转炉汽化冷却烟道故障分析

概述了青铜公司第二炼钢厂5^#转炉汽化冷却烟道使用情况,对针对此设备在生产运行中频繁出现水冷壁管缺水爆管事故的原因进行了分析。认为除氧器不能正常工作,汽化冷却烟道冷却水含氧量超标,管道内壁被氧化、氧化层脱落堵塞进水分配器,是造成水冷壁管缺水爆管的原因,并提出发了可行措施。     

基于SD模型城市水资源利用的模拟研究

建立了城市生态系统水资源利用的SD模型,分析了水资源利用与城市未来发展的关系。以抚顺市为例,设计了四种模式,预测并分析了2011-2020年水资源的利用情况,为城市水资源合理利用提供了一定的理论指导。     

基于改进型级联SOGI-FLL的虚拟惯量控制技术

阐述2种已有虚拟惯量控制算法:一种是基于二阶广义积分器-锁频环(SOGI-FLL)的虚拟惯量实现方法,其消除直流与特征次谐波扰动的能力有限;另一种是基于级联SOGI-FLL(CSOGI-FLL)的虚拟惯量实现方法,消除直流分量的干扰,但在消除特征次谐波扰动方面的能力也有限。为此,提出一种基于改进型CSOGI-FLL(ICSOGI-FLL)的虚拟惯量控制技术,即将多重频率自适应陷波器引入到CSOGI-FLL的控制回路中,改善SOGI-FLL与CSOGI-FLL消除扰动的能力。最后,利用Matlab/Simulink软件搭建的仿真模型和建立的柴储微网系统测试平台进行实验验证,有效验证了所述基于ICSOGI-FLL的虚拟惯量控制技术的正确性。     

平行平面穿通结击穿电压的计算及比较

本文研究平行平面穿通结击穿电压的计算.首先根据电离率积分方程得出以归一化外延层厚度为变量的穿通结击穿电压拟合表达式,然后以此为基础,比较了另两种解析方法计算穿通结击穿电压的结果.分析表明：校正临界电场法可给出与电离率积分模式一致的击穿电压,而经典临界电场法将导致较大的误差.     

平面结场板结构表面场分布的二维解析

提出了基于二维泊松方程解的平面结场板结构的二维表面电场解析物理模型 .在该模型基础上 ,分析了衬底掺杂浓度、场板厚度和长度对二维表面场分布的影响 .解析预言的场分布与击穿电压的计算结果与先前的数值分析基本符合 .该模型为场板结构的优化设计提供了理论基础     

6H-SiC单极功率器件性能的温度关系

基于碳化硅材料电离系数和迁移率的温度依赖性 ,利用有效电离系数的 Fulop近似 ,推出了 6 H- Si C单极性功率器件击穿电压和比导通电阻的温度依赖性解析表达式 .理论预言的击穿电压和临界电场与先前的实验结果基本一致 (误差小于 10 % ) ,验证了理论模型的适用性     

正向栅控二极管监测F- N电应力诱生的SOI- MOSFET界面陷阱

报道了正向栅控二极管 R- G电流法表征 F- N电应力诱生的 SOI- MOSFET界面陷阱的实验及其结果 .通过体接触的方式实现了实验要求的 SOI- MOSFET栅控二极管结构 .对于逐渐上升的累积应力时间 ,测量的栅控二极管电流显示出明显增加的 R- G电流峰值 .根据 SRH理论的相关公式 ,抽取出来的诱生界面陷阱密度是随累积应力时间的上升而呈幂指数的方式增加 ,指数为 0 .4.这一实验结果与文献先前报道的基本一致     

栅控二极管正向 R- G电流对 SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性

使用半导体器件数值分析工具 DESSISE- ISE,对侧向的 P+ P- N+栅控二极管的正向 R- G电流对 SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性进行了详尽的研究 .通过系统地改变硅膜体陷阱的密度和能级分布 ,得出了相应的 P+ P-N+ 栅控二极管的正向 R- G电流的变化 .同时 ,表征硅膜结构的参数如沟道掺杂和硅膜厚度的变化也使器件从部分耗尽向全耗尽方向转化 ,分析了这种转化对 R- G电流大小和分布的影响     

一个适用于模拟电路的深亚微米SOI MOSFET器件模型

从数值解源端和饱和点的表面电势出发,考虑模拟电路对SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间连续并且高阶可导以及全耗尽和部分耗尽两种工作模式的转变,构建了一个能够满足这些要求的精确的器件模型．同时包含了深亚微米SOI MOSFET的一些二级效应如漏极诱生势垒降低效应（DIBL）、速度饱和效应、自热效应等．这个模型的参数相对较少并且精确连续,能够满足在模拟电路设计分析中的应用要求．     

SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析

针对SOI器件中的瞬态浮体效应进行了一系列的数值模拟,通过改变器件参数,比较系统地考察了SOI器件中瞬态浮体效应,同时也研究和分析了瞬态浮体效应对CMOS/SOI电路(以环振电路为例)的影响,并提出了抑制器件浮体效应的器件结构和参数优化设计.