相移掩模对曝光图形空间像光强分布影响的计算机模拟

本文讨论了提高曝光分辨率的一种主要方法：相移掩模方法。分析了相移掩模提高分辨率的原理，提出了相移掩模成像的模拟思想，推导了数学公式，并实现了计算机模拟，给出了一些初步结果。     

i线相移掩模检查装置

为了采用曝光波长为０．３６５ｍ的光源制作０．３５－０．３０μｍ图形。采用了ｉ线步进方法，并研制了相移掩模。该掩模是由相移法构成图形，同时采用了光的干涉方法进行曝光形成微细图形，最重要的是相移器率和相移，其通过相移器的透过率与玻璃的透过率进行比较而测定，该测定重复性达±０．０５％，测定相移量应用微分干涉显微镜原理，为了获得高精度相移量，采用了条纹扫描干涉法，测定重复性达到±１°，相对应的模厚为±０．     

光掩模激光修补技术

本文论述了掩模缺陷成因、类型，掩模修补的重要性和掩模修补（包括相移掩模修补）的原理和方法。比较详细地介绍了中科院光电所研制的ＬＭＲ－１型掩模缺陷激光修补仪的主要性能指标，给出了实验结果。对于激光气化法修补时溅射物产生原因和改善修补质量的方法做了分析，并对用于透明缺陷激光修补的激光化学气相沉积方法和装置作了介绍。     

相移掩模清洗结晶控制

在高端集成电路制造方面,普通二元掩模已经不能满足晶圆使用要求。目前,高端(线宽0.18μm以下)集成电路生产主要采用相移掩模。相移掩模(Phase Shift Mask)制作过程中,掩模表面结晶(Haze)问题较难控制。为了控制和解决相移掩模表面结晶问题,提高成品率,主要讨论了不同的清洗工艺(Recipe)对相移掩模结晶的影响。然后通过实验验证了通过优化清洗工艺(Recipe),可以明显改善相移掩模表面结晶问题,达到控制相移掩模表面结晶的目的。     

ULSI相移光刻技术＊

相移掩模光刻技术,是近几年来为了开发超大规模集成电路(ULSI)而发展起来的一种新颖光刻技术。它应用了光学相移掩模方法,大大提高了现有光学光刻设备的分辨率水平。本文综述了相移光刻技术的发展及其在ULSI中的应用。     

先进相移掩模(PSM)工艺技术

先进相移掩模(PSM)制造是极大规模集成电路生产中的关键工艺之一,当设计尺寸(CD)为0.18μm时,就必须在掩模关键层采用OPC(光学邻近校正)和PSM(相移技术),一般二元掩模由于图形边缘散射会降低整体的对比度,无法得到所需要的图形。通过相位移掩模(PSM)技术可以显著改善图形的对比度,提高图形分辨率。相移掩模是在一般二元掩模中增加了一层相移材料,通过数据处理、电子束曝光、制作二次曝光对准用的可识别标记、二次曝光、显影、刻蚀,并对相移、缺陷等进行分析和检测,确保能达到设计要求。     

基于凸投影算法的多相位掩模设计原理研究

根据所需光刻图形的分布,反推掩模结构的思路,提出了一种基于交替投影算法的掩模设计方法。该方法设计出的掩模为振幅和相位连续。并给出了一个设计实例和量化方法。实验结果表明该方法对复杂相移掩模的设计有效,可以减小邻近效应。     

一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究

深Ｘ射线光刻是制作高深宽比ＭＥＭＳ结构的一个重要的方法。提出一种基于硅工艺和双面对准技术的ＬＩＧＡ掩模技术,工艺十分简单。采用该掩模,可进一步解决深Ｘ射线光刻中的重复对准多次曝光问题,给出了该掩模设计制作工艺过程及深Ｘ射线光刻结果,整个过程包括常常氮化夺、采用Ｋａｒｌ Ｓｕｓｓ双面对准曝光机进行ＵＶ光刻、电化学沉积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑等。利用该掩模在北京ＢＥＰＣ的Ｘ射线光刻光束线上进行曝光。     

一种简单的衰减相移掩模

:本文介绍了一种与传统Cr掩模制作工艺相兼容的单层衰减相移掩模的结构、原理和制作方法 ,提供了部分实验结果。     

光学光刻技术的研究进展

论述了相移法刻掩模技术和１９３ｎｍ准分子激光光刻技术的有关理论，实现方法，光学系统设计，透镜材料，光致抗蚀剂以及应用方面的研究进展。     

100nm分辨率的移相掩模技术

介绍了移相掩模技术的基本原理，对几种主要的移相掩模技术进行了比较，指出了各种移相方式的特点和应用局限性，并针对100nm分辨率的技术节点，阐述了各种移相方式在应用中应该解决的问题。     

用于T形栅光刻的新型移相掩模技术

根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术——M-PEL。初步实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌。     

一种用于暗域交替式相移掩模设计的自适应版图划分方法

提出了一种新的用于加速 1 30 nm以下工艺交替式相移掩模设计流程的版图划分方法 ,该方法能够自适应调整版图划分的粒度 .讨论了消除相位冲突的方法和版图压缩中相位兼容性保持的策略 .利用上述算法实现的 CAD原型系统经多个工业界例子的测试表明能够有效地适应随版图尺寸而快速增长的相位冲突复杂性 ,同时提供较好的 PSM设计质量 ,并能满足不同求解精度和加速比的要求     

二元光学元件的制作及其误差分析

详细介绍了二元光学元件制作的光刻技术和一些新的制作工艺,包括薄膜沉积法、激光束或电子束直接写入法和准分子激光加工法．针对用于ＣＯ２激光器模式优化的二元光学反射镜,分析了元件制作误差,包括掩模对准误差、台阶刻蚀深度误差和台阶刻蚀宽度误差对谐振腔振荡模式的影响．     

玻璃微透镜阵列的制作工艺研究

对以玻璃为基材的微透镜阵列的制作工艺进行了研究,得出了影响微透镜阵列制作的三个主要因素:玻璃组分、腐蚀方法以及抗蚀掩模层材料。并通过实验详细分析了这三者对实验结果的影响。根据分析结果,选择合适的材料和工艺方法,获得了效果较好的玻璃微透镜阵列,为玻璃微透镜阵列的制作提供了依据和方法。     

基于准分子激光工艺制作X射线光掩膜

LIGA工艺是一项能够应用于制造三维微机械结构的微细加工技术,但制作掩膜版工艺复杂、成本高。为了解决商用的微光学系统制造成本问题,在Au薄膜上用准分子激光直写的方法制作掩膜,这样既能够很快得到雏形,同时也能够降低制作的掩膜版的成本。分析讨论了基于电子束制作掩膜版和基于准分子激光制作掩膜版两种方法,得出了准分子激光制作的掩膜在成本和时间上都有优势的结论。将通过准分子激光技术制作的掩膜置于X射线下,在PMMA基板上可以加工很好的三维微结构。通过依次直接激光烧蚀金薄膜可以加工具有一系列微球状结构的吸收体图形,再将此图形转写到PMMA基板上,可以得到的最低像素为25μm。     

193nm光学掩模与x射线掩模技术比较

目前看来,１９３ｎｍ与ｘ射线光刻技术都很有希望应用到０．１３μｍ及０．１３μｍ以下的集成电路工业中去,而掩模制作对这两种光刻技术而言是非常重要的。本文对１９３ｎｍ光学掩模与ｘ射线掩模制造技术进行了对比分析。