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1.
随着计算机网络的迅速发展,网络安全问题正变得日益重要。文章介绍了计算机网络系统IP层安全概况和入侵者对IP层常采用的入侵手段,以及为防止这种入侵所采取的措施。 相似文献
2.
MIPS/W8位低功耗嵌入式RISC MCU核的设计 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了一种8位低功耗嵌入式RISC MSC核的设计.该核采用哈佛结构,三级流水线,单周期指令,指令集与PIC16C57相兼容.本文还对系统结构设计及各单元模块设计进行了分析. 相似文献
3.
4.
设计了一种数字抽取滤波器,此滤波器由多级级联结构组成,对sigma-delta调制器的输出信号进行滤波和64倍的降采样,具有较小的电路面积和较低的功耗.采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,工作电压1.8V,流片测试结果表明:sigma-delta调制器输出信号经过数字抽取滤波器后,信噪失真比(SNDR)达到了93.9 dB,满足设计要求.所提出的数字抽取滤波器-6dB带宽为640kHz,抽取后的采样频率为1.28MHz,功耗为33mW,所占面积约为0.4mm×1.7mm. 相似文献
5.
研究了重离子单粒子辐照(Single event effect,SEE)效应对超薄栅氧化层(1.2 nm厚度)的斜坡击穿电压(Voltage ramp dielectric breakdown,VRDB)的影响情况。采用209Bi(离子能量为1 043.7 MeV)对65 nm CMOS电容进行(1~2)×107ion/cm2总注量的重离子辐射试验,并在辐射过程中进行VRDB试验。试验结果发现,经过209Bi重离子辐射后,超薄栅CMOS电容的泄漏电流略微增大,跨导-电压曲线稍有畸变;进行累积模式和反型模式的斜坡击穿测试,发现栅氧化层的斜坡击穿电压减小近5%。通过扫描电子显微镜(SEM)检查发现,重离子辐照后栅氧化层中形成微泄漏路径,导致其击穿电压降低,并强烈影响超薄栅氧化层的长期可靠性。 相似文献
6.
讨论了在Windows环境下用 Delphi3开发半导体应力自动测量系统控制软件的方法和关键细节。介绍硬件与软件调试中要注意的问题。对 Windows环境下开发控制硬件工作的软件进行了探讨。 相似文献
7.
8.
9.
PWM/PFM双模调制的高效率DC/DC开关电源 总被引:4,自引:0,他引:4
利用根据负载电流的大小改变调制模式的方法实现了一种降压型高转换效率的DC/DC开关电源,并采用二次集成的方式在芯片内部集成了功率p-M O SFET。当控制电压占空比小于20%时,采用PFM(Pu lse-F requency M odu lation)模式调制;占空比大于20%时,采用PWM(Pu lse-W idth M odu lation)模式调制,平均转换效率约为93%,输出电流范围可以从0.01 A到3.0 A。当输出驱动电流为3.0 A时,整个调制控制电路的功耗仅为6.0 mW。输入电压为5 V时,负载调整率小于1.5%;负载电流为0.01 A时,线性调整率小于0.5%。 相似文献
10.