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11.
光子晶体技术--(四)光子晶体光无源器件 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了基于二维(2 D)光子晶体平板的光子晶体滤波器和波长解复用器的基本工作原理、设计和制作技术。 相似文献
12.
布里奇曼法生长碲镉汞晶体的缺陷及其展望 总被引:2,自引:0,他引:2
简单介绍了布里奇曼法生长碲镉汞晶体的主要缺陷以及缺陷的控制原理,回顾了国内进行磅镉汞晶体生长的布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法(ACRT-B)研究的情况,并提出了进一步研究的问题。 相似文献
13.
本文用大视场光学显微镜、电子探针观察和分析了掺钛蓝宝石激光晶体中夹杂物的形状、尺寸大小及元素组成,并提出消除和减少这些夹杂物的方法. 相似文献
14.
15.
16.
急冷Cu—Cr—0.05Zr合金强化机理探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
用SEM与TEM考察了急冷Cu-Cr-0.05Zr合金中的晶体缺陷,结果表明,急冷Cu-Cr-0.05Zr合金中的高密度位错与高浓度空位是合金强化的重要因素,固溶铬含量提高,导致形成空位集团,蜷线位错及扩展位错是强化效应进一步提高的另一重要因素。 相似文献
17.
ZnO宽带隙半导体及其基本特性 总被引:2,自引:0,他引:2
ZnO半导体是宽带隙半导体领域中继GaN和SiC之后的研究热点.同时,作为一种氧化物半导体,ZnO半导体在能带结构、晶格缺陷、抗辐照特性以及电学性质等方面具有特殊性,已有的研究中还存在一些不同的认识.本工作在阐述ZnO的晶体结构和基本性质基础之上,对其能带结构和缺陷特征、电子输运以及P型掺杂等主要的半导体特性研究现状进行了较为全面综述和分析.由于ZnO半导体具有高的激子束缚能、优良的电子输运性质、强抗辐照特性以及低成本和环境友好等显著特征,它是未来半导体光电子领域极具应用潜力的新一代宽带隙半导体材料,但是到目前为止,p型掺杂技术仍然是ZnO半导体器件面临的最大挑战. 相似文献
18.
The application of irradiation in silicon crystal is introduced.The defects caused by irradiation are reviewed and some major ways of studying defects in irradiated silicon are summarized.Furthermore the problems in the investigation of irradiated silicon are discussed as well as its properties. 相似文献
19.
利用锗硅单晶(锗浓度约为1019cm-3)切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺,生长了直径为60、50和40mm,掺锗量为0.1%和0.5%(锗硅重量比)的锗硅单晶.利用化学腐蚀-金相显微镜法、扫描电子显微镜(SEM)能谱分析和X射线双晶衍射等方法观测了掺锗硅的原生晶体中缺陷及氧的沉淀的状况.发现用CZ法生长的锗硅原生晶体与常规工艺生长的CZSi晶体不同,体内存在着较高密度的氧微沉淀.在晶体尾部,由于锗的分凝使熔体中锗高度富集,出现了"组分过冷"现象,在晶粒间界应力较大处有锗的析出并出现了枝状结晶生长.晶体中高密度氧的微沉淀经过1250℃热处理1h后会溶解消失. 相似文献
20.
采用扫描电镜的ECP技术分析人工合成金刚石晶体中的晶体缺陷 总被引:1,自引:1,他引:0
本文应用扫描电镜的ECP技术对人造金刚石晶体表面的位错密度,进行了实验分析,并同位错蚀坑分析技术的测量结果进行了比较,结果表明,如采用临界束流强度作为描述ECP本征衬度的参数,则它同位错密度间存在明显定量的数学关系,因此上述临界束流强度可用来评价晶体中位错密度的相对变化。 相似文献