ArF准分子激光立方氮化硼薄膜的制备

采用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积方法（ＰＬＤ），以六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）作靶在Ｓｉ（１００）衬底上制备氮化硼薄膜。ＸＲＤ及ＦＴＩＲ透射谱测量表明生成的氮化硼薄膜是含有少量六方氮化硼结构的立方氮化硼（Ｃ－ＢＮ）．ＡＥＳ测量表明不同条件下生成的薄膜中Ｎ与Ｂ的相对含量是不同的，最大比例近乎为１：１，薄膜的维氏显微硬度ＨＶ最大值为１５８０ｋｇ／ｍｍ２。     

低温校准装置导热介质对校准结果的影响研究

针对低温校准装置中导热介质对校准结果的影响进行了研究，介绍了研制的低温传感器校准装置，分析了低温温度传感器的校准装置中传感器与恒温块之间空气间隙大小对校准结果的影响，以及向缝隙中填充不同导热介质对低温校准结果的影响，理论分析了产生误差的原因并通过实验给出了其校准不确定度。针对存在的问题给出了合理建议和解决方法，优化校准方案，给出了减小低温校准装置校准不确定度的方法。     

氯苯液芯光纤中的受激喇曼散射

以调QYAG激光器的倍频输出(532.1nm)为泵浦源,进行氯苯液芯光纤的受激喇曼散射实验。得到了四阶斯托克斯线和一阶反斯托克斯线,还观察到了斯托克斯谱线非对称的超展宽现象。对实验结果进行了理论探讨。     

Pb（Zr_（0．52）Ti_（0．48））O_3铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积

用ＡｒＦ脉冲准分子激光在ＳＯＩ和Ｐｔ／ＳＯＩ衬底上沉积了Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３铁电薄膜，并用快速退火进行热处理。ｘ射线衍射、卢瑟辐背散射等分析表明：所结晶的薄膜是以（１００）和（１１０）为主要取向的多晶膜，且结晶情况与热处理温度和时间密切相关；ＰＺＴ薄膜呈现铁电性，其剩余极化Ｐｒ＝１５μｃ／ｃｍ￣２，矫顽电场Ｅｃ＝５０ｋＶ／ｃｍ；并且具有较高的介电常数和较高的电阻率。     

SOI上PZT铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积及其快速退火研究

用ＡｒＦ脉冲准分子激光在ＳＯＩ和Ｐｔ／ＳＯＩ衬底上沉积了Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３铁电薄膜，并用快速退火进行热处理．Ｘ射线衍射、卢瑟辐背散射等分析表明：所结晶的薄膜是以（１００）和（１１０）为主要取向的多晶膜，且结晶情况与热处理温度和时间密切相关；ＰＺＴ薄膜呈现良好的铁电性．     

脉冲准分子激光PZT薄膜的制备

本实验采用脉冲准分子激光沉积（ＰＬＤ）法，在１９３ｎｍ波长，５Ｈｚ频率，４Ｊ／ｃｍ２能量密度条件下，分别在Ｓｉ（１００）和ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上成功地沉积Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）薄膜，并在不同的条件下对ＰＺＴ薄膜进行退火处理。用ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＡＳＲ等方法分别测量了薄膜的结构、组份和厚度。     

四氯化碳和苯乙醇混合液液芯光纤中的受激喇曼散射和四波混频

用调QYAG激光器的倍频光(λ=532.1nm)在充有四氯化碳和苯乙醇混合液液芯光纤中观察到受激喇曼散射(SRS)和四波混频(FWM)现象,对各条谱线的频率进行了标定,并给出了一些理论分析。