SOI LDMOS晶体管耐压结构的研究

SOI技术已经成功的应用到功率集成电路中,而击穿电压是功率器件一个重要的参数.本文对SOI LDMOS的击穿电压进行了分析,介绍了目前国内外几种典型的提高击穿电压的结构,较为详细的分析了RESURF原理的应用.     

WDF设备驱动程序的设计与实现

WDF是微软提出的全新驱动程序模型,它提供了面向对象、事件驱动的驱动程序开发框架,对它的研究是设计高效稳定设备驱动程序的基础。文中介绍了WDF模型的特点,阐述了WDF对象模型,分析了WDF驱动程序的基本结构,并通过一个简单的实例介绍了基本编程技巧。     

Linux 2.6内核设备模型分析

Linux2．6内核提供了统一的内核设备模型．能够更好地支持智能电源管理、热拔插和pnp．具有优良的适应性。基于Linux2，6．10内核源代码，介绍了2．6内核中的设备模型．详细分析了构成设备模型的主要数据结构和组件，重点分析了内核对象机制的基本原理以及构建在内核对象机制上的设备模型组件。     

移相控制全桥零电压开关变换器中的非线性现象研究

本文详细分析了移相控制全桥零电压开关变换器的电路结构及运行模式，并指出移相控制全桥零电压开关变换器与Buck变换器的拓扑等价性。既然传统的电压模式控制Buck变换器中存在分叉与混沌等非线性现象，那么移相控制全桥零电压开关变换器中也必然存在相应的各种非线性现象。仿真结果证实了这一推断。     

基于OrCAD/PSpice10.5的电子电路仿真

本文介绍利用OrCAD/PSpice10.5实现电子电路仿真的方法,并以具体电子电路为例,阐述了OrCAD/PSpice10.5在电子电路中的应用,为电子电路的设计和开发提供一个新的平台。     

DC-DC变换器中负载阻抗特性及其对稳定性的影响

作为开关电源的核心部分,DC-DC变换器在实际应用中可能带有电感性的阻抗负载,这将对系统的稳定性产生影响。基于稳定设计的考虑,考察变换器对阻抗负载中寄生电感分量的容忍度,得到对应电路稳定的电感分量阈值,并对电路负载的阻抗效应进行综合分析。建立包含负载电感分量在内的变换器高维模型,并构造电路的离散迭代映射,通过计算平衡点附近的特征根,来分析当寄生电感分量变化时系统状态的演化过程及对电路稳定性的影响。相关的电路精确仿真、理论分析和电路实验均证明,阻抗负载存在一个对应系统不稳定的电感分量区间,而电路参数将对该区间的范围存在一定的影响。     

红外小目标检测跟踪系统设计

从图像处理方法的角度对红外图像中小目标的检测、跟踪进行了研究,给出了系统总体设计框图,整个检测算法的前端图像滤波预处理采用FPGA实现,识别跟踪采用DSP实现。详细介绍了系统各功能模块的设计方法。实验表明该系统实现了小目标检测跟踪的功能,工作稳定可靠。     

Boost变换器分叉序列的仿真与理论分析

为了揭示DC-DC开关功率变换器运行状态失稳过程中的规律,研究了电流模式控制的Boost变换器分叉序列.首先,对基于电流模式控制的Boost变换器的状态方程,利用龙格一库塔(Runge-Kutta)算法进行了仿真,取每个时钟脉冲时刻的电路状态变量构成庞加莱截面,画出了在参考电流变化方向上的分叉图.然后,利用离散映射迭代法推导出了电流模式控制的Boost变换器分叉序列中各分叉点的值.最后,对理论推导出的值与仿真结果进行了对比.研究结果表明,理论值与仿真结果比较吻合,这为变换器的稳定设计提供了理论依据.     

高阶开关功率变换器中的间歇现象

以四阶电流模式控制单端初级电感变换器(single ended primary inductor converter,SEPIC)为例,研究高阶开关功率变换器中的间歇混沌和间歇分谐波现象。从电路耦合滤波的角度考虑,建立具有耦合干扰信号的SEPIC变换器模型,通过数值仿真和电路仿真观察到了间歇现象,分析不同电路参数对干扰信号强度阈值的影响。并将时间分岔映射为参数分岔,继而以此为基础运用特征值分析方法对变换器的稳定性进行了分析。参数分岔图、特征值轨迹与时间分岔图完全一致,均表明干扰信号的强度和频率决定着间歇现象的类型和间歇周期的大小。     

金离子注入二氧化锆薄膜的单极电阻转变特性研究

The resistive switching characteristics of Au＋-implanted ZrO2 films are investigated. The Au/Cr/Au＋ -implanted-ZrO2/n＋-Si sandwiched structure exhibits reproducible unipolar resistive switching behavior. After 200 write-read-erase-read cycles, the resistance ratio between the high and low resistance states is more than 180 at a readout bias of 0.7 V. Additionally, the Au/Cr/Au＋-implanted-ZrO2/n＋-Si structure shows good retention characteristics and nearly 100% device yield. The unipolar resistive switching behavior is due to changes in the film conductivity related to the formation and rupture of conducting filamentary paths, which consist of implanted Au ions.