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针对X射线二极管平响应滤片的设计要求,采用电子束蒸发生长薄金层、紫外光曝光光刻、微电镀厚金层、体硅腐蚀制作镂空结构和等离子体刻蚀去掉PI等技术,成功制备了阵列结构的圆孔直径为5μm,周期为10.854μm,金层厚度分别为50,400nm的薄、厚两种金层滤片。电镀过程中采用台阶仪多次测量图形四周电镀厚度后取均值的方法得到尽可能准确的电镀厚金层。滤片交付实验后,在X光能量0.1~4keV取得的平响应曲线标准偏差与均值之比在13%以内,可以满足相关单位的具体物理研究实验要求。 相似文献
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测试设备中开关功率变换器工作稳定性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为提高测试设备中开关功率变换器的工作稳定性,以电压模式控制的Buck变换器为研究对象,分析了该变换器的工作过程,建立了相应的数学模型,并对该模型进行数值仿真,发现该变换器存在复杂的动力学行为,导致系统工作的不稳定性.理论分析得出不稳定现象的本质原因,通过电路实验来验证这种现象的真实性.数值仿真,理论分析,实验验证一致表... 相似文献
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在前期对双掺杂多晶Si栅(DDPG)LDMOSFET的电场、阈值电压、电容等特性所作分析的基础上,仍然采用双掺杂多晶Si栅结构,以低掺杂漏/源MOS(LDDMOS)为基础,重点研究了DDPG-LDDMOSFET的截止频率特性.通过MEDICI软件,模拟了栅长、栅氧化层厚度、源漏区结深、衬底掺杂浓度以及温度等关键参数对器件截止频率的影响,并与相同条件下P型单掺杂多晶Si栅(p-SDPG)MOSFET的频率特性进行了比较.仿真结果发现,在栅长90 nm、栅氧厚度2 nm,栅极P,n掺杂浓度均为5×1019cm-3条件下,截止频率由78.74 GHz提高到106.92 GHz,幅度高达35.8%.此结构很好地改善了MOSFET的频率性能,得出的结论对于结构的设计制作和性能优化具有一定的指导作用,在射频领域有很好的应用前景. 相似文献
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针对直流电机在某些参数和控制方式下会出现混沌与分岔运动,导致电机系统的损耗增加和运行的无规现象,通过建立精确状态方程模型和离散迭代非线性映射,对永磁同步电机(PMSM)的混沌现象进行了分析,并且采用参数共振微扰法对其进行了控制;选择了一个对直流电机系统影响较大、且易于改变的参数转速,再加入一个微小的正弦扰动信号,实现了系统的混沌控制。理论分析和数值仿真结果表明:建立精确状态方程模型和离散迭代非线性映射这两种方法下分析的电机系统在混沌状态下的分叉情况基本一致,且通过对电机中参数转速以特定的频率进行扰动,可以将系统稳定在某一周期轨道上;同时适当的参数扰动能减弱甚至消除系统中的混沌运动。 相似文献
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