| 硅基PT/PZT/PT夹心结构的性能研究 |
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| 引用本文： | 任天令,张林涛,刘理天,李志坚.硅基PT/PZT/PT夹心结构的性能研究[J].电子器件,2000,23(3):169-172. |
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| 作者姓名： | 任天令 张林涛 刘理天 李志坚 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金!( 6 980 6 0 0 7) |
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| 摘 要： | 在已有的以夫机锆盐为原料，用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法制备硅基Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的工艺基础上，地制备出ＰｂＴｉＯ３／Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７Ｏ３／ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ／ＰＺＴ／ＰＴ）夹心式新结构。由于采用了这种闪心式结构，使得ＰＺＴ铁电薄膜的退火温度由原来的９００℃降到了７００℃。通过实验检验了新结构的铁电和介电性能。发现夹心结构有助于提高ＰＺＴ薄膜的品质。
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| 关 键 词： | 夹心结构 PZT PT 硅基 性能 半导体 |
Characterization of Silicon-based PT/PZT/PT Sandwich Structure |
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| REN Tian-ling,ZHANG Lin-tao,LIU Li-tian,LI ZHi-jian.Characterization of Silicon-based PT/PZT/PT Sandwich Structure[J].Journal of Electron Devices,2000,23(3):169-172. |
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| Authors: | REN Tian-ling ZHANG Lin-tao LIU Li-tian LI ZHi-jian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | sandwich structure PZT PT Sol-Gel method |
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