新型MOS氧化层TiO_2薄膜

采用低压MOCVD法在(111)取向硅基上制备了TiO2薄膜代替通常MOS结构的SiO2,并测量了TiO2薄膜的介电常数、表面固定电荷密度和电阻率,与SiO2作比较,结果表明:TiO2的MOS结构比SiO2具有更优良的性质,更适应于超大规模集成电路制造。     

科学技术的进步不断推动着人类社会的发展——浅谈印刷术的发明和对中西方社会的影响

"科学技术是第一生产力"。纵观中国与世界的文明史,我们不难发现,在这中间科学技术无论是作为重要的内容还是媒介、手段都对人类社会文明的进程起着不可忽视的作用。中国古代印刷术的产生和发展对世界和人类的进步所起到的促进作用是勿庸置疑的。马克思在《机器、自然力和科学的应用》中说"火药、罗盘、印刷术——这是预兆资产阶级社会到来的三项伟大发明。火药把骑士阶层炸得粉碎,罗盘打开了世界市场并建立了殖民地,而印刷术却变成新教工具,并且一般地说变成科学复兴手段,变成创造精神发展的必要前提的最强大的动力。"     

脱合金法制备Ti-Bi基光催化剂

如何制备高效、廉价的半导体光催化剂以实现其在清洁能源和环境修复等领域的应用一直是研究的难点和热点.本文用简单的脱合金腐蚀法,将钛铋合金在硝酸中腐蚀,然后适当热氧化,制备Ti-Bi基光催化材料.通过控制腐蚀时间调控合金中铋的残余,并选择不同的热处理温度控制材料结晶的形貌和晶型,最终制备出了α-Bi<,2>O<,3>,TiO<,2>/α-Bi<,2>O<,3>、TiO<,2>和钛酸铋(Bj<,12>TiO<,20>/Bi<,4>Ti<,3>O<,12>)系列纳晶光催化剂.进一步的光催化研究表明,其中的TiO<,2>/α-Bi<,2>0<,3>、TiO<,2>和钛酸铋在紫外光下对甲基橙有较好的光催化活性.     

晶体形貌学的新近发展

介绍了晶体形貌学的历史地位和作用,阐述了晶体形貌学与现代先进仪器及前沿理论相结合而产生的几个新的发展趋势,所有这些发展都会深化及拓宽晶体形貌学的研究内容,并会对其它前沿科学理论（分形几何学、耗散结构理论、协同学等）的发展做出贡献。     

低压MOCVD生长TiO2薄膜结构和电性能研究

采用低压MOCVD法沉积生长了TiO2薄膜，研究了Si衬底取向，退火温度，退火时间，退火气氛对其结构和电性能的影响，结果表明，500℃下沉积生长于Si(111)和Si(100)上的TiO2薄膜为锐钛矿相多晶膜，经过600℃以上退火处理后，均可转变为纯金红石相结构。其中，Si(111)上的TiO2薄膜更容易转变为金红石相结构，而Si(100)上的TiO2薄膜，需要更高的退火温度和更长的退火时间才能转变为金红石结构。结果还表明，退火气氛中氧分压的大小对TiO2薄膜的结构无明显的影响。     

新型MOS氧化层TiO2薄膜

采用低压MOCVD法在(111)取向硅基上制备了TiO2薄膜代替通常MOS结构的SiO2，并测量了TiO2薄膜的介电常数、表面固定电荷密度和电阻率．与SiO2作比较，结果表明：TiO2的MOS结构比SiO2具有更优良的性质．更适应于超大规模集成电路制造。     

多孔新水膜—油水分散体系界面现象研究

研究固体（多孔亲水膜）与油水分散体系之界面现象，从理论和实践上发现和证实了在亲水固体表面附近存在一层不含油珠的纯水粘附层，这纯水层的厚度可达几ｕｍ，它的大小取决于固体及油水分散体系的物化性质，也受体系水力学条件影响。这个结果有利于膜分相机理的研究，也给膜分相的应用设计提供了有益的参考。     

液膜除酚中膜相与内相界面张力的研究

本文测定了液膜除酚中膜相与内相的界面张力,发现内相中存在酚钠时,两相界面张力值降低,这表明在相界面上存在酚钠的吸附。还发现,内相中氢氧化钠的浓度对两相界面张力也有影响.当氢氧化钠从0增至1%时,界面张力随之减小,当氢氧化钠从1%继续增至5%时,界面张力却随之增加。本文对产生这些现象的原因,进行了初步探讨。     

CSD法制备PZT/Bi2Ti2O7薄膜的研究

用化学溶液分解（ＣＳＤ）法制备Ｐｂ（Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５）Ｏ３（ＰＺＴ）和Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７薄膜,利用Ｘ－射线衍射技术研究了以Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７为籽晶层的ＰＺＴ薄膜的结晶性。实验结果表明,以高（１１１）取向的Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７为籽晶层可获得高结晶性的ＰＺＴ薄膜,在７５０℃退火１０ｍｉｎ的ＰＺＴ／Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７薄膜具有单一的钙钛矿相。     

MOD法制备掺钐钛酸铋铁电薄膜

利用 MOD法在电阻率为 5～ 6Ω· cm的 n- Si(10 0 )衬底采用旋转甩膜工艺制备了 Sm0 .85Bi3.1 5Ti3O1 2(SBT- 0 .85 )铁电薄膜 ,研究了薄膜的结晶性能和电学性能。结果表明 ,在 70 0°C下退火 1h得到的 Sm0 .85Bi3.1 5Ti3O1 2 薄膜具有良好的铁电、介电和绝缘性能。在± 5 V的范围内 ,电容 -电压 (C- V)曲线记忆窗口宽度为 3.6 V;在室温 10 0 0 k Hz下 ,其介电常数为 4 5 ,介电损耗为 0 .0 4 ;在 3V电压下 ,薄膜的漏电流为 3× 10 - 8A。