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1.
2.
使用半导体器件数值分析工具 DESSISE- ISE,对侧向的 P+ P- N+栅控二极管的正向 R- G电流对 SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性进行了详尽的研究 .通过系统地改变硅膜体陷阱的密度和能级分布 ,得出了相应的 P+ P-N+ 栅控二极管的正向 R- G电流的变化 .同时 ,表征硅膜结构的参数如沟道掺杂和硅膜厚度的变化也使器件从部分耗尽向全耗尽方向转化 ,分析了这种转化对 R- G电流大小和分布的影响  相似文献   
3.
黄如  杨兵  王阳元 《半导体学报》1999,20(9):770-775
本文采用数值模拟方法,在考虑短沟效应、开态电流、关态电流和开路电压增益等因素的基础上,首次给出GCHT低压工作下(0.8V)的设计容区图,清晰地反映了各效应对参数要求的矛盾折中,为器件设计提供了理论依据,也为合理开发深亚微米工艺指明了方向.本文采用的数据处理方法同时可用于针对成熟工艺线的实际器件与电路设计  相似文献   
4.
从数值解源端和饱和点的表面电势出发,考虑模拟电路对SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间连续并且高阶可导以及全耗尽和部分耗尽两种工作模式的转变,构建了一个能够满足这些要求的精确的器件模型.同时包含了深亚微米SOI MOSFET的一些二级效应如漏极诱生势垒降低效应(DIBL)、速度饱和效应、自热效应等.这个模型的参数相对较少并且精确连续,能够满足在模拟电路设计分析中的应用要求.  相似文献   
5.
平面结场板结构表面场分布的二维解析   总被引:2,自引:2,他引:0  
何进  张兴  黄如  王阳元 《半导体学报》2001,22(7):915-918
提出了基于二维泊松方程解的平面结场板结构的二维表面电场解析物理模型 .在该模型基础上 ,分析了衬底掺杂浓度、场板厚度和长度对二维表面场分布的影响 .解析预言的场分布与击穿电压的计算结果与先前的数值分析基本符合 .该模型为场板结构的优化设计提供了理论基础  相似文献   
6.
平行平面穿通结击穿电压的计算及比较   总被引:1,自引:0,他引:1  
何进  张兴  黄如  王阳元 《电子学报》2001,29(5):689-691
本文研究平行平面穿通结击穿电压的计算.首先根据电离率积分方程得出以归一化外延层厚度为变量的穿通结击穿电压拟合表达式,然后以此为基础,比较了另两种解析方法计算穿通结击穿电压的结果.分析表明:校正临界电场法可给出与电离率积分模式一致的击穿电压,而经典临界电场法将导致较大的误差.  相似文献   
7.
SOI数模混合集成电路的串扰特性分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用二维TMA Medici模拟软件对SOI结构的串扰特性进行了分析.模拟发现随着频率的增加,SOI的埋氧化物对串扰噪声几乎不起隔离作用,同时,连接SOI结构的背衬底可以在很大程度上减小串扰的影响.还对减少串扰的沟槽隔离工艺、保护环及差分结构的有效性进行了比较分析,对一些外部寄生参数对串扰的影响也进行了研究.并给出了SOI结构厚膜和薄膜结构体掺杂浓度对噪声耦合的影响,所得到的结果对设计低噪声耦合的SOI数模混合集成电路具有指导性的作用.  相似文献   
8.
一种新的不受寄生电容影响的电容式传感器接口电路   总被引:6,自引:1,他引:5  
给出了一种新的用于微小电容检测的接口电路 .在电荷传送电路的基础上,引入了一个用于参考微变电容读出的电荷传送电路部分,将检测电路与参考电路的输出进行差分放大,从而大大提高了电路的稳定性和检测灵敏度,同时此电路也保持了电荷传送电路检测微小电容变化不受寄生电容影响的特性.  相似文献   
9.
本文首先分析数字家庭控制网络的体系结构,介绍了此类网络的作用及国内外数字家庭网络的发展趋势及动态。接着,我们对家庭网络协议进行了分析和介绍。之后,我们给出了SOC平台的架构及性能分析并简要介绍了SOC平台软件的开发。最后,针对SOC设计过程中可能遇到的挑战,提出了独到的见解。  相似文献   
10.
CMOS射频集成电路的研究进展   总被引:5,自引:1,他引:4  
张国艳  黄如  张兴  王阳元 《微电子学》2004,34(4):377-383,389
近年来,射频集成电路(RFIC)的应用和研究得到了飞速的发展,CMOS射频IC的研究更是成为该领域的研究重点和热点。文章对CMOS技术在射频和微波领域的应用进行了详细的探讨,着重介绍了当前射频通讯中常用的收发机结构及其存在的问题和解决方案;分析了射频收发机前端关键电路模块低噪声放大器(LNA)、混频器(Mixer)、压控振荡器(VCO)、功率放大器(PA)和射频关键无源元件的最新研究进展;展望了CMOS技术在射频领域的发展前景。  相似文献   
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