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81.
本文提出了一种适用于IEEE 802.15.4标准的2.4GHz免认证ISM频段的全集成CMOS射频收发机.接收机采用低中频结构以降低功耗、提高灵敏度,发射机则采用直接上变频结构以降低设计复杂度和功耗.芯片采用0.18μm 1P4M CMOS工艺以及MIM电容制造,供电电压1.8V .测试结果显示,在误包率为1%时,接收机灵敏度达到了-97dBm ,发射机输出至100Ω差分天线端口的最大输出功率为+3dBm .接收模式和发射模式下的电流功耗分别为17mA和19mA ,芯片面积3.3mm ×2.8mm .  相似文献   
82.
基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,采用CASTEP软件包,在分析掺氮碳纳米管最可能存在方式并进行结构优化的基础上,对不同掺氮浓度的单壁碳纳米管的电子结构进行了计算,分析了掺杂碳纳米管的能带结构和态密度,结果表明随着掺杂浓度的增加能带间隙呈现减小的趋势.  相似文献   
83.
采用阶跃阻抗传输线和扇形微带短截线,实现了单刀双掷开关的直流偏置,使直流支路与毫米波支路之间的隔离度大于30dB,带宽超过25%,在中心频率30GHz附近回波损耗大于40dB。采用这种直流偏置电路和PIN梁式引线二极管,基于LTCC工艺对单刀双掷开关串联结构进行仿真。设计结果表明在28.5~31.5GHz频率范围内,串联开关的插入损耗小于1.5dB,回波损耗大于15dB,隔离度大于20dB。  相似文献   
84.
针对纳米级Cu薄膜电阻率,基于BP神经网络模型,本文提出了一种反馈式神经网络优化方法,利用蒙特卡洛分析方法对隐含层神经元数进行了优化,并基于随机样本集进行网络训练,建立了反馈式BP神经网络的电阻率预测模型。通过100组学习样本训练后的神经网络模型,与50组测试样本进行测试,结果表明,所提方法能够实现电学参数值与金属Cu电阻率较好的非线性映射,预测结果与Marom模型相比较,最大误差不超过4%,并且训练范围外的预测结果与测试样本吻合较好,验证了该方法的精度和泛化能力,为超薄金属互连电阻率模型估算提供了重要参考。  相似文献   
85.
研究了1000~1200℃温度下干氧和湿氧中6H-SiC材料的氧化特性,讨论了氧化层厚度与温度、时间、气氛的关系,实验结果表明,在相同的生长条件下,6H-SiC材料的氧化层厚度远小于Si的氧化层厚度,且遵循相同的生长规律。  相似文献   
86.
运用二维器件模拟器ISETCAD对4H-SiCMESFET不同结构的直流特性进行了模拟,重点考虑表面陷阱对直流特性的影响。与凹栅结构相比,埋栅结构的器件降低了表面陷阱对电流的影响,饱和漏电流提高了37%,而且阈值电压的绝对值增大、跨导升高,对提高4H-SiCMES-FET器件的输出功率起到一定的作用。  相似文献   
87.
基于0.8μm BCD工艺完成了一种具有高转换效率的20W×2立体声集成音频功率放大器.该放大器可在18V电源电压下以全桥输出的方式向8Ω负载提供超过20W的功率,其转换效率可达85%以上.介绍了功率输出级、过流保护电路以及高性能轨-轨比较器的设计,并基于横向双扩散MOSFET器件结构讨论了功率输出器件寄生效应对输出电压波形失真的影响.最后给出了所设计的D类音频功率放大器的测试结果.  相似文献   
88.
一种具有省电模式的CMOS反激式PWM控制器   总被引:2,自引:1,他引:1  
朱樟明  杨银堂 《半导体学报》2008,29(11):2275-2280
基于SinoMOS 1μm 40V CMOS工艺设计了一种具有省电模式的CMOS反激式PWM 控制器,其PWM振荡器具有变频模式和间歇模式,使得整个PWM控制器系统能随负载的变轻而线性降低开关频率,并在空载状态下进入间歇模式. 仿真和测试结果显示具有省电模式PWM控制器的正常工作PWM频率为65~66kHz,无负载时的PWM频率为21.7kHz,启动电流为17~18μA,正常工作电流为3.5~4.0mA,有效芯片面积为2.06mm×1.55mm,能直接实现低功耗的电源系统.  相似文献   
89.
张冰  柴常春  杨银堂 《半导体学报》2008,29(9):1808-1812
根据全芯片静电放电(ESD)损伤防护理论,设计了一种新型结构保护电路,采用0.6μm 标准CMOS p阱工艺进行了新型保护电路的多项目晶圆(MPW)投片验证. 通过对同一MPW中的新型结构ESD保护电路和具有同样宽长比的传统栅极接地MOS(GG-nMOS)保护电路的传输线脉冲测试,结果表明在不增加额外工艺步骤的前提下,本文设计的新型结构ESD保护电路芯片面积减少了约22%,静态电流更低,而抗ESD电压提高了近32%. 该保护电路通过了5kV的人体模型测试.  相似文献   
90.
基于等效Elmore延时模型和分段分布参数思想提出了一种RLC互连延时解析模型,该模型同时考虑了瓦连线温度分布效应和电感效应对延时的影响,更加贴近实际情况,在实际应用中具有重要意义.仿真结果表明,对于简单的RLC互连树形结构而言,所提模型的延时误差在10%以内,且仿真效率高.  相似文献   
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