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准分子激光扫描淀积PZT/YBCO结构铁电薄膜 总被引:2,自引:1,他引:1
利用脉冲准分子激光(工作气体XeCl,波长308nm,脉宽28ns)在外延YBCO/LaAlO3(100)单晶基片上淀积了Pb(Zr0.55Ti0.45)O3铁电薄膜,YBCO薄膜既为生长高取向PZT薄膜提供了晶体匹配条件,同时也为PZT铁电薄膜提供了下电极。讨论了工艺参数对晶相结构和表面形貌的影响。用X射线衍射表征了该多层膜的晶相结构,扫描电镜观察其表面形貌。PZT铁电薄膜的剩余极化为21μC/cm2,矫顽场为65kV/cm。 相似文献
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PZT铁电薄膜的掺杂改性 总被引:5,自引:0,他引:5
用溶胶-凝胶方法制备了掺高价离子钇及过量Pb的PZT铁电薄膜。探讨了添加剂对PZT铁电薄膜的结构和电特性的影响。实验表明,过量r(Pb)6%或掺高价离子r(Y)3%能较大地改善PZT铁电薄膜的电性能。 相似文献
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激光制备多层薄膜及铁电性能的研究 总被引:3,自引:2,他引:1
利用脉冲准分子激光淀积(PLD)方法,在Si基片上制备了BIT/Si〔100〕、PZT/BIT/Si〔100〕和BIT/PZT/BIT/Si〔100〕铁电薄膜。用XRD分析了多层铁电薄膜的晶相结构;用Sawyer-Tower电路研究了这些单层和多层铁电薄膜的铁电性能。结果表明,单层BIT的矫顽场Ec为4kV/cm,剩余极化强度为3.4μC/cm2;PZT/BIT的矫顽场Ec为82kV/cm,剩余极化强度Pr为36μC/cm2;BIT/PZT/BIT夹层铁电薄膜的矫顽场Ec为57kV/cm,剩余极化强度Pr为29μC/cm2。最后讨论了薄膜的铁电性能与多层结构的关系 相似文献
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电极对PZT铁电薄膜性能的影响 总被引:8,自引:1,他引:7
用溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜。以Pt/Ti/SiO2/Si为底电极,Au为上电极,形成金属-铁电薄膜-金属结构的铁电电容器。研究电极对PZT铁电薄膜结构和电性能的影响,实验发现,金属Ti的厚度会影响PZT铁电薄膜的结构。界面层的存在使介电系数、自发极化、矫顽电压、漏电流都与薄膜的厚度有关。 相似文献
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多层结构铁电薄膜的I—V特性性能的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
为FRAM、FFET和FDM的实际应用研究,提出了多层结构铁电薄膜的设计思想,实际制备了M/BIT/p-Si、M/PZT/BIT/p-Si、M/BIT/PZT/BIT/p-Si三种结构铁电薄膜,并测量了它们的I-V特性曲线。结果表明,夹层结构铁电薄膜M/BIT/PZT/BIT/p-Si漏电流密度J最小,在500nm厚时J+(+3V)约2.8×10-10A/mm2,J-(-3V)约1.2×10-12A/mm2优于单层和双层结构铁电薄膜的结果。 相似文献
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Sol—Gel方法制备掺Y PZT铁电薄膜材料的研究 总被引:3,自引:2,他引:1
介绍用Sol-Gel方法制备掺YPZT(PYZT)铁电薄膜的工艺,并比较了PZT和PYZT薄膜的性能参数。实验结果表明,掺Y后使PZT铁电薄膜的性能得到改善 相似文献
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PZT铁电薄膜的制备及电学性能研究 总被引:6,自引:1,他引:5
使用硝酸锆作锆源的溶胶-凝胶方法制备PZT铁电薄膜。他们的电学性能被测试包括电滞回线,电流I(t)特性,漏电流,矫顽场疲劳和老化。测到的PZT薄膜剩余极化8.2μC/cm~2,矫顽场68kV/cm.簿膜的寿命可超过10~(11)周期。 相似文献
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硅基铁电薄膜的制备和特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文详细介绍了在硅衬底上用SOL-GEL方法制备PZT铁电薄膜电容的工艺步骤,对铁电薄膜进行了XPS分析、表面形貌分析、XRD分析,测量了铁电电容的电滞回线及C-V曲线,并分析了各种工艺条件对铁电薄膜性能的影响. 相似文献
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电化学还原法制备PZT薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
以Pb(NO3)2、TiCl3为电解质,利用电化学还原方法在不锈钢基底上制备了钙钛矿型PZT薄膜,并对薄膜样品性能进行了测试,其介电系数接近1300,介质损耗0.6,剩余极化强度12μC/cm^2,矫顽场强63kV/cm。 相似文献
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准分子激光制备多层铁电薄膜的C—V特性研究 总被引:3,自引:2,他引:1
采用脉冲准分子激光工艺,在p型Si(100)单晶基片上,成功地淀积了BIT、PZT/BIT和BIT/PZT/BIT等多层结构的铁电薄膜,采用低频阻抗分析仪,分析了它们的C-V特性曲线的记忆窗口,讨论了记忆窗口与频率的关系,记忆窗口与多层结构的关系。结果表明,三层结构铁电薄膜的C-V特性的窗口优于双层和单层结构的铁电薄膜。 相似文献
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采用脉冲准分子激光工艺在Si(100)单晶基片上,成功地淀积了BIT、PZT/BIT和BIT/PZT/BIT等多层结构的铁电薄膜。通过测量金属/BIT/PZT/BIT/Si多层结构的非回线型C-V特性曲线、电容与保持时间的关系,发现三层BIT/PZT/BIT薄膜具有很好的电容保持特性,是铁电场效应晶体管的理想栅极材料 相似文献
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X射线能谱仪在薄膜器件刻蚀中的应用唐圣明,徐梅娣,陈思琴,林绥娟(中国科学院上海冶金研究所,上海200050)铝钛酸铅[Pb(Ti,Zr)O_3,简称PZT]是一种新型的铁电薄膜材料,具有独特的电学,光学性能,有很广泛的应用价值。PZT薄膜与器件的制... 相似文献
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采用磁增强反应离子刻蚀(MERIE)工艺获得了铁电PbZr053Ti047O3(PZT)薄膜的微细图形.研究了用CHF3气体在不同射频功率和气体流量下PZT薄膜、Pt和AZ1450J光刻胶的刻蚀速率以及刻蚀选择性的实验规律.原子力显微镜(AFM)结果表明,获得的PZT薄膜图形具有较高的各向异性.化学分析电子能谱(ESCA)结果表明,在CHF3等离子体中Pt表面形成了一层碳氟聚合物薄膜,它对Pt的刻蚀起到钝化和保护的作用,并且最后可以在300℃热处理30min被消除. 相似文献
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以Pt为上下电极和中间PZT薄膜的铁电电容器主要由油射法和离子束刻蚀法制备。研究快速热处理实现铁电相转变的条件和离子束刻蚀工艺对铁电容器图形的影响,选择合理的制备工艺可得到针电电容器。 相似文献