基于高速电流舵数/模转换器动态性能的电流开关驱动器

基于电流开关驱动器对高速电流舵D／A转换器动态性能的影响因素分析，提出了结合驱动信号交叉点理论、同步锁存技术和低驱动信号摆幅的电流开关驱动器设计技术，并设计了新型的电流开关驱动器电路．基于TSMC 0．35μm CMOS工艺采用Hspice仿真工具，对电流开关驱动器进行仿真分析和应用验证．基于电流开关驱动器所实现的4位D／A转换器具有很低的输出伪信号，所实现的8位D／A转换器具有很高的无杂波动态范围，表明这种电流开关驱动器能保证高速D／A转换器的良好动态性能．     

碳化硅CMOS反相器的特性

建立了6 H- Si C CMOS反相器的电路结构和物理模型,并利用MEDICI软件对其特性进行了模拟.研究了Si C CMOS反相器的温度特性,结果表明,室温下沟道长度为1.5 μm的6 H- Si C CMOS反相器的阈值电压、高电平噪声容限和低电平噪声容限分别为1.6 5 7,3.15 6和1.4 70 V,且随着温度的升高而减小.     

基于LUT的SRAM-FPGA结构研究

作为微电子工业中发展最迅速的一个领域，现场可编程门阵列（FPGA）的内部结构设计越来越受到业内人士的关注。为此针对目前普遍采用的基于查找表（LUT）的SRAM－FPGA，着重研究了其逻辑模块设计、布线结构设计和输入输出模块设计，同时也对此类FPGA基本结构进行了优化设计。     

基于Verilog-A的模拟电路行为模型及仿真

分析了模拟硬件描述语言Verilog—A的特点及模型结构，根据仿真速度和仿真精度的折衷考虑，设计实现了模拟开关、带隙基准电压源及运放的Verilog—A行为模型。根据数模转换器(13AC)的特性，基于Verilog—A设计了DAC参数测试模型，也建立8位DAC的行为模型。所有行为模型都在Cadence Spectre仿真器中实现了仿真验证。     

微波ECR等离子体中的电子能量吸收的计算

本文研究了ＥＣＲ系统中微波能量的耦合过程，给出了电子能量吸收的数值计算，发现ＥＣ共振腔内静磁场的分布、工作气压和微波功率是决定产生高能电子的主要因素，从而决定了ＥＣＲＣＶＤ薄膜淀积工艺的有关参数。进行了ＥＣＲＣＶＤＳｉＮ薄膜的工艺实验，其结果与理论计算符合得较好。     

超大规模集成电路中低介电常数薄膜的制备与检测技术

近年来,低介电常数材料在IC工业中日益受到人们广泛关注,为了降低信号传输延迟和串扰以及由于介电损失而导致的功耗增加,采用低介电常数材料做层间介质是必要的。本文介绍了有关低介电常数材料薄膜的制备方法和基本特性的检测技术。     

表面栅BSIT的栅源低击穿问题研究

通过对DX0231型BSIT栅源低击穿问题的分析,讨论了设计、材料、环境、设备等因素对表面栅BSIT栅源击穿的影响,指出了提高栅源击穿的努力方向。     

驱动复杂RLC互连树的逻辑门延时

提出了一个用于估计RLC互连树驱动点导纳的闭端等效π模型,并将其用于驱动复杂RLC互连树的逻辑门延时的估计中.与其他方法相比,它具有结构简单、精度较高的特点.     

FSK模拟解调集成电路的设计

基于CMOS开关电容技术和FSK过零检测解调技术，采用0．6μm的DPDMCMOS工艺，完成了一种FSK模拟解调集成电路的设计，并采用Cadence和Matlab工具进行仿真。结果表明该设计具有很好的解调灵敏度，达到-43dBm。     

MIPS/W8位低功耗嵌入式RISC MCU核的设计

介绍了一种8位低功耗嵌入式RISC MSC核的设计.该核采用哈佛结构,三级流水线,单周期指令,指令集与PIC16C57相兼容.本文还对系统结构设计及各单元模块设计进行了分析.