一种新型硅基PT/PZT/PT夹心结构的电性能研究

以无机锆盐为原料,用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法成功地在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ／Ｓｉ衬底上制备出一种新型Ｐｂ－ＴｉＯ３／Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３／ＰｂＴｉＯ（ＰＴ／ＰＺＴ／ＰＴ）夹心结构。这种结构对于ＰＺＴ的晶化有很好的促进作用,其最终的退火温度为７００℃Ｃ－Ｖ特性,介电步率响应,漏电等电性能测试表明这一新型夹心结构具有良好的铁电和介电性能。     

硅基铁电薄膜的制备与电性能研究

用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）方法制备了有ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）过渡层的硅基Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜,顶电极和底电极分别为溅射的金属钛铂层和低阻硅。在低温退火条件下得到了晶化很完善的铁电薄膜,测试结果表明有ＰＴ过渡层的铁电薄膜具有良好的铁电和介电性能。     

CSD法制备PZT/Bi2Ti2O7薄膜的研究

用化学溶液分解（ＣＳＤ）法制备Ｐｂ（Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５）Ｏ３（ＰＺＴ）和Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７薄膜,利用Ｘ－射线衍射技术研究了以Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７为籽晶层的ＰＺＴ薄膜的结晶性。实验结果表明,以高（１１１）取向的Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７为籽晶层可获得高结晶性的ＰＺＴ薄膜,在７５０℃退火１０ｍｉｎ的ＰＺＴ／Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７薄膜具有单一的钙钛矿相。     

铁电-硅集成微麦克风和扬声器的理论设计

在现有Ｐｂ（Ｚｒ,Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的制备工艺基础上,提出并设计了可集成在同一芯片上的基于ＰＺＴ铁电薄膜的压电型微麦克风、扬声器结构,对其灵敏度和声输出进行了理论计算,比较了基于ＰＺＴ和ＺｎＯ两种材料的微麦克风和扬声器的性能差异。     

新型集成微麦克风和扬声器的结构设计

在现有的硅基Ｐｂ（Ｚｒ,Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的制备工艺基础上,提出了一种以ＰＺＴ悬臂式振膜为核心的集成微麦克风和扬声器结构,对其进行了优化设计。对微麦克风和扬声器的灵敏度和声输出进行了理论计算。并比较了基于ＰＺＴ和ＺｎＯ两种材料的微麦克风和扬声器的性能差异。     

真空溅射制备PZT铁电薄膜

采用射频溅射法制备了ＰＺＴ铁电薄膜材料，测量了薄膜材料的介电常数和电滞回线，分析了薄膜的成分。ＸＲＤ分析结果表明，溅射形成的ＰＺＴ薄膜的结构和铁电性能强烈依赖于成膜工艺中的衬底温度。薄膜的居里点为２５０℃左右，靶的组成以Ｐｂ１．１０（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３为宜。     

一种新型集成微麦克风和扬声器的设计

基于现有的硅基Ｐｂ（Ｚｒ,Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的制备工艺,提出了一种用于微麦克风和扬声器的新型ＰＺＴ悬臂式振膜结构。对这种悬臂结构的结构参数进行了优化设计,并对其灵敏度的声输出进行了理论分析。结果表明采用这种ＰＺＴ悬臂式结构的微麦克风和扬声器的性能有望超过以往文献中报道过的微麦克风和扬声器。     

准分子激光扫描淀积PZT/YBCO结构铁电薄膜

利用脉冲准分子激光（工作气体ＸｅＣｌ，波长３０８ｎｍ，脉宽２８ｎｓ）在外延ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ３（１００）单晶基片上淀积了Ｐｂ（Ｚｒ０．５５Ｔｉ０．４５）Ｏ３铁电薄膜，ＹＢＣＯ薄膜既为生长高取向ＰＺＴ薄膜提供了晶体匹配条件，同时也为ＰＺＴ铁电薄膜提供了下电极。讨论了工艺参数对晶相结构和表面形貌的影响。用Ｘ射线衍射表征了该多层膜的晶相结构，扫描电镜观察其表面形貌。ＰＺＴ铁电薄膜的剩余极化为２１μＣ／ｃｍ２，矫顽场为６５ｋＶ／ｃｍ。     

高温PTC陶瓷中铅对T_C移动效果的实验

在制备高温ＰＴＣ陶瓷时，以加入ＰｂＴｉＯ３的形式引进Ｐｂ成分达到提高ＴＣ的目的取得了很好的效果，移动效率最高达６．５℃／１０－２（ｍｏｌ）。分析了加入Ｐｂ－ＴｉＯ３与加入ＰｂＯ或Ｐｂ３Ｏ４效果不同的原因     

硅基PZT铁电薄膜的界面和表面研究

用高分辨岸民镜等手段研究了溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）工艺制备的硅基Ｐｂ（Ｚｒ,Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜,发现在ＰＺＴ的上表面生成了ＳｉＯ２,ＰＺＴ与硅衬底的界面处形成了无定型的ＳｉＯｘ层并有铅的沉积,而且热处理温度越高,这种现象越显著。这些结构严重影响了ＰＺＴ铁电薄膜的品质及其应用。在分析上述结构产生机制的基础上提出了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺的改进方法。     

PT2262/PT2272的多通道硬件控制方法

分析了两种扩展PT2262/PT2272控制通道的常用方法及其优缺点,提出了用PT2262/PT2272的硬件编码器和译码器实现了多通道控制的方法并利用该方法设计了64-6编码器和6-64译码器在PT2262/PT2272中的具体实现电路。通过实验表明,该电路具有响应速度快,无需软件编程的优点。     

红外遥控接收器PT2249A/PT2250A

PT2249A／PT2250A系列是普林思顿技术公司推出的远红外控制接收器，它采用互补金属半导体（CMOS）技术，具有功耗低，抗干扰能力强等优点，适用于音响设备及电视机的遥控系统，本文介绍了PT2249A／PT2250A系列红外遥控上器的主要特点，设计原则及实用接口电路。     

PT2262/PT2272编解码IC在无线智能报警系统中的应用

本文提出了一种用PT2262／PT2272编解码IC电路实现自动探测报警，并能用中文直接指示报警发生地点和报警类型的智能报警系统的设计方案，对其工作原理和关键电路作了深入的分析。     

2002年中国国际通信展综合报道

１０月２９日～１１月２日，２００２年中国国际通信设备技术展览会在国展隆重召开。在整个电信行业持续低迷的大形势下，在风景这边独好的中国举办这样的盛会便显得更加意味深远。国内６大电信运营商首次以强大的阵容和崭新的面貌在展会上亮相，世界各大电信设备制造商携先进和完整的解决方案向人们展示其雄起、重获赢利的信心，国内的设备制造商也充分展示了民族产业奋起直追的硕果。运营商的精彩中国电信目前最迫切的问题是恢复增长，随着前期一些高增长业务的剥离，中国电信的年度增长已经回落到个位数的百分比，传统业务的收益潜力在逐…     

2007年中国国际通信设备技术展览会

2007年中国国际通信设备技术展览会将于2007年10月23日至27日在北京中国国际展览中心举办。     

不同PT厚度的PZT/PT复合薄膜的性能研究

采用改进的sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备PZT/PT复合薄膜(共10层),PT的层数分别为2,4,6和8层。结果表明,600℃热处理的PZT/PT复合薄膜为钙钛矿结构,无第二相。随着PT厚度的增加,εr变小,100kHz时为313～228。tgδ在频率低于100kHz时,不随PT厚度变化,为0.015左右;频率为100kHz～1MHz时,PZT6/PT4tgδ最大,1MHz时仍小于0.06。     

看2004北京国际通信展

"年年岁岁花相似,岁岁年年人不同",几乎每届通信展都令人发出类似的感叹.这次由信息产业部和中国国际贸易促进委员会主办的国际通信展,在中国将开放3G的前夕推出,对国际通信巨头和国内厂商来说,是一次绝佳的机会.