冲击作用下CL-20/HMX共晶力-热-化学耦合响应的动力学模拟

为分析CL-20/HMX共晶和HMX冲击波感度接近的机理,采用反应分子动力学方法(ReaxFF-MD),探讨了有无缺陷CL-20/HMX共晶在冲击加载下的力-热结构变化和初始化学反应,通过动量镜原理与最大压缩点吸收波阵面相结合方式,分析了快速结构响应和随后缓慢化学反应过程。结果表明,冲击加载无缺陷CL-20、HMX和CL-20/HMX共晶时,CL-20的分解速度比HMX快,CL-20/HMX共晶的分解速度与HMX接近;与沿CL-20/HMX共晶[111]晶向加载相比,沿[100]晶向分解更快,这与CL-20和HMX分子层的交替排布及滑移等因素有关。以2 km·s-1的质点速度沿[100]晶向冲击加载含Φ20 nm孔洞的CL-20/HMX共晶时,孔洞周围结构没有产生射流现象,而是粘塑性收缩过程。孔洞塌缩形成的高温高压条件和结构上的粘塑性变形有效促使CL-20和HMX分子发生快速分解,孔洞塌缩新热点的形成进一步增强了冲击加载过程。     

LBO晶体的生长缺陷研究

采用化学腐蚀光学显微法和同步辐射截面形貌术研究了三硼酸锂（ＬＢＯ）晶体的生长缺陷,实验结果表明,ＬＢＯ晶体中的主要缺陷是位错、包裹物和形界,讨论辽些缺陷形成的原因和降低缺陷的措施。     

材料科学基础之《晶体缺陷》讲解

材料科学基础课程中的《晶体缺陷》内容是学生较难理解的内容,学好本章内容对学生掌握材料科学基础课程具有十分重要的作用。文章详细介绍了如何讲解点缺陷、线缺陷和面缺陷,通过举例式教学配合播放动画视频,提高了学生学习兴趣,增强了学习效果。     

SiC制MOSFET SCT2080KEC/SCH2080KE

ROHM公司的2代SiC MOSFET SCT2080KEC/SCH2080KE实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压(VF)降低70%以上,实现更低损耗的同时还可减少部件个数。此次,ROHM通过改善晶体缺陷相关工艺和元件构造,成功地攻克了包括体二极管在内的可靠性方面的所有课题。而且,与传统产品相比,单位面积的导通电阻降低了约30%,实现了芯片尺寸的小型化。另外,通过独创的安装技术,还成功将传统上需要外置的SiC-SBD一体化封装,使SiC-MOSFET的体二极     

热暴露对Cr-12Nb-4.4Ni合金组织及性能的影响

对机械合金化+热压制备的Cr-12Nb-4.4Ni合金在1200℃下分别热暴露30,50,100h,研究了热暴露不同时间后合金的组织和性能的变化。结果表明：合金由Cr固溶体和NbCr2构成,Ni主要存在于NbCr2中,热暴露过程中物相稳定;随着热暴露时间的延长,合金中Cr固溶体颗粒长大而NbCr2颗粒尺寸变化不大,Ni优先取代Cr的位置,松弛了NbCr2结构,Cr/NbCr2两相界面处压应力的增加,促进了Cr固溶体中位错的出现和NbCr2颗粒中层错/孪晶密度的增加。随着热暴露时间的延长,合金的室温压缩强度,屈服强度和塑性应变虽略有降低,但仍能保持较高的强度和良好的塑性,热暴露100h后,其压缩强度,屈服强度和塑性应变仍有2170MPa,1406MPa和9.5%。Cr-12Nb-4.4Ni合金热暴露100h后仍具有良好的断裂韧性。     

稀土催渗离子渗氮层中晶体缺陷的研究

用透射电镜研究了稀土催渗离子渗氮层中的晶体缺陷。结果表明,稀土催渗使γ'-Fe_4N晶粒显著细化,晶界面缺陷的增加有利于氮原子的扩散。在γ'-Fe_4N晶粒内有许多尺寸较小的空位型Frank位错环及其蜷线位错和堆垛层错等晶体缺陷;扩散层铁素体中存在高密度位错及位错环。大量空位的存在,以及位错吸引空位运动,是加速渗氮的主要原因。     

40Cr表面梯度晶体缺陷促进包埋渗Al涂层的组织及性能

包埋渗Al工艺是改善40Cr钢耐蚀性能的有效且经济的方法之一。在传统包埋渗铝(Al)法的工艺前加入扭转预变形,在40Cr钢引入高密度晶体缺陷增加扩散通道来提高包埋渗工艺中Al原子的扩散速率,从而达到降低加热温度、提高材料综合性能的目的。研究扭转工艺对晶粒取向、晶界、局部取向差的影响,表征扩散渗Al后试样的微观组织,测试硬度和耐腐蚀性能,分析不同温度(600℃、650℃、700℃及750℃)对渗层组织与性能的影响。研究结果表明：扭转变形在40Cr表面引入高密度晶体缺陷,可提高扩渗效率,增大渗层厚度;温度越高,渗层越厚,晶粒尺寸越大,组织的不均匀性增强,硬度越低。750℃时其渗层上存在较多的孔洞,对耐腐蚀性造成一定的影响,700℃试样耐腐蚀性能最优。     

Microscopic model for chemical etchability along radiation damage paths in solids

It would be very interesting to develop a picture about removal of atoms from the radiation damaged paths or latent nuclear tracks and undamaged bulk material in track detectors. Here, theory of chemical etching is described briefly and a new model for chemical etching along radiation damaged paths in solids is developed based on basic scientific facts and valid assumptions. Dependence of chemical etching on radiation damage intensity and etching conditions is discussed. A new parameter for etching along radiation damaged paths is introduced, which is useful for investigation of relationship between chemical etchability and radiation damage in a solid. Results and discussion presented here are also useful for further development of nuclear waste immobilization.