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| 采用CoSi_2SALICIDE结构CMOS/SOI器件辐照特性的实验研究 | |
| 引用本文： | 张兴,黄如,王阳元.采用CoSi_2SALICIDE结构CMOS/SOI器件辐照特性的实验研究[J].半导体学报,2000,21(5):460-464. |
| 作者姓名： | 张兴 黄如 王阳元 |
| 摘 要： | 讨论了CoSi2SALICIDE结构对CMOS/SOI器件和电路抗γ射线总剂量辐照特性的影响.通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明,CoSi2SALICIDE结构不仅可以降低CMOS/SOI电路的源漏寄生串联电阻和局域互连电阻,而且对SOI器件的抗辐照特性也有明显的改进作用.与多晶硅栅器件相比,采用CoSi2SALICIDE结构的器件经过辐照以后,器件的阈值电压特性、亚阈值斜率、泄漏电流、环振的门延迟时间等均有明显改善.由此可见,CoSi2SALICIDE技术是抗辐照加固集成电路工艺的理想技术之一. |
| 关 键 词： | CMOS/SOI SALICIDE 辐照特性 |
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