗核加固CMOS 相似文献
73.
高速SOIMOS器件及环振电路的研制 总被引:2,自引:2,他引:0
设计了一种 1 0位 50 MS/s双模式 CMOS数模转换器 .为了降低功耗 ,提出了一种修正的超前恢复电路 ,在数字图象信号输出中 ,使电路功耗降低约 30 % .电路用 1μm工艺技术实现 ,其积分线性误差为 0 .46LSB,差分线性误差为 0 .0 3LSB.到± 0 .1 %的建立时间少于 2 0 ns.该数模转换器使用 5V单电源 .在 50 MS/s时全一输入时功耗为 2 50 m W,全零输入时功耗为 2 0 m W,电路芯片面积为 1 .8mm× 2 .4mm. 相似文献
74.
75.
提出了一种新结构的低温多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT).该poly-Si TFT由一超薄的沟道区和厚的源漏区组成.超薄沟道区可有效降低沟道内陷阱密度,而厚源漏区能保证良好的源漏接触和低的寄生电阻.沟道区和源漏区通过一低掺杂的交叠区相连接.该交叠区使得在较高偏置时,靠近漏端的沟道区电力线能充分发散,导致电场峰值显著降低.模拟结果显示该TFT漏电场峰值仅是常规TFT的一半.实验结果表明该TFT能获得好的电流饱和特性和高的击穿电压.而且,与常规器件相比,该TFT的通态电流增加了两倍,而最小关态电流减少了3.5倍 相似文献
77.
一、微电子产业的战略地位 微电子产业对国民经济的战略作用首先表现在当代食物链关系上,现代经济发展的数据表明,GNP每增长100~300元,需要10元左右电子工业产值和1元集成电路产值的支持。又据有关资料测算,集成电路对国民经济的贡献率远高于其他门类的产品,如以单位质量钢筋对GNP的贡献为1计算,则小汽车为5,彩电为 相似文献
78.
作为电子信息产品的制造大国,我国不得不面对这样一个严酷的现实:由于缺乏用原始创新造就的核心竞争力,我国的绝大部分产品的制造都在为跨国公司打工。2004年,我国电子信息产业全行业的平均利润率仅为3.8%,而美国英特尔公司一家全年利润率为32%;韩国三星半导体公司全年利润率高达50%。这就是产业强国与消费大国、加工大国的本质区别,也是我们为何要立即抓住原始创新,造就核心竞争力的根本所在。 相似文献
79.
80.