超薄Ni/Ni_3Al(001)纳米线力学性能和晶体缺陷拉压不对称性研究(英文)

利用分子动力学方法研究超薄Ni/Ni3Al(001)纳米线力学性能和晶体缺陷的拉压不对称,对应力-应变曲线和晶体曲线在不同的温度下进行比较。模拟表明在拉伸载荷作用下不全位错的施密特因子大于压缩载荷下的施密特因子,在10 K温度下的流变应力行为异常,同时超薄Ni/Ni3Al(001)纳米线在不同温度下都表现为抵抗压缩载荷能力比拉伸载荷强。结果显示超薄Ni/Ni3Al(001)纳米线具有显著的拉伸不对称特性。此外,堆积层错提高原子移动,不全位错从堆垛层错处发射。在促进位错发射过程中原子移动扮演着重要的角色;而且在拉-压载荷下不同晶体缺陷主要是点位错和层错,层错主要发生在4个{111}方向。研究拉压不对称与温度之间的关系,可以更准确和全面的理解超薄Ni/Ni3Al(001)纳米线的力学性能。     

山东蓝宝石结构缺陷的同步辐射白光形貌相研究

采用同步辐射白光形貌术对山东蓝宝石的位错等晶体缺陷进行分析研究。山东蓝宝石薄片的同步辐射白光形貌图像揭示,大部分蓝宝石不同程度的存在结构缺陷,其中,样品的不同区域、不同方位、不同颜色的缺陷明显程度不同,特别值得关注的是黄褐色蓝宝石及蓝宝石中黄褐色区域结构缺陷明显,变形严重。其规律性有待进一步研究。     

N-羟基邻苯二甲酰亚胺与负载型铁氧化物催化氧化环己烷研究

考察了N-羟基邻苯二甲酰亚胺与负载型铁氧化物相组合时催化氧化环己烷的效果以及可能存在的机理。用浸渍法制备了多种负载型铁氧化物催化剂,研究了用不同载体和不同铁来源制备的催化剂与N-羟基邻苯二甲酰亚胺共同催化氧化环己烷,比普通的三价铁盐与N-羟基邻苯二甲酰亚胺相组合催化氧化环己烷好。N-羟基邻苯二甲酰亚胺与Fe/ZrO₂在 100 ℃和氧压0.6 MPa下反应6 h,环己烷转化率可达53%。通过穆斯堡尔谱图等实验手段提供的信息提出可能的催化机理, 负载型铁氧化物晶体缺陷产生的Fe⁴⁺是激发N-羟基邻苯二甲酰亚胺为PINO自由基的来源。     

特征提取在激光散射扫描层析技术检测硅内部微体缺陷中的应用

提出了一种利用特征提取来对硅中微／纳米级体缺陷的激光散射图样进行分析，以获得缺陷大小信息的分析方法。给出了该方法中第一特征值和第二特征值的定义，指出通过所提出的第一特征值及第二特征值即可迅速地判断出缺陷的大小量级所在。这种分析方法具有分析速度快，在体缺陷小于１μｍ时分辨率高，且可使系统实现自动化等优点。     

岩石中α-石英腐蚀像在晶体缺陷定向及双晶鉴别中的应用

对福建魁岐花岗岩、大别山罗田地区条带状混合岩及其中的浅色脉体进行酸腐蚀并对腐蚀像进行研究。通过微分干涉相衬显微镜（DIC）、原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）对这3种岩石中α-石英颗粒的腐蚀像观察,结果表明：用腐蚀法可以对岩石中的α-石英颗粒进行定向,从而研究缺陷的走向;利用α-石英双晶腐蚀像的差异可以将道芬双晶与巴西双晶进行区别,通过统计发现3种岩石标本中道芬双晶出现的概率远远高于巴西双晶。观察腐蚀像作为一种研究岩石中α-石英缺陷与双晶种类的方法,具有比常用的衍射法更加直观且简单易行、费用低的优点。     

PMP法YBCO超导体YBa2Cu3Ox相的形成动力学和晶体缺陷

用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＴＥＭ对粉末熔化法（ＰＭＰ）ＹＢＣＯ超导体中ＹＢｕ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿ｘ（１２３）相的形成动力学进行了研究。结果表明，ＹＢ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿ｘ相的形成至少经历了４个不同的阶段；其最大生长速率主要受控于Ｙ在Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ熔融液相中的溶解度和过冷度；超导相中起有效磁通钉扎中心的晶体缺陷及其密度和分布状态，与形成１２３相所需元素组分的质量传输路径、凝固速度密切相关。     

铝材及铝制品的电解抛光处理⑶(铝的抛光处理系列文章之八)

对磷酸溶液电解抛光工艺作了全面的阐述，该法是美国巴特尔纪念学院于４０年代初开发的，目前在美国用的较少，但在其他国家仍广为利用。在工业生产中，此法主要用于取代工业纯铝及铝合金在阳极氧化处理前的机械光处理。当前应用磷酸型溶液电解抛光溶液的总酸浓度为５０％～９５％，抛光溶液粘度对抛光质量有很大影响     

晶体缺陷对HMX基PBX性能影响的理论计算

为研究晶体缺陷对奥克托今(HMX)基高聚物粘结炸药(PBX)性能的影响,分别建立了2种PBX"完美"模型和4种缺陷模型。采用分子动力学(MD)方法,对6种PBX模型进行了模拟计算,得到了感度、结合能、爆轰性能和力学性能参数并进行了对比。结果表明,晶体缺陷导致PBX炸药的键连双原子作用能和内聚能密度减小,分别下降2.46～5.72 kJ·mol~(-1)和0.0251～0.0544 kJ·cm~(-3),表明缺陷模型的感度增加,安全性降低;缺陷模型的结合能下降509.61～1618.24 kJ·mol~(-1),表明炸药的稳定性变差;缺陷模型的密度、爆速和爆压均下降,降幅分别为0.01～0.05 g·cm~(-3)、36.35～185.69 m·s~(-1)和0.36～1.79 GPa,其氧平衡和爆热的变化几乎可以忽略不计,表明缺陷模型的毁伤威力降低。晶体缺陷还导致PBX炸药的拉伸模量、体积模量和剪切模量分别下降0.062～1.772、0.261～1.188 GPa和0.012～0.685 GPa,体积模量与剪切模量之比增加0.002～0.366,位错和空位缺陷模型的柯西压分别下降0.822 GPa和0.479 GPa,掺杂和孪晶缺陷模型的柯西压分别上升0.114 GPa和0.491 GPa,表明缺陷模型的抗变形能力下降,柔韧性增强。     

碲镉汞小晶片中缺陷的X射线形貌相检测

用X射线劳厄透射形貌术拍摄了用于制备多元线列探测器的碲镉汞小晶片的形貌相,观察到在碲镉汞小晶片中存在的各种晶体缺陷,如晶格扭曲、亚晶块、滑移线和其它缺陷。结合晶片扭曲和滑移的模型,分析了小晶片的受力状况。实验表明,在普通的X射线光源上,用劳厄透射形貌术能以20μm的分辨率无损检测用于制备多元线列探测器的碲镉汞小晶片中的晶体缺陷;在不良的器件工艺中,小晶片的晶格会受到明显的损伤,严重地影响了小晶片的电学参数和多元线列探测器的性能。     

β-沸石晶体结构特征的电镜研究

采用电子衍射、Ｘ－射线衍射、高分辨电子显微术、模拟像计算确定β－沸石点阵参数，即β－沸石属于单斜晶系：ａｍ＝ｂｍ＝１．７４ｎｍ，ｃｍ＝１．４３ｎｍ，βｍ＝１１４．５°。首次拍摄到可清楚分辨β－沸石４、５、６、１２员环的结构像，像的衬度、各员环分布与模拟像、原子投影相互匹配表明所建立的晶体结构模型是正确的。高分辨电子显微像还直观显示β－沸石晶体生长过程中产生的高密度晶体缺陷，层错、不全位错、孪晶等类型晶体缺陷普遍存在于微晶粒中。