| 超大规模集成电路中低介电常数薄膜的制备与检测技术 |
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| 引用本文： | 温梁,汪家友,杨银堂. 超大规模集成电路中低介电常数薄膜的制备与检测技术[J]. 微纳电子技术, 2004, 41(3): 39-43 |
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| 作者姓名： | 温梁 汪家友 杨银堂 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,陕西,西安,710071 |
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| 摘 要： | 近年来,低介电常数材料在IC工业中日益受到人们广泛关注,为了降低信号传输延迟和串扰以及由于介电损失而导致的功耗增加,采用低介电常数材料做层间介质是必要的。本文介绍了有关低介电常数材料薄膜的制备方法和基本特性的检测技术。
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| 关 键 词： | 低介电常数 薄膜 旋涂淀积 化学汽相淀积 |
| 文章编号： | 1671-4776(2004)03-0039-05 |
| 修稿时间： | 2003-09-19 |
Technologies used in preparation and test of low dielectric constant materials for VLSI |
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| WEN Liang,WANG Jia-you,YANG Yin-tang. Technologies used in preparation and test of low dielectric constant materials for VLSI[J]. Micronanoelectronic Technology, 2004, 41(3): 39-43 |
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| Authors: | WEN Liang WANG Jia-you YANG Yin-tang |
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| Abstract: | In the resent years,low-dielectric-constant materials are believed to be necessary to allow speed increases in future generation of IC.Low-K materials are used to reduce the RC time delay of interconnect structures and to reduce the crosstalk between adjacent lines.In this paper,we introduced the technologies used in preparation and test of low-dielectric-constant materials. |
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| Keywords: | low dielectric constant thin film spin-on deposition CVD |
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