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1.
此处主要对LDMOS栅漏电容(CGD)进行分析与计算,并借助二维器件模拟软件MEDICI模拟并分析了栅漏电容与漏源电压的关系,通过计算得到的数据与软件模拟结果的对比。研究了场极板长度、场氧化层厚度、P阱注入剂量,漂移区浓度4个结构工艺参数对栅漏电容的影响。  相似文献   
2.
基于衍射光学中的角谱理论,针对一种分布为同心3环、相位为0.9π,0和0.9π的结构进行深入分析,提出一种10×10的3环2值位相环阵列结构,并与二元光学中的10×10的菲涅尔波带片阵列结构进行比较,应用MATLAB软件仿真632.8nm激光器的高斯光通过二者后的效果。结果表明,阵列3环2值位相环对高斯光的匀光效果要明显优于阵列菲涅尔波带片,该阵列可以对激光束在远场的衍射光场进行修正,能较大地改善高斯光的匀光效果,在光均匀性要求较高的场合具有广泛的应用前景。  相似文献   
3.
针对X射线二极管平响应滤片的设计要求,采用电子束蒸发生长薄金层、紫外光曝光光刻、微电镀厚金层、体硅腐蚀制作镂空结构和等离子体刻蚀去掉PI等技术,成功制备了阵列结构的圆孔直径为5μm,周期为10.854μm,金层厚度分别为50,400nm的薄、厚两种金层滤片。电镀过程中采用台阶仪多次测量图形四周电镀厚度后取均值的方法得到尽可能准确的电镀厚金层。滤片交付实验后,在X光能量0.1~4keV取得的平响应曲线标准偏差与均值之比在13%以内,可以满足相关单位的具体物理研究实验要求。  相似文献   
4.
该文采用信号处理技术,设计了一种振荡电路。该电路解决了双延迟线型声表面波(SAW)器件不易起振,频率跳变等问题。整个电路结构简单,对插损低于20 dB的器件有很好的起振效果,满足气体检测的需要。  相似文献   
5.
测试设备中开关功率变换器工作稳定性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
为提高测试设备中开关功率变换器的工作稳定性,以电压模式控制的Buck变换器为研究对象,分析了该变换器的工作过程,建立了相应的数学模型,并对该模型进行数值仿真,发现该变换器存在复杂的动力学行为,导致系统工作的不稳定性.理论分析得出不稳定现象的本质原因,通过电路实验来验证这种现象的真实性.数值仿真,理论分析,实验验证一致表...  相似文献   
6.
在前期对双掺杂多晶Si栅(DDPG)LDMOSFET的电场、阈值电压、电容等特性所作分析的基础上,仍然采用双掺杂多晶Si栅结构,以低掺杂漏/源MOS(LDDMOS)为基础,重点研究了DDPG-LDDMOSFET的截止频率特性.通过MEDICI软件,模拟了栅长、栅氧化层厚度、源漏区结深、衬底掺杂浓度以及温度等关键参数对器件截止频率的影响,并与相同条件下P型单掺杂多晶Si栅(p-SDPG)MOSFET的频率特性进行了比较.仿真结果发现,在栅长90 nm、栅氧厚度2 nm,栅极P,n掺杂浓度均为5×1019cm-3条件下,截止频率由78.74 GHz提高到106.92 GHz,幅度高达35.8%.此结构很好地改善了MOSFET的频率性能,得出的结论对于结构的设计制作和性能优化具有一定的指导作用,在射频领域有很好的应用前景.  相似文献   
7.
占萌萌  周宇飞  陈军宁 《机电工程》2012,29(11):1299-1302,1328
针对直流电机在某些参数和控制方式下会出现混沌与分岔运动,导致电机系统的损耗增加和运行的无规现象,通过建立精确状态方程模型和离散迭代非线性映射,对永磁同步电机(PMSM)的混沌现象进行了分析,并且采用参数共振微扰法对其进行了控制;选择了一个对直流电机系统影响较大、且易于改变的参数转速,再加入一个微小的正弦扰动信号,实现了系统的混沌控制。理论分析和数值仿真结果表明:建立精确状态方程模型和离散迭代非线性映射这两种方法下分析的电机系统在混沌状态下的分叉情况基本一致,且通过对电机中参数转速以特定的频率进行扰动,可以将系统稳定在某一周期轨道上;同时适当的参数扰动能减弱甚至消除系统中的混沌运动。  相似文献   
8.
光子筛的超分辨聚焦特性研究   总被引:3,自引:2,他引:1  
对光子筛的结构进行了优化设计,通过实验研究了光子筛对355 nm激光的聚焦特性,并与传统的聚焦元件波带片进行了比较.首先,使用自行编写的光子筛自动生成宏文件程序,优化设计了光子筛图形;制作了特征尺寸为2 μm、适用于355 nm激光的聚焦光子筛和波带片;搭建了聚焦光斑的测试光路系统,得到了光子筛和波带片对355nm激光的聚焦光斑.通过比较分析,得出光子筛具有更好的聚焦特性以及旁瓣抑制能力的结论.  相似文献   
9.
汪莉丽  周宇飞  陈军宁 《电源技术》2012,36(2):235-237,267
以主从控制的并联降压型变换器为研究对象,通过实验得到间歇混沌等非线性行为,并通过特征值分析法进行验证,揭示了开关变换器工作中不规则运动产生的原因,为电路设计提供理论依据;在此基础上,提出时间与参数映射的方法和混沌控制的解决方案——相移法。通过将系统的其中一个驱动控制信号发生相位移动或延迟,把系统的混沌运动状态转变为规则运动状态,从而实现了并联降压型变换器电路的混沌控制。相移前后功率谱的变化充分说明了相移法实现混沌控制的可行性和正确性。  相似文献   
10.
通过工艺模拟软件TSUPREM,设计了一种复合多晶硅栅(DDPG-MOS FET)的制造工艺,并使用MEDICI软件对采用该工艺的器件的频率特性和瞬态特性进行分析。结果表明,DDPG-MOS制造工艺简单、完全与CMOS工艺兼容,其结构明显改善了传统MOSFET的多项性能,在射频领域具有很好的应用前景。  相似文献   
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