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平面结场板结构表面场分布的二维解析
引用本文:何进,张兴,黄如,王阳元.平面结场板结构表面场分布的二维解析[J].半导体学报,2001,22(7):915-918.
作者姓名:何进  张兴  黄如  王阳元
作者单位:北京大学微电子学研究所,北京100871
摘    要:提出了基于二维泊松方程解的平面结场板结构的二维表面电场解析物理模型 .在该模型基础上 ,分析了衬底掺杂浓度、场板厚度和长度对二维表面场分布的影响 .解析预言的场分布与击穿电压的计算结果与先前的数值分析基本符合 .该模型为场板结构的优化设计提供了理论基础

关 键 词:平面结    场板结构    电场分布    击穿电压
文章编号:0253-4177(2001)07-0915-04
修稿时间:2000年6月25日

2-Dimensional Analysis of Surface Electric Field Profile of Planar Junction with Single-Step Field-Plate Termination Structure
Abstract:Based on Poisson Equation,an analytical model is proposed for the 2 dimensional surface electric field profile of the planar junction with a single step filed plate structure for the first time.The dependence on the doping concentration,field plate thickness and length of the surface electric field profile has been analyzed.The calculated breakdown voltages show good agreement with the previous numerical results.The presented analytical model is especial useful in design of the filed plate termination of the power devices and SPIC.
Keywords:planar junction  field plate termination  surface field  breakdown voltage
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