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101.
102.
电荷俘获存储器中俘获层的研究进展 总被引:1,自引:1,他引:0
随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧氮化硅(α-SiOxNy)俘获层、高k介质材料俘获层、植入纳米晶材料的俘获层及其叠层结构的研究现状和存在的问题进行了综述和分析,并对其进一步的研究趋势进行了展望。 相似文献
103.
光电编码器LED光源的准直 总被引:2,自引:1,他引:1
由于发光二极管(LED)光束的准直度对光电编码器性能影响很大,研究了LED光束的准直特性.分析了光源辐射角对光栅光通量的影响;运用图像旋转理论和频域分析方法,导出了莫尔条纹透光特性函数式,揭示了光源准直度参数对莫尔条纹函数特性的影响.获得了与光束准直度相关的不同透光缝宽度下的莫尔条纹仿真波形,分析了光源准直特性指标对莫尔条纹对比度以及光栅间隙的影响.理论计算结果表明,当透光缝宽度减小5 μm时,莫尔条纹图像的对比度下降17.66%,实验结果与理论仿真波形吻合,表明文中提出的莫尔条纹函数式可为高精度和高可靠性编码器没计和生产提供参考. 相似文献
104.
105.
设计了一种适用于DVB-C标准的高频调谐器中的CMOS可变增益放大器.该放大器由指数控制电路、放大电路和共模反馈电路三部分组成,其中指数控制电路是通过构造一个近似的指数函数来实现.仿真结果表明放大器在3.3V供电电压时,核心电路功耗为4.63mW,增益范围0~30dB,频率范围是46~268MHz,噪声系数小于10dB. 相似文献
106.
根据泊松方程和热扩散方程提出了新型PB—PSOI器件漂移区的二维表面电场分布模型和温度分布模型,模型计算结果与Medici模拟结果相一致。根据所提出的模型,重点研究了埋氧化层厚度及长度对漂移区表面电场分布和温度分布的影响,最后给出了PB-PSOI器件的埋氧化层厚度和长度的优化设计方法。 相似文献
107.
108.
109.
高压功率LDMOS的场极板击穿电压分析 总被引:1,自引:0,他引:1
提高 LDMOS的一个关键步骤是加场极板以降低其表面击穿电压。文中分析了加场极板后的 LDMOS击穿电压模式 ,指出了场极板的分压作用和场极板边界的影响 ,得到了其击穿电压的计算公式并用实验验证了公式的正确性 相似文献
110.
非均匀掺杂衬底MOST阈值电压的解析模型 总被引:1,自引:0,他引:1
用数值方法与解析方法相结合,导出了非均匀掺杂衬底MOST阈值电压的解析模型。该模型在形式上类似于SPICE程序中的MOST模型,但是所有参数都用数值方法处理过,因此是一个概念清晰、计算量小的高精度模型。该模型可用于电路分析程序。 相似文献