细晶Cr-NbCr2合金的热稳定性

本文研究了通过机械合金化+热压工艺制备的细晶Cr-NbCr₂合金的热稳定性。结果表明：热暴露过程中,Cr基体的颗粒尺寸有一定程度的长大,而Laves相NbCr₂颗粒由于其高热稳定性无明显变化。随着热暴露的进行,Cr基体颗粒与Laves相NbCr₂颗粒间压应力增加,使得基体和Laves相中分别出现了位错和层错/孪晶结构。所有热暴露条件下的Cr-NbCr₂合金的强度均不低于热压态的。在800-1200℃热暴露50h后,Cr-NbCr₂合金仍保持了较高的屈服强度和良好的塑性。但随着热暴露时间的继续延长,此时颗粒的长大成为主导因素,使得Cr-NbCr₂合金的屈服强度和塑性明显下降。     

热处理对片状银粉微观结构的影响

通过高能球磨制备的片状银粉将产生大量的晶体缺陷,这些缺陷的存在将影响银粉的导电性能。对高能球磨制得的片状银粉进行了热处理研究,以减少或消除片状银粉内部的晶体缺陷,改善其微观组织,提高银粉的导电性。结果表明,热处理使塑性形变后的银粉发生回复和再结晶,晶格畸变和晶体缺陷明显减少或者部分去除。     

Yb:Ca5(PO4)3F激光晶体的生长缺陷

采用提拉法生长了质量优异的Yb：Ca5（PO4）2F（Yb：FAP）晶体。运用化学腐蚀,光学显微镜、扫描电子显微镜以及能量散射光谱仪观察了该晶体中的生长条纹和包裹物等宏观缺陷,以及晶体的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布情况,同时观察了晶体中亚晶界的形态。由晶体中位错的径向变化以及生长条纹可知：晶体在生长过程中为微凸界面生长。高温下CaF2的挥发造成了在晶体生长后期熔体中组分偏离化学计量比,出现组分过冷,形成包裹物。且位错密度显著增加。Yb：FAP晶体的各向异性使得晶体在（10 10）面的位错蚀坑形状、大小以及深度不同,而（0001）面的位错蚀坑呈规则的六边形;这也是晶体中形成亚晶界结构的主要原因。讨论了减少晶体中缺陷的一些方法。     

快速降温温度梯度法合成金刚石的晶体缺陷分析

采用同步辐射白光貌相术研究了快速降温温度梯度法合成的大颗粒金刚石单晶体的晶体缺陷。晶体生长的早期形成了沿±[100]和±[010]方向延伸的平直位错,位错线均起源于种晶表面。晶体生长中期向[001-]方向生长,未生成新位错。在晶体生长的末期,形成了大量位错束,这些位错束由多条直线形位错组成,每个位错束中的所有位错生成于同一位错源,分布在扇形区域内,扇形夹角大多数在30°以内。这些扇形位错束的位错源均位于靠近晶体外表面的晶体内,在靠近(1-00)的晶面附近分布最多,(100)晶面附近比较多。少部分靠近(010)和(01-0)晶面。位错束的生长方向主要分布在[1-00]至[1-01-]区域和[001-]附近区域,少量向[010]、[01-0]方向延伸。位错束的形成和晶体合成末期的快速降温具有密切的关系。     

高分散纳米ZrO2晶体缺陷及电化学性能研究

以ZrOCl2.8H2O为原料,结合溶胶-凝胶法和超临界流体干燥技术制备了高分散纳米ZrO2粉体颗粒,通过X射线衍射仪(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、电化学阻抗谱(EIS)和循环伏安(CV)等技术手段研究探讨了ZrO2粉体颗粒的晶体缺陷、粉末晶粒尺寸大小及其电化学性能。成功地制备了粒径为10nm以下的近球形ZrO2三维网络纳米颗粒,实验结果表明,超临界流体干燥处理后的纯ZrO2晶粒基本保持完整,而3Y-ZrO2晶体缺陷较为明显。并首次对纯ZrO2的锂离子电化学性能作了一系列的初步研究,发现超临界流体处理后的ZrO2粉体具有很小的电化学阻抗;即使其作为锂离子电极材料容量可逆容量较低,但其多次循环后稳定性较好,这为锂离子电池材料的开发提供了新的思路。     

一种氧离子注入诱生缺陷的TEM表征

在利用氧离子注入工艺制备SOI材料的过程中,发现了一种"纳米网状"的结构缺陷.利用透射电镜、选区电子衍射和能谱分析对该缺陷进行了研究.结果表明,该缺陷呈网状,化学成分为硅和氧.初步研究认为,氧离子注入硅中所产生的穿通位错是形成该类缺陷的主要原因.     

基于晶体缺陷机理的6061铝合金镦粗成形工艺分析

基于晶体缺陷机理,并利用计算机有限元仿真软件进行6061铝合金冷、热镦粗成形模拟对比试验。在工具运动速度及材料平均变形速度均保持不变的条件下,将6061铝合金分别置于室温20℃与加热温度350℃状态下进行自由镦粗成形,热变形时锻件高径尺寸满足要求而冷变形时尺寸达不到规格。试验结果分析表明了晶体缺陷机理对铝合金塑性变形的多方面影响,并肯定了热镦粗工艺比冷镦粗工艺更适用于铝合金模锻前制坯的方法,因为热成形有利于减少金属内部的晶体缺陷运动阻碍。     

导模法生长白宝石单晶中的缺陷观察

本文采用导模法生长出了白宝石（1102）片晶和（0001）棒晶．在此基础上实验观察了白宝石单晶中的位错、亚晶界和小品面等缺陷的形态、数量及分布,讨论了生长条件对它们的影响．结果表明,晶体生长速率和籽晶质量是影响晶体缺陷的两个主要因素．     

高温合金单晶铸件中条纹晶的形成机制

对高温合金单晶叶片铸件中条纹晶起源处的微观组织进行了观察分析,提出了这种晶粒缺陷的产生机理。通过微观检测确认了条纹晶的出现是由于铸件表面单个枝晶主干在糊状区内被撕断,但又被残余液体焊合,呈现出明显的起点。导致这种撕裂的主要原因是型壳粘连引起的枝晶收缩严重受阻或是由夹杂切割引起的枝晶强度严重受损,从而形成了条纹晶缺陷产生的2种主要机制。撕裂后的枝晶会发生一定程度的整体偏转,在基体组织上形成一个由小角度晶界封闭而成的狭长晶粒。比较了条纹晶与其它晶粒缺陷的相似和不同之处,并讨论了减少条纹晶缺陷应该采取的工艺措施。     

铝阳极最佳退火温度的研究

通过添加适量的Ga、In、Sn、Bi、Pb和Mn等合金元素,制备了活性优良的铝合金阳极;采用极化曲线测试结合扫描电子显微镜分析技术,研究了退火对铝合金阳极的活性的影响.结果表明:退火温度低于400℃时,晶体缺陷的大量减少是导致铝阳极活性变化的主导因素,活性随退火温度提高而降低;退火温度高于400℃后,铝阳极析出大量固溶体,成为导致活性变化的主导因素,活性随退火温度提高而增强.整个退火过程中,晶体缺陷的变化对铝阳极活性改变影响最大.铝合金阳极的退火最佳温度为550℃.