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1.
随着计算机网络的迅速发展,网络安全问题正变得日益重要。文章介绍了计算机网络系统IP层安全概况和入侵者对IP层常采用的入侵手段,以及为防止这种入侵所采取的措施。  相似文献   
2.
MIPS/W8位低功耗嵌入式RISC MCU核的设计   总被引:4,自引:0,他引:4  
介绍了一种8位低功耗嵌入式RISC MSC核的设计.该核采用哈佛结构,三级流水线,单周期指令,指令集与PIC16C57相兼容.本文还对系统结构设计及各单元模块设计进行了分析.  相似文献   
3.
集成电路中器件的匹配性对于模拟电路和数字电路的设计有着很重要的影响,而现在重要的是还缺乏精确的器件匹配的模型。在模拟集成电路设计中,MOS管阈值电压的匹配特性对集成电路尤其是电流Ids的大小有着重要的影响。基于短沟道系列模型,MOS氧化层中的固定电荷和杂质原予服从泊松分布,分析了NMOS和PMOS器件不匹配的物理原因,并验证σVT/VT遵循与1/(?)成比例的结论。  相似文献   
4.
设计了一种数字抽取滤波器,此滤波器由多级级联结构组成,对sigma-delta调制器的输出信号进行滤波和64倍的降采样,具有较小的电路面积和较低的功耗.采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,工作电压1.8V,流片测试结果表明:sigma-delta调制器输出信号经过数字抽取滤波器后,信噪失真比(SNDR)达到了93.9 dB,满足设计要求.所提出的数字抽取滤波器-6dB带宽为640kHz,抽取后的采样频率为1.28MHz,功耗为33mW,所占面积约为0.4mm×1.7mm.  相似文献   
5.
研究了重离子单粒子辐照(Single event effect,SEE)效应对超薄栅氧化层(1.2 nm厚度)的斜坡击穿电压(Voltage ramp dielectric breakdown,VRDB)的影响情况。采用209Bi(离子能量为1 043.7 MeV)对65 nm CMOS电容进行(1~2)×107ion/cm2总注量的重离子辐射试验,并在辐射过程中进行VRDB试验。试验结果发现,经过209Bi重离子辐射后,超薄栅CMOS电容的泄漏电流略微增大,跨导-电压曲线稍有畸变;进行累积模式和反型模式的斜坡击穿测试,发现栅氧化层的斜坡击穿电压减小近5%。通过扫描电子显微镜(SEM)检查发现,重离子辐照后栅氧化层中形成微泄漏路径,导致其击穿电压降低,并强烈影响超薄栅氧化层的长期可靠性。  相似文献   
6.
讨论了在Windows环境下用 Delphi3开发半导体应力自动测量系统控制软件的方法和关键细节。介绍硬件与软件调试中要注意的问题。对 Windows环境下开发控制硬件工作的软件进行了探讨。  相似文献   
7.
文章对三阶单环路结构的高阶sigma-delta A/D调制器的非理想特性,包括时钟抖动、MOS开关噪声、比较器迟滞性、放大器的输入噪声、单位增益带宽和有限直流增益等,进行了分析,提出了基于Matlab的高层次建模方法.通过系统仿真确定关键的电路参数和性能指标,在较高层次指导A/D转换器的电路结构级和晶体管级设计.  相似文献   
8.
介绍了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。提出了一种基于准浮栅技术的折叠差分结构,基于此结构设计,实现了超低压运算放大器。采用TSMC0.25μmCMOS工艺的BSIM3V3模型,对所设计运放的低压特性进行仿真,结果表明,在0.8V电源电压下,运算放大器的直流开环增益为106dB,相位裕度为62°,单位增益带宽为260kHz,功耗仅为3.9μW。  相似文献   
9.
PWM/PFM双模调制的高效率DC/DC开关电源   总被引:4,自引:0,他引:4  
利用根据负载电流的大小改变调制模式的方法实现了一种降压型高转换效率的DC/DC开关电源,并采用二次集成的方式在芯片内部集成了功率p-M O SFET。当控制电压占空比小于20%时,采用PFM(Pu lse-F requency M odu lation)模式调制;占空比大于20%时,采用PWM(Pu lse-W idth M odu lation)模式调制,平均转换效率约为93%,输出电流范围可以从0.01 A到3.0 A。当输出驱动电流为3.0 A时,整个调制控制电路的功耗仅为6.0 mW。输入电压为5 V时,负载调整率小于1.5%;负载电流为0.01 A时,线性调整率小于0.5%。  相似文献   
10.
本文建立了一种考虑电感耦合效应的两相邻耦合互连模型,基于传输函数直接截断的方法给出了其互连串扰的解析表达式.讨论了该解析公式在局部互连和全局互连两种情况下的应用,其结果相对于HSPICE的误差小于10%.它可以用于考虑串扰效应的版图优化.  相似文献   
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