| 高速SOI MOS器件及环振电路的研制 |
| |
| 引用本文： | 黄如,张兴,孙胜,王阳元.高速SOI MOS器件及环振电路的研制[J].半导体学报,2000,21(6). |
| |
| 作者姓名： | 黄如 张兴 孙胜 王阳元 |
| |
| 作者单位： | 北京大学微电子所,北京,100871 |
| |
| 摘 要： | 采用SOI/CMOS工艺成功地研制出沟道长度为0.8μm的SOI器件和环振电路,在5V和3V电源电压时51级环振的单门延迟时间分别为82ps和281ps,速度明显高于相应的体硅电路.由于采用硅岛边缘注入技术,寄生边缘管得到较好的抑制.对沟道宽度对SOI器件特性的影响进行了讨论.实验表明SOI器件是高速和低压低功耗电路的理想选择.
|
| 关 键 词： | SOI MOS 高速 环振电路 研制 |
Fabrication and Characterization of High Speed SOI MOS Devices and Ring-Oscillators |
| |
| HUANG Ru,ZHANG Xing,SUN Sheng,WANG Yang-yuan.Fabrication and Characterization of High Speed SOI MOS Devices and Ring-Oscillators[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(6). |
| |
| Authors: | HUANG Ru ZHANG Xing SUN Sheng WANG Yang-yuan |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
