Boost变换器阻抗负载特性研究

混沌与分叉科学揭示了客观世界中极其丰富的非线性现象,这些非线性现象在电力电子电路中都有其产生的途径和表现形式。本文基于为开关变换器可靠性设计提供理论指导的目的,针对实际变换器的负载特点,研究了Boost变换器负载寄生电感对系统稳定性的影响。首先基于系统的状态方程,建立了感性负载Boost变换器的Matlab/Simulink数值仿真模型,并仿真得到不同滤波电感参数下的分叉图;然后通过构造离散迭代映射,计算雅克比矩阵在平衡点处的特征值,对感性负载Boost变换器的稳定性进行了理论分析。理论分析与数值仿真结果一致,均表明Boost变换器负载寄生电感对系统的稳定性有重要的影响,即负载寄生电感的变化可导致系统发生分叉行为。     

OISD MOSFET阈值电压建模与结构设计

对一种新型半绝缘SOI MOS器件的阈值电压进行建模,该器件采用源漏注氧OISD技术,具有优良的自加热效应抑制能力和耐压特性.由于沟道中存在复杂的二维势场分布,OISD MOSFET阈值电压,亚阈值斜率及短沟道效应均受到硅窗口尺寸的调制.给出了一个基于数值仿真的OISD MOSFET阈值电压简单模型,该模型可指导器件结构设计,并通过MEDICI二维数值仿真进行验证.最后,对OISD MOSFET亚阈值斜率、短沟道阈值电压偏移以及DIBL因子等重要电学参量进行详细的研究.     

全耗尽SOI LDMOS击穿电压的分析

SOI技术已经成功地应用到功率集成电路中,击穿电压是功率器件一个重要的参数。文章分析了SOI LDMOS的击穿电压与漂移区掺杂浓度的关系,并计算了击穿电压。文中首先定义出漂移区临界掺杂浓度,然后分别给出了实际掺杂浓度高于和低于临界掺杂浓度的击穿电压计算公式。计算结果与文献中给出的数值相吻合,证明了模型的正确性。     

CMOS兼容电容型湿度传感器的理论模型

对一种与CMOS工艺兼容的电容型湿度传感器进行了理论推导，物理建模和模拟仿真．该湿度传感器是采用梳状铝电极结构，聚酰亚胺作为感湿介质．通过分析感湿介质的介电常数吸附水分后的变化，考虑其电场分布，对电容型湿度传感器的理论模型进行了研究和模拟．利用Matlab软件对理论模型进行仿真，结果表明所建模型比通常采用的Laconte模型更符合实验结果．     

CMOS兼容电容型湿度传感器的理论模型

对一种与CMOS工艺兼容的电容型湿度传感器进行了理论推导,物理建模和模拟仿真.该湿度传感器是采用梳状铝电极结构,聚酰亚胺作为感湿介质.通过分析感湿介质的介电常数吸附水分后的变化,考虑其电场分布,对电容型湿度传感器的理论模型进行了研究和模拟.利用Matlab软件对理论模型进行仿真,结果表明所建模型比通常采用的Laconte模型更符合实验结果.     

基于Matlab的开关变换器混沌研究数值方法

基于Matlab软件平台,为电压模式控制Buck开关功率变换器建立了Simulink仿真模型,给出了几种混沌研究数值方法的实现算法,并通过编程计算绘出了变换器的时域波形、相轨、庞加莱截面、分岔图、最大 Lyapunov 指数谱、功率谱等,从而有效地显示了该系统丰富的动力学行为.其研究结果可以对开关功率变换器可靠性设计提供理论指导,其研究方法还可以运用于其他非线性系统的混沌分析.     

激光损伤(LID)吸杂技术

本文比较了各种吸杂技术,详细介绍了芯片背面激光损伤的吸除效果,使MOS电容器载流子产生寿命提高了二个数量级,达10~3μsec。把LID与HCL高温处理结合使用,差不多可以吸附起始衬底和管芯加工中引进的全部金属杂质(Au除外),使Si片表层为清洁区。     

用分量匹配法实现对高速时钟电路的动态优化

本文讨论如何设计工作在GHz频率下的VLSI芯片时钟电路.时钟树采用平衡平面布局消除时钟偏差;利用插入缓冲器对电路性能进行动态优化.最后用一个电路模拟软件对电路进行评估.和以往的工作相比较,本文实现了在频域内对时钟电路的优化,显著地提高了仿真速度.     

中国VLSI工业发展战略之我见

面对世界半导体工业的现状及其迅猛发展的趋势,我国从事半导体研究和生产的科学家和工程技术人员,应当总结过去的经验,吸取教训,仔细研究本领域的最新形势,制定出适合中国的发展战略。 为了赶上世界VLSI领域的最新发展,本文建议:我国的VLSI工业在强调技术引进的同时,应当坚持自力更生的道路;体制管理方面,应当把VLSI设计与制造分离开,使得VLSI的设计与制造分别独立地发展。一方面,VLSI的设计应当尽可能地利用国际上先进的CAD工具;另一方面,器件制造厂家应当将其注意力放在工艺技术上,使其尽快达到当前的世界水平。这种分离模式可使得设计与制造业相互激励,相互促进。 本文还试图确定在分离模式下的设计与制造厂家各自的责任,以及他们之间技术上和法律上的相互关系。 希望本文提出的设想能够抛砖引玉,引起进一步的深入讨论。     

SOI／SDB硅片化学腐蚀自停止减薄方法

本文提出了一种ＳＯＩ／ＳＤＢ硅片化学腐蚀自停止减薄方法，并进行了实验研究，成功地得到了厚度小于１μｍ的硅膜。讨论了存在的问题及今后努力方向。