排序方式: 共有162条查询结果,搜索用时 46 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
6.
Asenic ions are implanted with doses of 5×10~(11)—5×10~(15)/cm~2 into LPCVD polysilicon films onSiO_2 isolating substrate.The polysilicon films have been recrystallized with CW Ar~+ laser beforeimplantation.Electrical measurements show that the resistivity is lowered and the mobility is increasedsignificantly at low doping concentration(~10~(17)As~+/cm~3).Plasma 相似文献
7.
8.
SOI技术的新进展 总被引:4,自引:1,他引:3
林成鲁 《功能材料与器件学报》2001,7(1):1-6
通过对最近两次SOI国际会议的分析,综述了SOI技术取得的新进展。三种SOI技术SIMOX,Smart-cut和BESOI已走向商业化,在高温与辐射环境下工作的SOI电路也走向了市场。近来人们更加重视SOI技术,是因为SOI在实现低压、低功耗电路上的突出优越性。 相似文献
9.
脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光 总被引:2,自引:0,他引:2
用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度 相似文献
10.