| 相移掩模对曝光图形空间像光强分布影响的计算机模拟 |
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| 引用本文： | 沈锋 冯伯儒. 相移掩模对曝光图形空间像光强分布影响的计算机模拟[J]. 微细加工技术, 1995, 0(1): 7-14 |
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| 作者姓名： | 沈锋 冯伯儒 |
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| 作者单位： | 中科院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 本文讨论了提高曝光分辨率的一种主要方法：相移掩模方法。分析了相移掩模提高分辨率的原理，提出了相移掩模成像的模拟思想，推导了数学公式，并实现了计算机模拟，给出了一些初步结果。
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| 关 键 词： | 相移掩模 光刻 计算机模拟 VLSI 集成电路 |
COMPUTER SIMULATION OF EFFECTS OF PHASE-SHIFT MASK ON AERIAL IMAGE INTENSITY PROFILE OF PHOTOLITHOGRAPHIC PATTERN |
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| Sken Feng, Feng Boru, Sun Guoliang. COMPUTER SIMULATION OF EFFECTS OF PHASE-SHIFT MASK ON AERIAL IMAGE INTENSITY PROFILE OF PHOTOLITHOGRAPHIC PATTERN[J]. Microfabrication Technology, 1995, 0(1): 7-14 |
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| Authors: | Sken Feng Feng Boru Sun Guoliang |
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| Abstract: | In the paper described are principles of improving resolution by use of phaSe-shift mask(PSM),PSMsimulation ideas,matl1ematics and Some initial iesults given by computer simulation. |
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| Keywords: | phase-shift mask computer simulation photolithographic resolution |
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