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用于流水线ADC的高精度SHA-Less电路 总被引:2,自引:2,他引:0
本文提出了一种适用于高速、高精度流水线ADC的无采样保持运算放大器(SHA-less)结构。使用可变电阻带宽修调电路以及MDAC与flash ADC的对称性设计,减少了两种单元电路间的采样误差,通过增加MDAC采样电容复位时钟和独立的flash ADC采样电容技术,消除了采样电容残留电荷引起的踢回噪声。本设计作为14位125-MS/s流水线ADC的前端转换级,基于ASMC 0.35- BiCMOS工艺的仿真和测试结果表明,前端转换级芯片面积1.4?2.9 mm2,使用带宽修调后,125 MHz采样,30.8 MHz输入信号下,SNR从63.8 dB提高到70.6 dB,SFDR从72.5 dB提高到81.3 dB,转换器的动态性能在150 MHz的输入信号频率下无明显下降。 相似文献
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基于新型半圆形电极金属-半导体-金属紫外光探测器的光电耦合优化 总被引:1,自引:1,他引:0
本文使用数值仿真器ISE-TCAD建立了新型半圆形电极金属-半导体-金属紫外探测器器件模型并研究了该探测器的器件特性。通过对新型半圆形电极结构探测器,传统结构探测器以及实验数据的全面对比验证了模型的正确性。其结果表明了该探测器的性能提升并说明了建立的物理模型对预测这种新型结构探测器性能增强而言是合适的。此外,通过调节该器件的结构参数实现优化目的,优化结果表明半圆形电极半径为2 μm, 电极间距为3 μm的探测器在290 nm具有峰值响应度0.177 A/W ,相应的外量子效率超过75%, 同时在0.3 V 偏压条件下归一化光暗电流对比度达到1.192E11 1/W。这些特性表明半圆电极金属-半导体-金属紫外光电探测器具有优异的光电集成应用前景。 相似文献
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This work presents an oversampled high-order single-loop single-bit sigma–delta analog-to-digital converter followed by a multi-stage decimation filter.Design details and measurement results for the whole chip are presented for a TSMC 0.18μm CMOS implementation to achieve virtually ideal 16-b performance over a baseband of 640 kHz.The modulator in this work is a fully differential circuit that operates from a single 1.8 V power supply. With an oversampling ratio of 64 and a clock rate of 81.92 MHz,the modulator achieves a 94 dB dynamic range. The decimator achieves a pass-band ripple of less than 0.01 dB,a stop-band attenuation of 80 dB and a transition band from 640 to 740 kHz.The whole chip consumes only 56 mW for a 1.28 MHz output rate and occupies a die area of 1×2 mm^2. 相似文献
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The working mechanism of sensors plays an important role in their simulation and design, which is the foundation of their applications. A model of a nanotube NO2 gas sensor system is established based on an (8, 0) silicon carbide nanotube (SiCNT) with a NO2 molecule adsorbed. The transport properties of the system are studied with a method combining density functional theory (DFT) with the non-equilibrium Green's function (NEGF). The adsorbed gas molecule plays an important role in the transport properties of the gas sensor, which results in the formation of a transmission peak near the Fermi energy. More importantly, the adsorption leads to different voltage current characteristics of the sensor to that with no adsorption; the difference is large enough to detect the presence of NO2 gas. 相似文献
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SiGe BiCMOS提供了性能极其优异的异质结晶体管(HBT),其ft超过70 GHz,β>120,并具有高线性、低噪声等特点,非常适合高频领域的应用。基于SiGe BiCMOS工艺,提出了一种高性能全差分超高速比较器。该电路由宽带宽前置放大器和改进的主从式锁存器组成,采用3.3 V单电压源,比较时钟超过10 GHz,差模信号电压输入量程为0.8 V,输出差模电压0.4 V,输入失调电压约2.5 mV;工作时钟10 GHz时,用于闪烁式A/D转换器可以达到5位的精度。 相似文献