(LaxBi1-x)2Ti2O7薄膜X射线光电子能谱研究

采用化学溶液沉积(CSD)工艺在Si(100)衬底上制备了Bi2Ti2O7(BTO(和(LaxBi1-x)2Ti2O7(BLT(铁电薄膜，薄膜的X射线衍射(XRD)结果显示其具有较好的结晶性，运用X射线光电能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了研究，分析结果表明，薄膜中氧空位的出现影响了其相的稳定性，通过掺La可以改善其性能。     

化学溶液沉积法制备的Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的电学性能研究

采用化学溶液沉积工艺在电阻率为 6～ 9Ω·cm的n -Si(10 0 )衬底上生长Bi4Ti3O1 2 铁电多晶膜 ,研究了薄膜的电学性能 ,结果表明在 6 50℃下退火 1h得到的Bi4Ti3O1 2 薄膜具有良好的介电和铁电性能 ,其介电常数ε =12 9,剩余极化Pr=5.1μC/cm2 ,矫顽电场Ec=96kV/cm。     

对羟基苯甲酸醋类防腐剂在酱油、食醋中应用状况分析

了解对羟基苯甲酸酯类防腐剂在酱油、食醋类产品中添加的种类及使用量,为食品中该类防腐剂的质量控制提供依据.由于多种酯类的同时使用,现有判定标准很难确定其用量.为保证检测结果的准确性,建议多种酯同时测定.     

Bi_4Ti_3O_（12）铁电薄膜的I－V特性测量及导电机理

Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄膜是一种具有广泛应用前景的典型的铁电薄膜。本文报道了用ＭＯＣＶＤ方法制备的Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄膜的Ｉ－Ｖ特性测量及其导电机理。结果表明，在低场下，Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）薄膜的Ｉ－Ｖ特性表现为欧姆性质，在中强场下，薄膜的导电机理遵从ＳＣＬＣ理论。     

CSD法制备PZT/Bi2Ti2O7薄膜的研究

用化学溶液分解（ＣＳＤ）法制备Ｐｂ（Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５）Ｏ３（ＰＺＴ）和Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７薄膜,利用Ｘ－射线衍射技术研究了以Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７为籽晶层的ＰＺＴ薄膜的结晶性。实验结果表明,以高（１１１）取向的Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７为籽晶层可获得高结晶性的ＰＺＴ薄膜,在７５０℃退火１０ｍｉｎ的ＰＺＴ／Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７薄膜具有单一的钙钛矿相。     

微米级石英空心小球表面TiO2薄膜的制备及其降解性能的研究

在粒径大小为57～74μm之间的石英空心小球表面成功的镀上一层TiO2薄膜.XRD显示600℃退火时TiO2薄膜结晶性能较好,退火700℃以上开始出现金红石相.镀TiO2薄膜石英空心小球较好的解决了TiO2纳米粉在溶液光降解中易出现的团聚问题.小球衬底的粒径较大,有利于解决TiO2粉状催化剂易出现的难以回收再利用的问题.利用对甲基橙的光降解试验来评估薄膜的催化降解性能,结果表明镀膜小球的光催化性能比TiO2纳米粉的光催化性能要好.     

化学溶液沉积法制备Bi4Ti3O12铁电薄膜及其性质的研究

报道了用化学溶液沉积法采用价格低廉的原料在电阻率为 6～ 9Ω·cm的 n型 Si( 1 0 0 )衬底上生长 Bi4 Ti3 O12 铁电薄膜 ,并对薄膜的性质进行了研究。结果表明此制膜工艺简单 ,成本低 ,制备的 Bi4 Ti3 O12 铁电薄膜具有较低的结晶温度 ,且薄膜均匀 ,致密 ,无裂纹。在 650°C下退火 30 min时得到的 Bi4 Ti3 O12 铁电薄膜具有良好的绝缘性和铁电性 ,薄膜的剩余极化 Pr=4.9μC/cm2 ,矫顽电场 Ec=87k V/cm     

利用SEM观察针形磁粉的堆积状态

<正> 一、引言磁粉是磁记录材料的主要组成部分。对于针形磁粉,不仅应该具有适当的比饱和磁化强度和矫顽力,而且具有良好的分散性和填充性。磁粉的分散性和填充性明显地表现在磁粉的堆积状态上。     

退火温度对(Bi0.8La0.2)2Ti2O7薄膜物理和电学性质的影响

采用化学溶液沉积法,在Si[100]衬底上制备了掺La的(Bi0.8La0.2)2Ti2O7薄膜,研究了退火温度对薄膜结晶性及电学性能的影响.研究发现,随着退火温度的升高,样品的结晶性越来越好;漏电流密度随之降低,表明绝缘性逐渐增强.实验证明该薄膜具有良好的绝缘性和较高的介电常数.     

涂布纸油墨吸收牲的影响因素

探讨了颜料涂布纸油墨吸收性的影响因素。结果表明,在一定范围内,胶乳用量增加,涂层表面孔隙率减小,油墨吸收性降低;配用一定比例的淀粉后,油墨吸收性明显提高,涂布纸平滑度和光学性能有所降低;研磨碳酸钙配比增加,涂层孔隙率增加,油墨吸收性提高。涂料pH值升高,油墨吸收性略有提高,但对印刷光泽度影响不大。干燥时温度迅速升高会引起油墨吸收性的增加;红外干燥对油墨吸收性的影响较电热板干燥缓和。