| 一种带曲率补偿的CMOS带隙基准源 |
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| 引用本文： | 贾孜涵,冯全源,庄圣贤.一种带曲率补偿的CMOS带隙基准源[J].电子元件与材料,2015,34(5):50-53. |
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| 作者姓名： | 贾孜涵 冯全源 庄圣贤 |
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| 作者单位： | 西南交通大学微电子研究所,四川成都,610031 |
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| 摘 要： | 设计了一种基于UMC 0.25μm BCD工艺的带隙基准电路。采用放大器钳位的传统实现方式,运用自偏置启动电路,鉴于对温漂的要求选用了二阶补偿电路。HSPICE仿真结果显示:在5.0 V供电电压下,温度在–40~+125℃变化时,基准输出1.196 2 V,波动范围为1.195 9~1.196 3 V,温度系数为3.76×10–6/℃;电源电压从2.5 V到5.0 V变化时,基准输出电压VREF的线性调整率为0.38%,低频时电路的电源抑制比(PSRR)为–83 d B。
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| 关 键 词： | 带隙基准源 曲率补偿 温度系数 电源抑制比 线性调整率 低温漂 |
CMOS bandgap reference with curvature compensation |
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| JIA Zihan,FENG Quanyuan,ZHUANG Shengxian.CMOS bandgap reference with curvature compensation[J].Electronic Components & Materials,2015,34(5):50-53. |
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| Authors: | JIA Zihan FENG Quanyuan ZHUANG Shengxian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bandgap reference curvature compensation temperature coefficient PSRR linear regulation low temperature drift |
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