A sub-circuit MOSFET model with a wide temperature range including cryogenic temperature

A sub-circuit SPICE model of a MOSFET for low temperature operation is presented.Two resistors are introduced for the freeze-out effect,and the explicit behavioral models are developed for them.The model can be used in a wide temperature range covering both cryogenic temperature and regular temperatures.     

一种指数增益控制型高线性CMOS中频可变增益放大器

采用跨导线性化技术设计了一种具有指数增益特性的高线性中频可变增益放大器.该放大器由电流调节型可变增益单元、宽范围指数电压转换电路及固定增益放大器构成.基于0.25μm CMOS工艺的测试结果表明,放大器实现了8～48dB的增益连续变化,差分输出1V峰峰值下的三阶互调失真小于-60dBc,最大增益处噪声系数为8.7dB,50Ω负载下三阶输出截点为14.2dBm.     

PDP电源系统寻址电源的设计

给出了寻址电源的原理与设计实现。寻址电源采用RCD箝位反激变换器，反激变换器具有结构简单易于实现等优点。测试结果表明，寻址电源输出电压为65V，输出电流为1．4A，效率超过80％。所设计的电路能够很好地满足AC—PDP电源系统的要求。     

嵌入式CPU异常处理的设计及其硬件实现

嵌入式CPU已成为SOC设计的热点。异常处理是CPU设计中最关键的部分,介绍嵌入式CPU异常处理的一般机制,并在此基础上设计32位CPU的异常处理模块,给出了仿真结果,并讨论了其方便的可扩展性。     

一种改进的高层功耗估计方法

本文讨论了集成电路高层功耗估计方法,并针对线性位相关系数模型提出了一种更为精确的功耗估计方法,它可用于功耗驱动的VLSI高层综合。实验结果表明当信号为有限参数的平稳时间序称时,这种估计方法比原有用信号的相关系数来代替强相关位相关系数的方法具有较高的精度,从而提高了在VLSI高层设计时对模块功耗估计的精度。     

PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计

设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m A的工作要求下安全工作     

一种STN LCD控制器的设计及其实现

介绍了一种超扭曲向量(STN)LCD控制器的设计方案,详细分析了该控制器各模块的划分及其功能,用Verilog硬件描述语言完成了整个LCD控制器的设计工作,并用Cadence Verilog-XL软件对设计结果进行了仿真验证.仿真结果表明该LCD控制器实现了预定的设计目标.     

低码率语音合成技术研究及其应用

本文基于低码率线性预测语音合成的基本原理,对语音合成方式、滤波器结构及激励源的选择作了较深入的研究和阐述,并简要介绍了实现线性预测语声合成的具体流程。实验结果表明,改进后的线性预测语音合成方法,不仅简化了实现语音合成的复杂性,而且对合成语音的音质有明显的提高。     

模拟集成电路宏模型计算机辅助自动建立

本文提出一种新的模拟集成电路宏模型计算机辅助自动建立方法,通用性强、宏模型精度高。文中详细描述了建立过程,给出相应的软件流程,并对建立过程中的一些关键算法进行了探讨和创新。最后给出利用新方法建立二级运放宏模型的实例。     

RF 集成电路工艺探讨¹

射频集成电路的研究和制作将大大拓展集成电路的应用空间，本文介绍了当今RF的主流工艺，并分别对基于硅的深亚微米CMOS工艺在RF设计中的可行性和困难进行了研究，评述了其中存在的问题，最后提出了该领域中未来的发展前景。