ULSI相移光刻技术＊

相移掩模光刻技术,是近几年来为了开发超大规模集成电路(ULSI)而发展起来的一种新颖光刻技术。它应用了光学相移掩模方法,大大提高了现有光学光刻设备的分辨率水平。本文综述了相移光刻技术的发展及其在ULSI中的应用。     

亚分辨图形相移掩模的制作方法

介绍亚分辨图形掩模的原理,应用及具有亚分辨图形的相移掩模和传统掩模的制作方法和工艺。     

相移掩模对曝光图形空间像光强分布影响的计算机模拟

本文讨论了提高曝光分辨率的一种主要方法：相移掩模方法。分析了相移掩模提高分辨率的原理，提出了相移掩模成像的模拟思想，推导了数学公式，并实现了计算机模拟，给出了一些初步结果。     

相移掩模清洗结晶控制

在高端集成电路制造方面,普通二元掩模已经不能满足晶圆使用要求。目前,高端(线宽0.18μm以下)集成电路生产主要采用相移掩模。相移掩模(Phase Shift Mask)制作过程中,掩模表面结晶(Haze)问题较难控制。为了控制和解决相移掩模表面结晶问题,提高成品率,主要讨论了不同的清洗工艺(Recipe)对相移掩模结晶的影响。然后通过实验验证了通过优化清洗工艺(Recipe),可以明显改善相移掩模表面结晶问题,达到控制相移掩模表面结晶的目的。     

基于凸投影算法的多相位掩模设计原理研究

根据所需光刻图形的分布,反推掩模结构的思路,提出了一种基于交替投影算法的掩模设计方法。该方法设计出的掩模为振幅和相位连续。并给出了一个设计实例和量化方法。实验结果表明该方法对复杂相移掩模的设计有效,可以减小邻近效应。     

激光光刻与相移掩模

本文评述了激光光刻可能采取的方式及其待解决的问题,并对相移掩模技术作了概要的介绍。     

用光致抗蚀剂膜层制作衰减相移掩模

提出一种用光致抗蚀剂膜层制作单层结构衰减相移掩模的新方法,介绍这种方法的原理和制作工艺,并给出这种方法制作的衰减相称掩模用于准分子激光光刻实验,得到显著提高光刻分辨力的实验结果。     

先进相移掩模(PSM)工艺技术

先进相移掩模(PSM)制造是极大规模集成电路生产中的关键工艺之一,当设计尺寸(CD)为0.18μm时,就必须在掩模关键层采用OPC(光学邻近校正)和PSM(相移技术),一般二元掩模由于图形边缘散射会降低整体的对比度,无法得到所需要的图形。通过相位移掩模(PSM)技术可以显著改善图形的对比度,提高图形分辨率。相移掩模是在一般二元掩模中增加了一层相移材料,通过数据处理、电子束曝光、制作二次曝光对准用的可识别标记、二次曝光、显影、刻蚀,并对相移、缺陷等进行分析和检测,确保能达到设计要求。     

相移掩模的制作

本文阐述相移掩模技术研究中，常用的几种主要相移掩模制作方法，重点介绍了无络ＰＳＭ、Ｌｅｖｅｎｓｏｎ交替型ＰＳＭ、边级ＰＳＭ、亚分辨辅助ＰＳＭ以及激光直写制作ＰＳＭ的方法。     

交替型暗域相移掩模的并行算法

设计并实现了一种暗域相移掩模(PSM)问题的并行算法。首先根据"分而治之"的原则,将输入版图划分为若干尺寸较小的、易于解决的子版图;然后分配每个子版图给不同的进程,各个进程同时独立地消除子版图的相位冲突;最后将所有的子版图重新组合,生成没有相位冲突的相移掩模版图。实验结果表明,采用4进程的并行PSM算法,可以减少近64.3%的计算时间,获得2.8的加速比。算法还可以有效地减少冲突图中冲突的数目和边的数目。     

边缘增锐型相移光刻技术的研究及其数值模拟

相移光刻技术可以提高光刻设备的分辨率，为制作二元光学器件及超大规模集成电路提供了更强的技术力量，本文简单介绍相移光刻技术的基本原理，用自编的软件通过数值模拟对边缘增锐相移光刻技术做了探讨，给出了适合国内ｇ－线投曝光机的边缘增锐型相移掩模的设计参数。     

光折变位相图

提出并实验证明了一种利用光折变效应制作体位相图的新方法。这种体位相图是可见的。该方法具有实时、简便等优点。在集成光学和光学信息处理中具有重要的应用前景。     

随机相位编码光学图像加密研究进展

针对随机相位编码光学图像加密技术,简要回顾了它的国内外研究进展,并讨论了它的发展态势.     

相移掩模保护膜残留胶清洗方式研究

相移掩模(Phase Shift Mask)在实际使用过程中,往往会因为保护膜沾污、损坏或者因为掩模结晶(Haze)等问题需要返回掩模工厂进行重新贴膜。重新贴膜时需要先去除保护膜并清洗。传统的清洗方式是采用硫酸+双氧水(SPM)来进行清洗。不过对于相移掩模来说,SPM清洗方式容易造成硫酸根残留,进而造成产品Haze问题,影响产品使用。通过采用不同的清洗方法进行对比和优化实验,找出了最佳的非SPM方式去除保护膜残留胶的方法。     

Placement of scattering bars in binary and attenuated phase shift mask for damascene trench patterning

Scattering bars have been very effective technique to increase the common lithography process window for patterns with design rules 0.18 μm and below. This paper studies the placement of scattering bars in binary and attenuated phase shift mask in damascene trench patterning. Different partial coherence values are used to compare the scattering bar effect in binary and 8% attenuated phase shift mask. At low partial coherence (σ) the trench size has been found more sensitive to scattering bar parameters than at high σ. Scattering bar separation is found more effective than size to affect the trench critical dimension (CD). At low partial coherence a deep valley or ‘V’ shaped CD trend is found in scattering bar separation versus CD curve. CD dip is more using APSM as compared to binary mask. The process latitude is poor at valley as compared to top. Also, 3 sigma CD variation and range is higher at valley as compared to other separations of the scattering bars.     

紫外光源的空间相干性对光纤光栅写入的影响

对相位掩膜法紫外写入光纤光栅技术中紫外光源的空间相干性对光纤光栅特性的影响进行了详细的理论与实验研究。结果表明,紫外定入光源的空间相干性对光纤光栅的特性有一定的影响,只有在紫外光垂直入射且光敏光纤靠近相位掩模板的情况下,才能制作出性能优良的光纤光栅。     

精密光掩模的激光修整技术

通过对掩模缺陷和激光特点的分析，提出用激光气化法修整掩模缺陷中多余铬缺陷的技术，对LMT型激光修版机进行了改进。给出了改造和更新的技术要点，在该机上进行了工艺实验，并对结果进行了分析，提出了改进激光修版技术的有关措施。实验表明：当物镜与待修模板之间的距离为1．604mm，激光泵浦灯管的预燃电压为300V时，可以达到最佳的修版效果。