电网电压不对称骤升下双馈风力发电机改进控制策略

双馈风力发电机在电网电压不对称骤升时,定子磁链中不仅会产生暂态直流分量,而且还会产生负序分量。为了抑制电网电压不对称骤升造成的定子电流不平衡,分析了电网电压不对称骤升下双馈发电机的电磁过渡过程,在采用基于双同步旋转坐标(synchronous reference frame,SRF)的转子变流器控制策略基础上,提出基于有源阻尼的转子变流器的双SRF改进控制策略,为提高电网电压不对称骤升时控制性能,在转子负序电流内环中引入虚拟电阻,有效抑制转子负序电流和电磁转矩的振荡;而在定子负序电流外环中引入有源阻尼,加快电网电压不对称骤升时对定子负序电流抑制的过渡过程,提高了系统动态响应的能力,可增强不对称电网电压骤升下双馈风力发电机不间断运行能力,最后通过仿真和实验验证了改进策略的可行性和有效性。     

SOI数模混合集成电路的串扰特性分析

采用二维TMA Medici模拟软件对SOI结构的串扰特性进行了分析.模拟发现随着频率的增加,SOI的埋氧化物对串扰噪声几乎不起隔离作用,同时,连接SOI结构的背衬底可以在很大程度上减小串扰的影响.还对减少串扰的沟槽隔离工艺、保护环及差分结构的有效性进行了比较分析,对一些外部寄生参数对串扰的影响也进行了研究.并给出了SOI结构厚膜和薄膜结构体掺杂浓度对噪声耦合的影响,所得到的结果对设计低噪声耦合的SOI数模混合集成电路具有指导性的作用.     

反应离子刻蚀工艺用于抑制SOI器件边缘寄生效应的研究

本文较为详细地分析了SOI器件的边缘寄生效应，在这一基础上研究了能够较好地抑制此效应的反应离子刻蚀工艺。应用这种新工艺，已成功地研制出了漏电流仅为3pA的NMOS晶体管。     

适于低压低功耗工作的SOI栅控混合管(GCHT)的实验研究

本文讨论了SOI栅控混合管（GCHT）的设计及制备．对这种器件的物理机制进行了实验验证，得到结论：GCHT漏端电流在栅压较高时趋向于双极电流，而不如文献[4]中报道是MOS电流．实验结果表明，这种混合管具有比纯MOSFET约高6．5倍，比纳BJT约高1．7倍的驱动能力，最高电流增益可达10000，最小亚阈摆幅可达66mV／dec，导通电压比纯BJT约低0．3V，比纯MOSFET约低0．7V由GCHT组成的反相器在Vdd=0.8V仍具有良好的直流传输特性．因此GCHT在低压低功耗应用领域中极具潜力，同时也将适于模拟电路方面的应用．     

亚0.1μm栅长CMOS器件和电路的研制

利用侧墙图形转移实现亚 0 .1μm栅线条 ,重掺杂多晶硅做固相扩散源实现 CMOS晶体管超浅源漏扩展区 ,并且将二者有机结合起来 ,成功实现了栅长约为 84 .6 nm的 CMOS器件和电路 .报道了利用重掺杂多晶硅固相扩散同时实现 CMOS源漏扩展区的方法 .     

舰载导弹系统的发展趋势分析

通过分析海军武器的发展、介绍海军舰载导弹的现状，对舰载导弹的发展趋势进行了展望。     

纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展

MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径 ,介绍了目前超浅结离子掺杂新技术的最新发展 ,并对其前景进行了展望。     

CMOS射频集成电路的研究进展

近年来，射频集成电路(RFIC)的应用和研究得到了飞速的发展，CMOS射频IC的研究更是成为该领域的研究重点和热点。文章对CMOS技术在射频和微波领域的应用进行了详细的探讨，着重介绍了当前射频通讯中常用的收发机结构及其存在的问题和解决方案；分析了射频收发机前端关键电路模块低噪声放大器(LNA)、混频器(Mixer)、压控振荡器(VCO)、功率放大器(PA)和射频关键无源元件的最新研究进展；展望了CMOS技术在射频领域的发展前景。     

45Cr2NiMoVSi钢锻件去氢退火工艺的改进

根据 4 5Cr2NiMoVSi钢过冷奥氏体连续冷却转变曲线和去氢退火工艺特征 ,改进了 5 0 0mm方锻材装入量 80t的去氢退火工艺曲线 ,去氢退火时间由原工艺的 1 35h减少至 86h。该钢退火前的氢含量为(1 5 2～ 1 81 )× 1 0 - 6 ,退火后的氢含量为 (0 38～ 0 6 0 )× 1 0 - 6 ,索氏体组织 ,硬度 2 4 5～ 2 90HB ,满足标准要求