用钽吸收体作图形的高反差、亚微米x射线掩模

研制了一种钽吸收体图形的 x 射线掩模。为了制作钽吸收体图形,采用了反应离子刻蚀全干式工艺,这样不仅使得亚微米图形成形极为精确,而且简化了掩模制造过程。精确地控制好射频溅射时的氩气压,使钽膜的应力保持在±10kg/mm~2以内。在制作吸收体图形时,采用中间体 SiO_2层作为腐蚀掩蔽层,用反应溅射腐蚀的方法得到了高于10的 Ta/PMMA 腐蚀选择比,获得了高反差的亚微米 x 射线掩模,最小图形宽度为0.2μm、最大高宽比大于3。     

衍射干涉光刻研究

光刻就是将掩模版上的图形转移到基底的过程,广泛应用于微电子、微机械领域。衍射现象是光刻工艺无法避免的问题,当掩模图形尺寸接近光源波长时,就会产生衍射干涉现象。利用这一现象,可以产生小于掩模图形尺寸的图形。采用严格耦合波分析算法对光刻过程中的衍射干涉做了仿真分析;并用karl suss MA6光刻机实现了基于掩模的干涉光刻实验,通过增加滤光片得到相干光源,增强光刻过程的衍射,形成衍射干涉,掩模版透光区域和部分不透光区域下方的光刻胶得到曝光,利用微米尺度的光栅图形,在光刻胶上产生亚微米的光栅;最后利用干法刻蚀工艺,在硅基底上加工出亚微米尺度光栅。     

相移掩模的制作

本文阐述相移掩模技术研究中，常用的几种主要相移掩模制作方法，重点介绍了无络ＰＳＭ、Ｌｅｖｅｎｓｏｎ交替型ＰＳＭ、边级ＰＳＭ、亚分辨辅助ＰＳＭ以及激光直写制作ＰＳＭ的方法。     

0.3微米移相掩模光刻

用移相掩模提高i线步进曝光的分辨率,这是本文讨论的问题。文中研究了重复线条,也研究了孤立线和孔状图形。为在光刻孤立窗口时,得到窄细亮线,在掩模主体狭缝的两侧附加辅助狭缝。辅助狭缝的宽度小于镜头的临界值。主体狭缝与辅助狭缝的光相位相反。辅助狭缝的作用在于减小亮线的宽度,使其小于镜头的线扩展函数值。主体狭缝及周围的四个辅助狭缝,也同样适用于小孔图形光刻。文中对移相掩模和普通掩模在片子上的光强分布进行了计算对比,并用额定分辨率为0.55μm的i线步进曝光机,将图形制作在片子上。用移相掩模光刻,0.3μm线条/间隔、0.3μm孤立窗口及0.4μm孔图形都可以分辨。而用普通掩模光刻,其图形不能分辨。对辅助狭缝光相位的变化作用,本文也进行了讨论。光强计算及实验结果表明,改变狭缝的光相位,能够控制最佳聚焦位置。     

同步辐射软X射线曝光工艺研究

本文介绍利用北京正负电子对撞机同步辐射软X射线光刻装置进行亚微米X射线光刻技术和深结构光刻的实验研究。通过对曝光剂量、掩模、抗蚀剂等工艺实验,初步得到适合于目前条件的较好的同步辐射X射线光刻工艺条件,并光刻出0.3μm的亚微米图形和抗蚀剂厚度为36μm深光刻图形。     

掩模测量

<正> 掩模套准测量系统用来鉴定将要出厂的掩模版的质量,以确保使用者的技术要求。掩模检测程序和合格/不合格的条件通常都已定好,一般情况下,应从以下几方面考虑版的验收方案:1.掩模图形位置误差及对片子成品率的影响;2.掩模的技术条件及对掩模成本和制造周期的影响;3.每张掩模版或初缩版上芯片图形的数目;4.每套掩模曝光处理硅片的数目;5.采样图形及代表整张掩模上图形总位置误差的采样图形精度;6.在作出合格/不合格决定时可接受的冒险程度。     

X射线光刻法——一种新的高分辨率复印法

阻碍广泛采用提供高分辨率图形清晰度的扫描电子束光刻的两个问题是电子束光刻必须连续曝光所有的图形,以及电子束的设备复杂和成本高。显然,两者可通过新近发展的 X 射线光刻法来克服,用类似于接触影印光刻方法的 X 射线光刻可获得复印亚微米分辨率图形。还有一个优越性是容许掩模与祥片间有一定间隔。本文叙述了 X 射线光刻法并且对制作亚微米分辨率图形清晰度的实施的前途作了估价。     

大规模集成电路掩版模的检查与质量分析

在大规模集成电路的制造中,掩模版的特点是:1)掩模必须是分层作图,且每层之间的掩模图形按设计要求套刻;2)、掩模的图形尺寸变化应控制在设计的一定容差范围;3)掩模图形内的任何缺陷,都会导致电学的穿通或错误连结,所以对缺陷尺寸、位置及密度都有严格要求;4)掩模图形本身的质量,包括黑白反差和边缘锐度等等将会影响光刻工艺质量,这也是对掩模要求着眼点之一,…….     

亚微米图形曝光机

最近日本加农公司发表了一种用于超大规模集成电路的高精度投影曝光机,并已出售商品,以前人们普遍认为投影曝光方式,在大规模集成电路等微米领域的图形制作中是很有效的。但若用于超大规模集成电路等亚微米领域是不太可能的。加农公司采用综合透镜技术制出了超高分辨率透镜,进而打破了投影曝光方式不能用于亚微米技术的错误结论,成功地制出了亚微米图形曝光机。 用电子束或接触方式制作亚微米半导体器件一般是很有效的。但是,以激光和X线为光源的电子束方式,曝光时间太长。接触方式制备掩模太困难,成品率也低,因此都具有局限性。而投影曝光方式曝光时间短,又由于光掩模不与片子直接接触,所以成品率大大提高。 加农公司的这种新的亚微米图形曝光机不仅可以用作超大规模集成电路,也为超高频晶体管、CCD(电荷耦合器件)等新器件的研制开拓了新的途径。     

日电中央研究所试制采用SiN隔离层的X射线曝光用的掩模

<正> 日本电气中央研究所试制了实用性强、容易形成微细图形的采用SiN隔离层的X射线曝光用的掩模。过去,形成厚-宽比大的金的微细图形的方法有多种,但不论哪种方法在生产性、线宽控制及缺陷宽度等方面都有问题。该所用等离子体CVD方法形成的SiN膜,以其生产条件决定的易腐蚀的特性而引人注目,因此进行SiN隔离法的研究,也容易得到亚微米领域的金微细图形。形成图形的工艺步骤如下:在掩模基板上顺次形成作为附着层的钛(50A)和作为电镀     

永冲阶梯调制技术在短波发射机中的应用

介绍了脉冲阶梯调制（PSM）技术的基本结构和工作原理,简单描述了以该技术为核心的短波发射机的组成,重点介绍了脉冲阶梯调制系统中的控制部分和功率模块链路部分的构成方案。     

基于Hermite多项式的UWB脉冲形状调制

针对使用窄脉冲传输数据的超宽带系统,依据修正Hermite函数的正交、无直流分量等特性,提出了一种基于正交UWB脉冲的PSM超宽带系统.仿真结果表明该设计能改善系统性能,降低误码率.     

浅谈稳定帘栅压,改善PSM调制杂音和失真原理

本文结合作者在实际工作中的实践,通过对PSM帘栅调制原理的详细阐述,探讨如何改善PSM发射机失真和杂音。     

A pixel-based regularization approach to inverse lithography

Inverse lithography attempts to synthesize the input mask which leads to the desired output wafer pattern by inverting the forward model from mask to wafer. In this article, we extend our earlier framework for image prewarping to solve the mask design problem for coherent, incoherent, and partially coherent imaging systems. We also discuss the synthesis of three variants of phase shift masks (PSM); namely, attenuated (or weak) PSM, 100% transmission PSM, and strong PSM with chrome. A new two-step optimization strategy is introduced to promote the generation and placement of assist bar features. The regularization framework is extended to guarantee that the estimated PSM have only two or three (allowable) transmission values, and the aerial-image penalty term is introduced to boost the aerial image contrast and keep the side-lobes under control. Our approach uses the pixel-based mask representation, a continuous function formulation, and gradient-based iterative optimization techniques to solve the inverse problem. The continuous function formulation allows analytic calculation of the gradient in O(MNlog (MN)) operations for an M × N pattern making it practically feasible. We also present some results for coherent and incoherent imaging systems with very low k₁ values to demonstrate the effectiveness of our approach.     

对一台光栅扫描电子束曝光机制作掩模版质量的分析

本文在成熟使用电子束曝光机制作各种掩模版的基础上,针对评价掩模版质量的三大因素:图形尺寸精度、图形套准精度、芯片合格率逐一详细分析,以研究探讨如何应用电子束曝光机制作高质量的掩模版。     

3B1束线上LIGA掩模的设计研究

BSRF中的 3B1光束线与LIGA实验站过去使用的 3W 1光束线相比 ,其同步辐射X光光谱较软、光强较弱 ,但可实现专用光和兼用光两用。现在LIGA实验站移到 3B1光束线 ,为此必须进行新的LIGA掩模设计、制作。结合此研究目的 ,本文通过使用XOP和Origin两个软件进行设计、计算 ,分别得到了专用和兼用时 3B1光束线在传输过程中的各级能谱图和传输、吸收数据 ,并针对这两种不同的用光情况分别设计、研究了两种不同组合的掩模 :Au PI组合和Au Si组合。     

Binary and phase shifting mask design for optical lithography

The authors propose a number of pre-distorted mask design techniques for binary and phase-shifting masks. Their approach is based on modeling the imaging mechanism of a stepper by the Hopkins equations and taking advantage of the contrast-enhancement characteristics of photoresist. Optimization techniques such as the branch and bound algorithm and simulated annealing algorithm are used to systematically design pre-distorted masks under incoherent and partially coherent illumination. Computer simulations are used to show that the intensity contour shapes and developed resist shapes of their designed mask patterns are sharper than those of conventional masks. The designed phase-shifting masks are shown to result in higher contrast as well as sharper contours than binary masks. An example of phase conflicting masks designed with the algorithm is shown to outperform a simple intuitive design. This example indicates that a fairly general design procedure consisting of alternating phase shifts and their optimized phase-shift masks is a viable candidate for future phase-shifting mask design     

Two-Dimensional Encoding Masks for Hadamard Spectrometric Imager

Techniques to improve upon the design of two-dimensional encoding masks for multiplex Hadamard spectrometric imagers are described. The technique to generate masks based on completely orthonormal codes is described. In some cases, self-supporting masks result which were not previously known. Transmission through the encoding masks (but not necessarily the signal-to-noise ratio) can also be increased.     

用迭代傅里叶变换算法实现光学分级图像加密

在虚拟光学数据加密理论的基础上,基于光学4f系统及迭代傅里叶变换算法(IFTA),提出利用多个相位板进行分级图像加密的方法,将不同密级的图像分别加密到不同的相位板中,给出其理论原理和实现方法,并通过计算机模拟验证了该方法的有效性。在解密过程中,利用不同数目的相位板可以得到不同图像,相位板越多,得到的图像也就越多。随着相位板数目的增加,要想得到正确的解密图像,相位板放置的次序也有严格要求,系统的安全性也因此大大提高。此方法可将信息进行分级加密,用于对不同权限级别的用户开放,也可用于安全认证和准入检查系统。     

Group-delay ripple reduction in step-chirped fiber Bragg gratingsby using laser-beam written step-chirped phase masks

Step-chirped phase masks for step-chirped fiber Bragg gratings (FBGs) were fabricated by employing a new writing strategy, in which the beam is able to scan a step-chirped pattern all at once or continuously. This new writing strategy was realized by using a raster scan-type laser-beam writing system. Linearly and nonlinearly step-chirped FBGs, fabricated by using these masks, show very low group-delay ripple characteristics, which means that the masks have fewer stitching errors than conventional step-chirped masks